半導體膜厚儀是一種用于精確測量半導體材料表面薄膜厚度的儀器。其工作原理主要基于光學反射、透射以及薄膜干涉現象。當光線照射到半導體薄膜表面時，部分光線會被薄膜反射，部分則會透射過去。反射光和透射光的光程差與薄膜的厚度密切相關。薄膜的厚度不同，會導致反射光和透射光之間的相位差和振幅變化，這些變化可以被儀器精確地測量和記錄。此外，半導體膜厚儀還利用干涉現象來進一步確定薄膜的厚度。當光線在薄膜的上下表面之間反射時，會形成干涉現象。干涉條紋的間距與薄膜的厚度成比例，通過觀察和測量這些干涉條紋，可以進一步計算出薄膜的準確厚度。半導體膜厚儀通過結合反射、透射和干涉等多種光學原理，能夠實現對半導體材料表面薄膜厚度的非接觸式、高精度測量。這種測量方法不僅快速、準確，而且不會對薄膜造成損傷，因此在半導體制造業中得到了廣泛應用。總之，半導體膜厚儀的工作原理基于光學反射、透射和干涉原理，通過精確測量和分析反射光和透射光的光程差以及干涉條紋的間距，實現對半導體材料表面薄膜厚度的精確測量。