半導體膜厚儀的磁感應測量原理是基于磁通和磁阻的變化來測定半導體材料上薄膜的厚度。在測量過程中，儀器利用測頭產生磁通，這些磁通經過非鐵磁覆層（即半導體薄膜）流入到鐵磁基體。由于磁通的流動受到薄膜厚度的影響，因此通過測量磁通的大小，我們可以推斷出薄膜的厚度。具體來說，當薄膜較薄時，磁通能夠較為容易地穿過薄膜流入鐵磁基體，此時測得的磁通量相對較大。相反，隨著薄膜厚度的增加，磁通在穿過薄膜時受到的阻礙也會增大，導致流入鐵磁基體的磁通量減小。因此，通過對比不同厚度下磁通量的變化，我們可以確定薄膜的厚度。此外，磁感應測量原理還可以通過測定與磁通相對應的磁阻來表示覆層厚度。磁阻是表示磁場在物質中傳播時所遇到的阻礙程度，它與磁通的大小成反比。因此，覆層越厚，磁阻越大，磁通越小，這也是磁感應測量原理能夠準確測定薄膜厚度的關鍵所在。總的來說，半導體膜厚儀的磁感應測量原理是一種基于磁通和磁阻變化來測定薄膜厚度的有效方法。這種方法具有高精度、高分辨率和高靈敏度等特點，在半導體制造業中具有廣泛的應用前景。