光刻膠膜厚儀的測量原理主要基于光學干涉和反射原理。該儀器發出特定波長的光波，這些光波穿透光刻膠膜層。在穿透過程中，光的一部分在膜層的上表面反射，另一部分在膜層的下表面反射。這兩個反射光波之間會產生相位差，這個相位差受到薄膜的厚度和折射率的影響。當相位差為波長的整數倍時，上下表面的反射光波會產生建設性疊加，使得反射光的強度增強，此時反射率達到最大。而當相位差為波長的半整數倍時，反射光波會發生破壞性疊加，導致反射光強度減弱，反射率達到最低。對于其他相位差，反射率則介于最大和最小之間。通過測量反射光的強度，并與已知的光學參數進行比較，可以推導出光刻膠膜的厚度。此外，儀器還可以根據反射光的角度分布或其他特性，進一步確定光刻膠膜的其他相關參數，如均勻性和表面形貌等。光刻膠膜厚儀的測量原理不僅具有高精度和高可靠性的優點，而且非接觸式測量方式不會對光刻膠膜造成損傷，適用于各種類型的光刻膠膜厚測量需求。在半導體制造、微電子器件等領域中，光刻膠膜厚儀發揮著重要作用，為工藝控制和產品質量提供了有力保障。