半導體測厚儀，特別是像E+H Metrology的MX 30系列這樣的高精度設備，其測量厚度范圍廣泛，可以滿足多種不同尺寸的晶圓測量需求。這類測厚儀通常用于測量SIC、GaN、GaAS、InP等半導體晶圓的厚度。具體來說，MX 30系列非接觸式單點晶圓測厚儀，例如MX 301型號，能夠測量直徑為50mm、75mm、100mm、150mm、200mm和300mm的晶圓。其厚度范圍根據晶圓直徑的不同而有所差異。例如，對于無框晶圓，其測量范圍可能是200\~1000μm或300\~1800μm；而對于鑲框晶圓，測量范圍可能達到0\~1100μm。測量精度方面，MX 30系列的厚度精度可以達到±0.5μm，分辨率高達10 nm，動態范圍達800μm。這樣的精度保證了測量結果的準確性和可靠性，滿足了半導體行業對高精度測量的需求。總的來說，半導體測厚儀能夠測量的厚度范圍廣泛，具體取決于晶圓的直徑和類型。同時，高精度的測量能力使得這類儀器在半導體制造和研發過程中發揮著不可或缺的作用。通過快速、準確地測量晶圓厚度，半導體測厚儀有助于提高生產效率、保證產品質量，并推動半導體技術的不斷發展。