硅片反射率儀是一種用于測量硅片表面反射特性的精密光學儀器，其工作原理基于光波與物質相互作用的光學特性分析。該設備主要應用于半導體制造工藝中，通過監測硅片表面反射率變化來評估薄膜厚度、表面粗糙度及氧化層質量等關鍵參數。儀器工作時，首先由穩定光源（如鹵素燈或激光器）發射特定波長的光束，經分光系統后形成單色光或寬光譜光束。入射光以特定角度（通常為垂直入射或近垂直角度）照射硅片表面后，部分光能被硅片表層材料反射，其余部分透射進入材料內部。反射光強度由高靈敏度光電探測器（如光電二極管或CCD陣列）接收，通過與入射光強度?畝員燃撲愕玫椒瓷瀆適怠?/p>對于單波長系統，儀器通過旋轉濾光片或光柵選擇特定波長；多波長系統則采用分光光度計結構，可同時測量多個波長點的反射光譜。硅作為高反射率材料（單晶硅在可見光區反射率約35%），其反射特性受表?嫜躉恪⒌璞∧さ冉櫓誓び跋煜災５憊杵礱媧嬖詒∧な保肷涔庠誑掌?薄膜和薄膜-硅基體界面分別發生反射，形成干涉效應。儀器通過分析反射光譜的極值點（波??波谷）位置，結合菲涅爾?匠毯捅∧じ繕婀劍??販囪莩霰∧ず穸齲ň瓤紗鎩?.1nm）。現代反射率儀多采用橢圓偏振測量技術，通過分析反射光的偏振態變化獲取更豐富的表面信息。數據處理系統運用建模算法（如傳遞矩陣法）將測得的光強數據轉換為物理參數，部分高端儀器還具備實時監控功能，可集成在半導體制造設備中進行在線檢測。儀器校準需使用標準反射片，并通過消除環境雜散光、溫度漂移等因素確保測量精度。