為了形成(cheng)高(gao)質(zhi)量圖(tu)像(xiang)，聚合色(se)(se)粉(fen)(fen)被廣泛使(shi)用，以代替慣常使(shi)用的(de)粉(fen)(fen)碎色(se)(se)粉(fen)(fen)。聚合色(se)(se)粉(fen)(fen)允許(xu)點的(de)，從而出色(se)(se)地(di)由(you)(you)數字信息獲得印刷物，由(you)(you)此得到(dao)高(gao)質(zhi)量的(de)印刷物。0003和改進形成(cheng)精細分配的(de)色(se)(se)粉(fen)(fen)顆粒(li)(li)、使(shi)色(se)(se)粉(fen)(fen)粒(li)(li)徑均(jun)一(yi)、使(shi)色(se)(se)粉(fen)(fen)顆粒(li)(li)呈球形的(de)技(ji)術、以及(ji)從粉(fen)(fen)碎色(se)(se)粉(fen)(fen)到(dao)聚合色(se)(se)粉(fen)(fen)的(de)轉變相一(yi)致地(di)，玫(mei)瑰(gui)(gui)金(jin)靶材誰家(jia)好，在電(dian)(dian)子成(cheng)像(xiang)裝(zhuang)置(zhi)比如激光束打印機等的(de)成(cheng)像(xiang)裝(zhuang)置(zhi)中，廣西玫(mei)瑰(gui)(gui)金(jin)靶材，需要開(kai)發出一(yi)種導(dao)電(dian)(dian)輥，玫(mei)瑰(gui)(gui)金(jin)靶材生產加工，其賦予色(se)(se)粉(fen)(fen)以高(gao)靜電(dian)(dian)充電(dian)(dian)特性(xing)。

電(dian)(dian)源供(gong)應裝(zhuang)(zhuang)置通(tong)過一升降(jiang)機(ji)(ji)(ji)構(gou)安(an)(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)機(ji)(ji)(ji)座上(shang)(shang)并與控制裝(zhuang)(zhuang)置電(dian)(dian)連接；所(suo)述整體測量(liang)機(ji)(ji)(ji)構(gou)包(bao)括一安(an)(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)機(ji)(ji)(ji)座上(shang)(shang)的驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)、一連接在(zai)(zai)驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)上(shang)(shang)的傳(chuan)動(dong)(dong)軸及(ji)一安(an)(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)傳(chuan)動(dong)(dong)軸的一端(duan)的接地端(duan)；所(suo)述擇(ze)點測量(liang)機(ji)(ji)(ji)構(gou)包(bao)括一安(an)(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)機(ji)(ji)(ji)座上(shang)(shang)的第二(er)驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)、一對(dui)安(an)(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)所(suo)述第二(er)驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)(dian)機(ji)(ji)(ji)上(shang)(shang)的第二(er)傳(chuan)動(dong)(dong)軸、一安(an)(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)機(ji)(ji)(ji)座上(shang)(shang)并與所(suo)述第二(er)傳(chuan)動(dong)(dong)軸平行的滑軌及(ji)若干(gan)安(an)(an)裝(zhuang)(zhuang)在(zai)(zai)滑軌上(shang)(shang)的測點探針。

平面顯(xian)示(shi)器（FPD)這(zhe)些年來大幅沖擊以陰極射(she)線(xian)管(CRT)為主的(de)(de)電腦顯(xian)示(shi)器及電視機市(shi)場，亦將帶(dai)動ITO靶材(cai)(cai)的(de)(de)技術與(yu)市(shi)場需求。如今的(de)(de)iTO靶材(cai)(cai)有兩種．一(yi)種是(shi)采(cai)(cai)(cai)用(yong)(yong)納米狀態的(de)(de)氧化(hua)銦混合(he)后燒結，一(yi)種是(shi)采(cai)(cai)(cai)用(yong)(yong)銦錫合(he)金(jin)(jin)(jin)靶材(cai)(cai)。銦錫臺(tai)金(jin)(jin)(jin)靶材(cai)(cai)可以采(cai)(cai)(cai)用(yong)(yong)直流反應濺射(she)制(zhi)(zhi)造ITO薄膜(mo)，但是(shi)靶表面會氧化(hua)而影響(xiang)濺射(she)率，玫瑰金(jin)(jin)(jin)靶材(cai)(cai)哪家(jia)好，并(bing)且不易得(de)到大尺(chi)寸的(de)(de)臺(tai)金(jin)(jin)(jin)靶材(cai)(cai)。如今一(yi)般采(cai)(cai)(cai)取方法生產(chan)ITO靶材(cai)(cai)，利用(yong)(yong)L}IRF反應濺射(she)鍍膜(mo)．它具有沉(chen)積速度快(kuai)．且能(neng)控(kong)制(zhi)(zhi)膜(mo)厚(hou)，電導(dao)率高，薄膜(mo)的(de)(de)一(yi)致性好，與(yu)基板的(de)(de)附著力強等(deng)優點。