超純(chun)(chun)金屬(shu)的制備有(you)化學提(ti)純(chun)(chun)法(fa)如(ru)精餾（特(te)別是金屬(shu)氯化物(wu)的精餾及(ji)氫還原）、升(sheng)華、溶劑萃取等(deng)和物(wu)理提(ti)純(chun)(chun)法(fa)如(ru)區熔(rong)提(ti)純(chun)(chun)等(deng)（見硅(gui)、鍺、鋁、銦）。其中以區熔(rong)提(ti)純(chun)(chun)或區熔(rong)提(ti)純(chun)(chun)與其他方法(fa)相 結合(he)有(you)效(xiao)。

由(you)于(yu)容器與藥劑(ji)中雜質的(de)(de)(de)污染，使得到的(de)(de)(de)金(jin)屬純(chun)度(du)受到一定(ding)的(de)(de)(de)限制(zhi)，金(jin)蒸發鍍靶材(cai)誰家好，只有用化(hua)學方(fang)法(fa)將金(jin)屬提(ti)純(chun)到一定(ding)純(chun)度(du)之后，再用物理方(fang)法(fa)如區(qu)熔提(ti)純(chun)，才能將金(jin)屬純(chun)度(du)提(ti)到一個新(xin)的(de)(de)(de)高度(du)。可(ke)以用半導(dao)體材(cai)料鍺及超純(chun)金(jin)屬鋁為(wei)例說明(ming)典型(xing)的(de)(de)(de)超純(chun)金(jin)屬制(zhi)備及檢測的(de)(de)(de)原理（見(jian)區(qu)域熔煉）。

各種(zhong)純(chun)(chun)度(du)鋁中的雜質含量及剩余電(dian)阻(zu)率如表2所示。超純(chun)(chun)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)超純(chun)(chun)的純(chun)(chun)度(du)也(ye)可以用(yong)剩余電(dian)阻(zu)率來(lai)測(ce)定，其值約為2×10-5。現(xian)代科學技術的發(fa)展趨勢是對金(jin)(jin)屬(shu)(shu)純(chun)(chun)度(du)要求(qiu)越來(lai)越高。因為金(jin)(jin)屬(shu)(shu)未(wei)能達到一定純(chun)(chun)度(du)的情況(kuang)下，金(jin)(jin)蒸發(fa)鍍靶材回收，金(jin)(jin)屬(shu)(shu)特性往(wang)往(wang)為雜質所掩蓋(gai)。不僅是半導(dao)體材料，其他金(jin)(jin)屬(shu)(shu)也(ye)有同樣(yang)的情況(kuang)，由于雜質存(cun)在影響(xiang)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)的性能。

鎢過(guo)去(qu)用(yong)作燈泡的燈絲，朝陽金蒸發鍍靶材(cai)，由(you)于脆性而使處理上(shang)有困(kun)難，在適(shi)當提(ti)純(chun)之后，這(zhe)種缺點即可以克服（鎢絲也有摻雜及加工問題）。

在(zai)所(suo)有應(ying)用(yong)產業中(zhong)，半導(dao)體產業對靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)濺射薄(bo)膜的(de)品質要(yao)求是(shi)苛刻的(de)。如(ru)今12英寸（300衄口）的(de)硅(gui)晶片已制造出來(lai)．而互連線的(de)寬度卻在(zai)減小(xiao)。硅(gui)片制造商對靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)的(de)要(yao)求是(shi)大(da)尺寸、高純度、低偏析(xi)和(he)細晶粒，這(zhe)就要(yao)求所(suo)制造的(de)靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)具有更好的(de)微觀結構。靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)的(de)結晶粒子(zi)直徑和(he)均勻性已被認為是(shi)影響薄(bo)膜沉積率的(de)關鍵因素。另(ling)外，金蒸發鍍(du)靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)工藝(yi)，薄(bo)膜的(de)純度與靶(ba)(ba)材(cai)(cai)(cai)的(de)純度關系極大(da)，過99.995%（4N5）純度的(de)銅靶(ba)(ba)，或許能夠滿(man)足(zu)(zu)半導(dao)體廠商0.35pm工藝(yi)的(de)需求，但是(shi)卻無法滿(man)足(zu)(zu)如(ru)今0.25um的(de)工藝(yi)要(yao)求。