公(gong)司成立(li)于2013年7月，專(zhuan)注從事單(dan)片機的(de)應(ying)用開發及生產(chan)，并提(ti)供(gong)全系列中低壓MOS及電(dian)(dian)源(yuan)、鋰(li)電(dian)(dian)IC等(deng)的(de)銷售，在(zai)LED及小家(jia)電(dian)(dian)等(deng)消費類電(dian)(dian)子產(chan)品(pin)上應(ying)用廣泛，為您量身定制適合的(de)芯片方(fang)案。

現階段我國市場上電(dian)動車(che)早已(yi)愈(yu)來愈(yu)多，其環境(jing)保護(hu)的(de)(de)特征也獲得了我國的(de)(de)認同，溫州3080mos，而且有(you)替(ti)代汽柴油代步工(gong)具的(de)(de)發展趨勢，3080mos萬芯半導體，電(dian)動車(che)也跟別的(de)(de)代步工(gong)具一樣，儀(yi)(yi)表(biao)盤(pan)上邊體現汽車(che)各系統運行情況，具有(you)了不(bu)可或(huo)缺的(de)(de)功(gong)效(xiao)，而跟儀(yi)(yi)表(biao)盤(pan)電(dian)路原理(li)所采用(yong)的(de)(de)MOS管可能危害到儀(yi)(yi)表(biao)盤(pan)的(de)(de)質量。

公司成(cheng)立于(yu)2013年7月，專注(zhu)從事單(dan)片機的應用開發及(ji)生產，并提供(gong)全系列(lie)中(zhong)低壓MOS及(ji)電(dian)源、鋰電(dian)IC等的銷售，在LED及(ji)小家電(dian)等消費類(lei)電(dian)子產品上應用廣泛，為您量(liang)身定制適合的芯片方(fang)案(an)。

分(fen)辨MOS管優劣(lie)的辦法有二種：

一種：定(ding)性分辨MOS管的優劣

先用萬(wan)用表(biao)(biao)R×10kΩ擋(內嵌有9V或15V充(chong)電電池(chi))，把負表(biao)(biao)筆(bi)(黑)接柵極(ji)(G)，正表(biao)(biao)筆(bi)(紅)接源極(ji)(S)。給柵，源極(ji)中間電池(chi)充(chong)電，這時萬(wan)用表(biao)(biao)表(biao)(biao)針(zhen)有輕度偏(pian)轉(zhuan)。再改(gai)成萬(wan)用表(biao)(biao)R×1Ω擋，將負表(biao)(biao)筆(bi)接漏(lou)極(ji)(D)，正筆(bi)接源極(ji)(S)，萬(wan)用表(biao)(biao)標(biao)示值(zhi)若為(wei)幾歐母，則表(biao)(biao)明MOS管是(shi)好(hao)的。

第二種：定性(xing)分辨(bian)結型MOS管的電(dian)級

將萬用表撥至R×100檔，紅表筆(bi)隨意接(jie)一個(ge)腳(jiao)(jiao)管，3080mos價格，黑(hei)表筆(bi)則接(jie)另(ling)一個(ge)腳(jiao)(jiao)管，使(shi)第三(san)(san)腳(jiao)(jiao)懸在空(kong)中。若發覺表針(zhen)有(you)輕微的晃動，就證實第三(san)(san)腳(jiao)(jiao)為柵(zha)極(ji)。欲得到更顯著的觀查實際效果(guo)，還可電子振(zhen)動挨(ai)近或(huo)是(shi)用手指觸碰懸在空(kong)中腳(jiao)(jiao)，只需見到表針(zhen)作大幅偏轉，即(ji)表明(ming)懸在空(kong)中腳(jiao)(jiao)是(shi)柵(zha)極(ji)，其他(ta)二(er)腳(jiao)(jiao)分別(bie)是(shi)源極(ji)和漏極(ji)。

公司成(cheng)立于2013年7月，專注從事(shi)單片機的(de)應用開發及生產(chan)，并提供全系列(lie)中低壓MOS及電(dian)源、鋰(li)電(dian)IC等(deng)的(de)銷售，在LED及小家電(dian)等(deng)消費類電(dian)子(zi)產(chan)品上應用廣泛(fan)，為您量身定制適合的(de)芯片方案。

用電源IC立即驅動MOS管

一個好的MOS管驅動電路(lu)有下面幾(ji)點規定：

（1）開關管啟用瞬(shun)間，驅動電(dian)路應能(neng)輸(shu)出非常(chang)大的(de)電(dian)流，使MOS管柵源極間工作電(dian)壓(ya)快速升(sheng)高(gao)到所需值(zhi)，確保開關管能(neng)迅(xun)速開啟且不會有(you)上(shang)升(sheng)沿的(de)高(gao)頻率震蕩。

（2）電源開(kai)關通(tong)斷期內(nei)，驅動電路能(neng)確保MOS管柵源極間工作電壓長(chang)期保持，且有效通(tong)導。

（3）關(guan)閉(bi)一瞬間驅動電(dian)路，能供(gong)應一個盡量低阻抗的通道，供(gong)MOS管柵源極間電(dian)容工(gong)作電(dian)壓的迅速泄流，確保開關(guan)管能迅速關(guan)閉(bi)。

（4）驅動電路構造簡易靠(kao)譜、耗(hao)損(sun)小。

（5）依據具體情(qing)況開展防護。

在控制模塊電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)中，常見的(de)是電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)IC直(zhi)接驅(qu)動(dong)(dong)MOS管(guan)。應用中，應當留意較大(da)驅(qu)動(dong)(dong)高(gao)值電(dian)(dian)(dian)流量、MOS管(guan)的(de)分布(bu)電(dian)(dian)(dian)容2個主要參數。電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)IC的(de)驅(qu)動(dong)(dong)能力(li)(li)、MOS分布(bu)電(dian)(dian)(dian)容尺寸、驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)器電(dian)(dian)(dian)阻(zu)值都(dou)將危害MOS管(guan)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)開關速率(lv)。假如挑選MOS管(guan)分布(bu)電(dian)(dian)(dian)容較為大(da)，電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)IC內部(bu)的(de)驅(qu)動(dong)(dong)能力(li)(li)又不夠時，必須在驅(qu)動(dong)(dong)電(dian)(dian)(dian)路上提高(gao)驅(qu)動(dong)(dong)能力(li)(li)，常應用圖騰柱(zhu)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)電(dian)(dian)(dian)路提升(sheng)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(yuan)IC驅(qu)動(dong)(dong)能力(li)(li)。