半導(dao)(dao)電(dian)膠(jiao)輥通(tong)常用在復印(yin)(yin)機(ji)、電(dian)子傳真裝置等辦(ban)公設備中(zhong)。半導(dao)(dao)電(dian)膠(jiao)輥屬(shu)于半導(dao)(dao)電(dian)元(yuan)件，且電(dian)阻(zu)值受環境影響(xiang)較大，對(dui)產品的導(dao)(dao)電(dian)性要(yao)求(qiu)極其嚴格，因為打印(yin)(yin)的全(quan)過(guo)程是碳粉(fen)通(tong)過(guo)電(dian)場的壓力來(lai)實施，所以輕(qing)微的電(dian)性誤差將導(dao)(dao)致(zhi)在打印(yin)(yin)過(guo)程中(zhong)文字和圖(tu)片深(shen)淺(qian)不一的現象。因此需精(jing)密的量(liang)測，故要(yao)求(qiu)有一套高精(jing)密的量(liang)測系統來(lai)支持，2N金靶材哪(na)家好，方能達到產品的設計要(yao)求(qiu)。

在儲存技(ji)術方面，高密度(du)、大容(rong)量硬盤的(de)(de)(de)(de)發展，需(xu)要(yao)大量的(de)(de)(de)(de)巨(ju)磁(ci)阻薄膜材(cai)料，CoF~Cu多(duo)層復(fu)合膜是如(ru)今應用(yong)廣泛的(de)(de)(de)(de)巨(ju)磁(ci)阻薄膜結構(gou)。磁(ci)光(guang)盤需(xu)要(yao)的(de)(de)(de)(de)TbFeCo合金(jin)(jin)靶(ba)(ba)材(cai)還在進(jin)一步發展，用(yong)它制(zhi)造的(de)(de)(de)(de)磁(ci)光(guang)盤具有(you)存儲容(rong)量大，寧(ning)夏2N金(jin)(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，壽命長，可反(fan)復(fu)無接觸(chu)擦寫的(de)(de)(de)(de)特(te)點。如(ru)今開發出來(lai)的(de)(de)(de)(de)磁(ci)光(guang)盤，哪里(li)有(you)2N金(jin)(jin)靶(ba)(ba)材(cai)，具有(you)TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的(de)(de)(de)(de)層復(fu)合膜結構(gou)，2N金(jin)(jin)靶(ba)(ba)材(cai)價格，TbFeCo/AI結構(gou)的(de)(de)(de)(de)Kerr旋轉(zhuan)角達到58，而(er)TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jing)過(guo)研究(jiu)發現，低磁(ci)導率的(de)(de)(de)(de)靶(ba)(ba)材(cai)高交(jiao)流(liu)局(ju)部放電(dian)電(dian)壓l抗(kang)電(dian)強度(du)。

精鋁(lv)經過區(qu)熔提純(chun)(chun)(chun)，只能達到(dao)5 的高(gao)純(chun)(chun)(chun)鋁(lv)，但如(ru)使用在有(you)機物(wu)(wu)電解液中(zhong)進(jin)行電解，可將鋁(lv)提純(chun)(chun)(chun)到(dao)99.9995%，并可除(chu)去(qu)有(you)不(bu)利分配系(xi)數(shu)的雜質，然后進(jin)行區(qu)熔提純(chun)(chun)(chun)數(shu)次，就(jiu)能達到(dao)接近于(yu) 7 的純(chun)(chun)(chun)度，雜質總含量<0.5ppm。這種超(chao)純(chun)(chun)(chun)鋁(lv)除(chu)用于(yu)制備化合物(wu)(wu)半(ban)導體材料外，還(huan)在低溫(wen)下有(you)高(gao)的導電性能，可用于(yu)低溫(wen)電磁設備。

制備化合物(wu)半導體的金(jin)屬(shu)如銦(yin)、磷，可利用氯(lv)化物(wu)精(jing)餾氫(qing)還原、電解精(jing)煉、區熔及拉晶提純(chun)等(deng)方法(fa)制備超純(chun)金(jin)屬(shu)，總金(jin)屬(shu)雜(za)質含量為 0.1～1ppm。其他金(jin)屬(shu)如銀、金(jin)、鎘、、鉑等(deng)也能達到≥6 的水平。