濺(jian)(jian)射(she)技(ji)術(shu)：濺(jian)(jian)射(she)是制備薄(bo)(bo)(bo)膜(mo)材(cai)(cai)料(liao)的(de)(de)主要(yao)技(ji)術(shu)之一，它(ta)利用離(li)(li)子(zi)(zi)源產生的(de)(de)離(li)(li)子(zi)(zi)，在真空(kong)中(zhong)經過加速(su)(su)聚集(ji)，而(er)形成(cheng)高速(su)(su)度(du)能的(de)(de)離(li)(li)子(zi)(zi)束流，轟擊固(gu)(gu)體(ti)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)，離(li)(li)子(zi)(zi)和固(gu)(gu)體(ti)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)原(yuan)子(zi)(zi)發生動(dong)能交換，使(shi)固(gu)(gu)體(ti)表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)原(yuan)子(zi)(zi)離(li)(li)開固(gu)(gu)體(ti)并沉(chen)積在基底表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)，香檳金靶(ba)材(cai)(cai)技(ji)術(shu)，被(bei)轟擊的(de)(de)固(gu)(gu)體(ti)是制備濺(jian)(jian)射(she)法沉(chen)積薄(bo)(bo)(bo)膜(mo)的(de)(de)原(yuan)材(cai)(cai)料(liao)，稱(cheng)為濺(jian)(jian)射(she)靶(ba)材(cai)(cai)。各種(zhong)類型的(de)(de)濺(jian)(jian)射(she)薄(bo)(bo)(bo)膜(mo)材(cai)(cai)料(liao)無論在半(ban)導體(ti)集(ji)成(cheng)電路(lu)、太陽(yang)能光(guang)伏、記錄介(jie)質、平面(mian)(mian)(mian)顯示以及工件表(biao)(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)涂(tu)層(ceng)等方(fang)面(mian)(mian)(mian)都得到了廣泛的(de)(de)應用。

根據電解質的(de)(de)種類可(ke)分為氯(lv)化(hua)(hua)物熔(rong)鹽(yan)(yan)(yan)體系(xi)和(he)氟化(hua)(hua)物-氧化(hua)(hua)物熔(rong)鹽(yan)(yan)(yan)體系(xi)電解法(fa)，多用于(yu)制(zhi)取以鑭(lan)為主的(de)(de)混合稀(xi)土金(jin)屬以及鑭(lan)、鐠、釹等單一稀(xi)土金(jin)屬。熔(rong)鹽(yan)(yan)(yan)電解法(fa)為連(lian)續性生(sheng)產過程，產量(liang)較大，香檳(bin)金(jin)靶(ba)材(cai)制(zhi)造(zao)，設備(bei)簡(jian)單，香檳(bin)金(jin)靶(ba)材(cai)價格，成本較低(di)，但電解槽需用耐高溫(wen)氯(lv)化(hua)(hua)物或氟化(hua)(hua)物腐蝕(shi)的(de)(de)結(jie)構材(cai)料(liao)制(zhi)造(zao)。

還(huan)原制得含(han)稀土99%的(de)稀土金(jin)屬(shu)經真空精煉(lian)(lian)(包括真空蒸(zheng)餾或升華)、電(dian)(dian)傳輸(shu)、區域熔煉(lian)(lian)、熔鹽電(dian)(dian)解精煉(lian)(lian)等方法處(chu)理除去非稀土雜質后，本溪香檳金(jin)靶材，可獲(huo)得純度超過99.9%的(de)稀土金(jin)屬(shu)產品。

精鋁(lv)(lv)經過區(qu)熔提(ti)純(chun)，只能(neng)達到5 的(de)高純(chun)鋁(lv)(lv)，但如使用在有(you)機物(wu)電(dian)解液(ye)中(zhong)進行電(dian)解，可將(jiang)鋁(lv)(lv)提(ti)純(chun)到99.9995%，并(bing)可除去有(you)不(bu)利分配系(xi)數(shu)的(de)雜質(zhi)，然后(hou)進行區(qu)熔提(ti)純(chun)數(shu)次，就能(neng)達到接近于 7 的(de)純(chun)度(du)，雜質(zhi)總含(han)量(liang)<0.5ppm。這種(zhong)超純(chun)鋁(lv)(lv)除用于制備化合物(wu)半導體材料外(wai)，還在低(di)溫下有(you)高的(de)導電(dian)性(xing)能(neng)，可用于低(di)溫電(dian)磁(ci)設備。

制備化合物半導體的金(jin)(jin)屬如銦、磷，可利用氯化物精(jing)餾氫(qing)還(huan)原、電解精(jing)煉、區熔及(ji)拉(la)晶(jing)提純等方法制備超純金(jin)(jin)屬，總金(jin)(jin)屬雜質含量為 0.1～1ppm。其(qi)他金(jin)(jin)屬如銀、金(jin)(jin)、鎘、、鉑等也能達到≥6 的水平。