負占(zhan)空比對鈦合金微弧氧化膜(mo)層的影響

恒壓(ya)模式下，利用(yong)自制(zhi)的(de)(de)多功能微(wei)弧(hu)(hu)氧(yang)化設備在Na2SiO3—Na3PO4—NaOH電(dian)(dian)解液(ye)體(ti)系中制(zhi)備了鈦(tai)合金(jin)陶瓷(ci)膜(mo)(mo)(mo)，低電(dian)(dian)壓(ya)微(wei)弧(hu)(hu)氧(yang)化技術(shu)，采(cai)用(yong)掃描電(dian)(dian)鏡、X射線(xian)衍射儀等考察(cha)了負占空比(dc)對鈦(tai)合金(jin)微(wei)弧(hu)(hu)氧(yang)化膜(mo)(mo)(mo)厚度、表(biao)面形貌、硬(ying)度、相(xiang)組成(cheng)及耐蝕性的(de)(de)影響。結果表(biao)明：隨(sui)著dc的(de)(de)增(zeng)(zeng)加，微(wei)弧(hu)(hu)氧(yang)化技術(shu)，膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)厚度減小；膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)表(biao)面呈典(dian)型的(de)(de)多孔(kong)(kong)陶瓷(ci)結構，隨(sui)dc的(de)(de)增(zeng)(zeng)大(da)(da)，膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)表(biao)面微(wei)孔(kong)(kong)數量減少(shao)，孔(kong)(kong)徑增(zeng)(zeng)大(da)(da)且有裂紋產生；膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)相(xiang)組成(cheng)主(zhu)要(yao)為Ti、金(jin)紅石及銳鈦(tai)礦TiO2，在dc=45%時基體(ti)衍射峰消失。相(xiang)對基體(ti)而言，膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)的(de)(de)硬(ying)度及耐蝕性都具有較大(da)(da)的(de)(de)提高；隨(sui)dc增(zeng)(zeng)加，膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)硬(ying)度增(zeng)(zeng)強，耐蝕性有一定(ding)程度的(de)(de)減弱。

微弧氧(yang)化材料表面陶瓷化機理

微弧氧化是一種在高電壓、大電流下對金屬材料進行表面處理的技術。由于采用了較高的電壓(大于250 V)，在微弧氧化處理過程中，PEO技術微弧氧化，可在樣品材料表面觀察到光斑(弧光)現象。光斑十分細小，密度很大，且無固定位置。這種細小的光斑意味著在樣品材料表面形成了大量的等離子體微區，在微區內瞬間溫度可達2500℃以上，壓力可達數百個大氣壓，為上面提到的一系列化學、物理反應的進行創造了條件。利用這一環境可在材料表面生成具有一定厚度、致密的陶瓷氧化層，可用來改善材料自身的防腐、耐磨和電絕緣等特性。

微弧氧化工藝流程

1、預處理

預處理(li)(li)的原因是由于(yu)鋁(lv)、鐵等合(he)金長時間放置在(zai)空(kong)氣中，表(biao)(biao)面(mian)易發生氧(yang)(yang)化(hua)，生成一層幾(ji)個微米的鈍(dun)化(hua)膜，同時，其(qi)表(biao)(biao)面(mian)又極易吸附周圍環境中的雜質，形成表(biao)(biao)面(mian)吸附層。為保證微弧氧(yang)(yang)化(hua)后(hou)制得陶(tao)瓷膜的綜合(he)力學性(xing)能，在(zai)微弧氧(yang)(yang)化(hua)處理(li)(li)前要(yao)對試樣表(biao)(biao)面(mian)進行(xing)預處理(li)(li)。

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