公司成立于2013年(nian)7月，萬芯mos管(guan)(guan)廠家(jia)，專注從事單片(pian)機的(de)應(ying)用開發及(ji)生產(chan)，并(bing)提供(gong)全系列中低壓MOS及(ji)電源(yuan)、鋰(li)電IC等的(de)銷售(shou)，萬芯mos管(guan)(guan)報價，在LED及(ji)小家(jia)電等消費類電子產(chan)品上應(ying)用廣泛，為(wei)您量身定制適合的(de)芯片(pian)方案。

MOS管(guan)(guan)(guan)可(ke)(ke)以用作可(ke)(ke)變(bian)電(dian)阻(zu)(zu)也(ye)可(ke)(ke)應(ying)用于放大。由于場效應(ying)管(guan)(guan)(guan)放大器的輸(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗(kang)很高(gao)，因此(ci)耦合電(dian)容(rong)可(ke)(ke)以容(rong)量較小，不(bu)必使用電(dian)解電(dian)容(rong)器。且場效應(ying)管(guan)(guan)(guan)很高(gao)的輸(shu)(shu)入阻(zu)(zu)抗(kang)非(fei)常適合作阻(zu)(zu)抗(kang)變(bian)換。常用于多級(ji)放大器的輸(shu)(shu)入級(ji)作阻(zu)(zu)抗(kang)變(bian)換。場效應(ying)管(guan)(guan)(guan)可(ke)(ke)以方便地用作恒流源也(ye)可(ke)(ke)以用作電(dian)子(zi)開關。

公司成立于2013年7月，專(zhuan)注(zhu)從(cong)事單片(pian)機的(de)應用開發及生(sheng)產，并提供全(quan)系列中低壓(ya)MOS及電源、鋰電IC等(deng)的(de)銷售，在LED及小家電等(deng)消費類電子產品上應用廣(guang)泛，為您量身定制適(shi)合的(de)芯片(pian)方案。

mos管失效(xiao)的六個原因(yin)：

1、電(dian)壓(ya)失(shi)(shi)效(xiao)是大家常(chang)說漏(lou)源間的(de)BVdss電(dian)壓(ya)超出了(le)mosfet的(de)額(e)定(ding)電(dian)壓(ya)，而(er)且(qie)超出了(le)一定(ding)的(de)能力進而(er)導致mosfet失(shi)(shi)效(xiao)。

2、電(dian)流失(shi)效即(ji)是超過了(le)mosfet安(an)全工作(zuo)范圍(wei)而造成的(de)無效，其中又(you)分為(wei)Id超出器(qi)件(jian)規格而導致的(de)失(shi)效以(yi)及其Id過大，耗損過高導致器(qi)件(jian)長(chang)期熱(re)累積(ji)而導致的(de)失(shi)效。

3、在橋式(shi)、LLC等(deng)有效到(dao)體(ti)二極管開展續流的拓撲結構中，萬芯(xin)mos管價(jia)格，因(yin)為體(ti)二極管遭到(dao)毀壞而導(dao)致的無效。

4、在并聯的(de)應用過程中，柵極跟電路(lu)寄生參數(shu)導致波動(dong)會造成諧振失效。

5、在干燥的(de)環境中，萬(wan)芯mos管，因(yin)為(wei)人體跟設備而產生的(de)靜(jing)電會導致器件(jian)的(de)靜(jing)電無效。

6、因(yin)為(wei)柵極出現(xian)異常工(gong)作電壓頂i峰，導致柵極電壓無效。

公(gong)司成立于2013年7月(yue)，專注(zhu)從事單片機的(de)應(ying)用開發及生(sheng)產(chan)，并提(ti)供全(quan)系列中低壓(ya)MOS及電源、鋰電IC等的(de)銷售，在LED及小家電等消費類電子產(chan)品(pin)上應(ying)用廣泛(fan)，為您量身(shen)定制(zhi)適合的(de)芯片方案。

MOS，是MOSFET的縮寫(xie)。MOSFET金(jin)屬-氧化物半導體(ti)場(chang)效應(ying)晶體(ti)管，簡稱金(jin)氧半場(chang)效晶體(ti)管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。