近年，銀鈀(ba)靶材，隨著圖(tu)(tu)像(xiang)質(zhi)量(liang)的(de)(de)提高，色(se)粉直徑(jing)也越來越小。在(zai)微孔(kong)(kong)孔(kong)(kong)徑(jing)較(jiao)大(da)的(de)(de)發(fa)泡輥筒中，銀鈀(ba)靶材廠，色(se)粉進入輥筒的(de)(de)微孔(kong)(kong)內不易去除，所以(yi)存在(zai)圖(tu)(tu)像(xiang)混亂(luan)的(de)(de)問題(ti)。因(yin)此，對于使(shi)用微細色(se)粉的(de)(de)高畫質(zhi)復印機和打印機用輥筒，特(te)別(bie)是色(se)粉供給輥，要求更(geng)細的(de)(de)微孔(kong)(kong)。在(zai)制造發(fa)泡輥筒時，哪家有銀鈀(ba)靶材，與間歇式方法(fa)相比，連續硫化處理法(fa)的(de)(de)優(you)點是能夠使(shi)發(fa)泡微孔(kong)(kong)的(de)(de)直徑(jing)更(geng)小。以(yi)往(wang)的(de)(de)導(dao)電(dian)輥使(shi)用了不會因(yin)其中的(de)(de)導(dao)電(dian)性(xing)填(tian)充劑的(de)(de)不均(jun)(jun)勻而導(dao)致電(dian)阻值不均(jun)(jun)勻的(de)(de)離子導(dao)電(dian)性(xing)橡膠(jiao)，但是問題(ti)在(zai)于很難采用經(jing)濟(ji)上及效率上都(dou)有利(li)的(de)(de)連續硫化法(fa)進行制造。

平面顯示器(qi)(qi)（FPD)這些(xie)年來大幅沖擊以陰極射(she)線管(CRT)為主的電腦顯示器(qi)(qi)及電視機市(shi)(shi)場(chang)，亦(yi)將帶動ITO靶(ba)材(cai)的技術與(yu)市(shi)(shi)場(chang)需(xu)求。如今(jin)的iTO靶(ba)材(cai)有兩種(zhong)．一種(zhong)是采(cai)用納(na)米狀態的氧(yang)化(hua)銦混合后燒結，一種(zhong)是采(cai)用銦錫合金(jin)靶(ba)材(cai)。銦錫臺金(jin)靶(ba)材(cai)可以采(cai)用直流反(fan)應濺射(she)制造ITO薄(bo)膜，但是靶(ba)表面會氧(yang)化(hua)而影(ying)響濺射(she)率，并且不易得到大尺寸(cun)的臺金(jin)靶(ba)材(cai)。如今(jin)一般(ban)采(cai)取方法生產ITO靶(ba)材(cai)，利用L}IRF反(fan)應濺射(she)鍍膜．它具有沉積速(su)度快．且能控制膜厚(hou)，銀鈀靶(ba)材(cai)報價，電導(dao)率高(gao)，薄(bo)膜的一致性好，與(yu)基(ji)板的附著力(li)強(qiang)等優點。

眾所(suo)(suo)周知，靶(ba)(ba)(ba)(ba)材材料的(de)技術發(fa)(fa)展趨(qu)(qu)勢(shi)與下(xia)游(you)應(ying)(ying)用(yong)產業(ye)的(de)薄膜(mo)技術發(fa)(fa)展趨(qu)(qu)勢(shi)息息相(xiang)關，隨(sui)著(zhu)應(ying)(ying)用(yong)產業(ye)在(zai)(zai)薄膜(mo)產品或元件上的(de)技術改進，靶(ba)(ba)(ba)(ba)材技術也(ye)應(ying)(ying)隨(sui)之變化。如Ic制(zhi)造(zao)商．近段時間致(zhi)力(li)于低電(dian)(dian)(dian)阻率銅布線的(de)開(kai)發(fa)(fa)，預計(ji)未來(lai)幾年將(jiang)大(da)幅(fu)度(du)取代原來(lai)的(de)鋁膜(mo)，這樣銅靶(ba)(ba)(ba)(ba)及其所(suo)(suo)需(xu)阻擋(dang)層靶(ba)(ba)(ba)(ba)材的(de)開(kai)發(fa)(fa)將(jiang)刻不容(rong)緩。另外，近年來(lai)平面顯示(shi)器（FPD）大(da)幅(fu)度(du)取代原以(yi)陰極射(she)線管(guan)（CRT）為(wei)主(zhu)(zhu)的(de)電(dian)(dian)(dian)腦(nao)顯示(shi)器及電(dian)(dian)(dian)視機市(shi)場．亦將(jiang)大(da)幅(fu)增加ITO靶(ba)(ba)(ba)(ba)材的(de)技術與市(shi)場需(xu)求(qiu)(qiu)。此(ci)外在(zai)(zai)存(cun)儲技術方(fang)面。高(gao)(gao)密度(du)、大(da)容(rong)量硬盤(pan)，高(gao)(gao)密度(du)的(de)可擦寫光盤(pan)的(de)需(xu)求(qiu)(qiu)持續增加．這些均導致(zhi)應(ying)(ying)用(yong)產業(ye)對(dui)靶(ba)(ba)(ba)(ba)材的(de)需(xu)求(qiu)(qiu)發(fa)(fa)生變化。下(xia)面我們將(jiang)分別介紹靶(ba)(ba)(ba)(ba)材的(de)主(zhu)(zhu)要(yao)應(ying)(ying)用(yong)領域，以(yi)及這些領域靶(ba)(ba)(ba)(ba)材發(fa)(fa)展的(de)趨(qu)(qu)勢(shi)。