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公司(si)成立于2013年7月(yue),專注從事(shi)單片機(ji)的應(ying)用(yong)開發及生產,并(bing)提供全系(xi)列中低壓MOS及電(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)IC等(deng)(deng)的銷售,在LED及小(xiao)家電(dian)(dian)等(deng)(deng)消費類電(dian)(dian)子產品上(shang)應(ying)用(yong)廣泛,為您量(liang)身定制適合的芯片方案。
用電源IC立即驅動MOS管
一個好的MOS管驅動(dong)電路有下面幾(ji)點(dian)規定:
(1)開(kai)(kai)關(guan)管(guan)啟用(yong)瞬間(jian),驅動(dong)電(dian)(dian)路應能輸出非常大的電(dian)(dian)流,2090mos,使MOS管(guan)柵源極間(jian)工(gong)作(zuo)電(dian)(dian)壓快速升高(gao)(gao)到所(suo)需值,確(que)保開(kai)(kai)關(guan)管(guan)能迅速開(kai)(kai)啟且不會有(you)上升沿的高(gao)(gao)頻率震蕩。
(2)電源開關通斷期內,驅動電路能確保MOS管柵源極間工作(zuo)電壓長期保持,且有效(xiao)通導。
(3)關(guan)閉一瞬間驅動電路(lu),能(neng)供應(ying)一個盡(jin)量低阻抗的(de)通(tong)道,供MOS管柵源極間電容工(gong)作(zuo)電壓(ya)的(de)迅速(su)泄流,確保開關(guan)管能(neng)迅速(su)關(guan)閉。
(4)驅動電路構造簡易靠譜、耗損小。
(5)依據具體(ti)情況開展防護。
在控制(zhi)模塊電源(yuan)(yuan)中(zhong),常(chang)見的(de)是電源(yuan)(yuan)IC直接驅動(dong)MOS管(guan)。應用中(zhong),應當留(liu)意較(jiao)大(da)驅動(dong)高(gao)值電流量、MOS管(guan)的(de)分(fen)(fen)布(bu)電容(rong)2個主要參(can)數。電源(yuan)(yuan)IC的(de)驅動(dong)能(neng)力、MOS分(fen)(fen)布(bu)電容(rong)尺寸(cun)、驅動(dong)電阻器電阻值都(dou)將危害MOS管(guan)電源(yuan)(yuan)開關速率。假如挑(tiao)選MOS管(guan)分(fen)(fen)布(bu)電容(rong)較(jiao)為大(da),電源(yuan)(yuan)IC內(nei)部(bu)的(de)驅動(dong)能(neng)力又不夠時,WP2090mos,必須(xu)在驅動(dong)電路(lu)上提高(gao)驅動(dong)能(neng)力,常(chang)應用圖騰柱電源(yuan)(yuan)電路(lu)提升電源(yuan)(yuan)IC驅動(dong)能(neng)力。
MOSFET管(guan)有兩個電極,一(yi)個是金(jin)屬,另一(yi)個是外在(zai)硅,他們之(zhi)間由一(yi)薄層二(er)氧化硅分隔開(kai)。MOSFET管(guan)一(yi)般(ban)被生產制造(zao)為四種(zhong)類(lei)型,2090mos公司,分別(bie)是增(zeng)強型和耗盡型、P溝(gou)道和N溝(gou)道這四種(zhong),2090mos廠家,但其實(shi)在(zai)實(shi)際的(de)運用中一(yi)般(ban)只(zhi)用增(zeng)強型的(de)N溝(gou)道和增(zeng)強型的(de)P溝(gou)道MOS管(guan),因此一(yi)般(ban)情(qing)況下只(zhi)要提及NMOS或是PMOS便(bian)是指的(de)是這兩種(zhong)。
針對這兩(liang)種(zhong)增(zeng)強(qiang)型的MOS管(guan),其中(zhong)(zhong)較(jiao)為普遍使用的是NMOS —— 原因是增(zeng)強(qiang)型的N溝道(dao)MOS管(guan)的導通(tong)電阻(zu)更小,并且生產簡便,因此在開關電源(yuan)和電機驅動(dong)的運用中(zhong)(zhong),我(wo)們(men)一般使用增(zeng)強(qiang)型的N溝道(dao)MOS管(guan)。
MOS管的(de)(de)三個管腳中(zhong)(zhong)有寄(ji)生(sheng)電(dian)容的(de)(de)存在,雖然(ran)說這(zhe)并(bing)不是大家所需(xu)要的(de)(de),但(dan)其(qi)(qi)中(zhong)(zhong)生(sheng)產制(zhi)造加工(gong)工(gong)藝(yi)需(xu)要寄(ji)生(sheng)電(dian)容的(de)(de)存在。有了寄(ji)生(sheng)電(dian)容,這(zhe)讓(rang)其(qi)(qi)設計方案或挑選驅動電(dian)源電(dian)路的(de)(de)情況(kuang)下會(hui)更麻煩一些,其(qi)(qi)中(zhong)(zhong)還沒有解決的(de)(de)辦法能(neng)避免。
在MOS管(guan)的(de)漏極(ji)和源極(ji)中有一個寄生二(er)極(ji)管(guan)叫做(zuo)體(ti)二(er)極(ji)管(guan),就驅動感性負載(zai)來(lai)說,二(er)極(ji)管(guan)對其十分重要。順帶說一句(ju),體(ti)二(er)極(ji)管(guan)只(zhi)在單獨的(de)MOS管(guan)內(nei)(nei)存(cun)在,在集(ji)成電路(lu)芯片內(nei)(nei)部一般都是(shi)沒有的(de)。
公(gong)司(si)成立于2013年7月(yue),專注從事單片(pian)機的應用(yong)開發及(ji)生(sheng)產(chan),并提供全系列(lie)中低壓(ya)MOS及(ji)電源、鋰電IC等(deng)的銷售,在LED及(ji)小(xiao)家電等(deng)消費類電子產(chan)品上應用(yong)廣泛,為您量身定制適合的芯片(pian)方案。
MOS 管(guan)本(ben)身有(you)著諸多(duo)優(you)勢,但同(tong)時(shi)(shi)MOS管(guan)具備較敏感的短時(shi)(shi)過載能力,特別是在高頻率的運用場(chang)景(jing),因此在運用功(gong)率 MOS 管(guan)務必(bi)為其制定有(you)效的保護(hu)電路來提升器(qi)件的穩定性。
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