從(cong)結構和材料(liao)來看，MLCC陶(tao)瓷電容(rong)(rong)(rong)是由多層介(jie)(jie)質和多對電極(ji)構成的(de)，具(ju)有陶(tao)瓷介(jie)(jie)質、金(jin)屬內電極(ji)和金(jin)屬外電極(ji)。而普通電容(rong)(rong)(rong)器，如電解(jie)電容(rong)(rong)(rong)、鋁電解(jie)電容(rong)(rong)(rong)等，其結構可能與MLCC有所不同。陶(tao)瓷電容(rong)(rong)(rong)以陶(tao)瓷材料(liao)作(zuo)為(wei)介(jie)(jie)質進(jin)行存儲電荷和能量(liang)(liang)，具(ju)有體(ti)積(ji)小、重量(liang)(liang)輕、穩定性(xing)好、高頻(pin)低損耗等優點。

陶瓷電(dian)容(rong)的漏(lou)電(dian)流與(yu)其內(nei)部結(jie)構、溫度、電(dian)壓和頻(pin)率等(deng)因素有關。

1、陶瓷電容的內部結構

電(dian)(dian)(dian)容器(qi)內部存在多個(ge)電(dian)(dian)(dian)極和電(dian)(dian)(dian)介質層(ceng)，這些電(dian)(dian)(dian)介質層(ceng)之間(jian)可能會(hui)存在細(xi)微的缺陷(xian)或裂紋(wen)，從而導致(zhi)電(dian)(dian)(dian)容器(qi)的漏電(dian)(dian)(dian)流增加。

2、陶瓷電容溫度的變化

當溫(wen)度升高時(shi)，電(dian)容(rong)器的(de)(de)電(dian)介質層會出現微小的(de)(de)物理變化，可能導致漏電(dian)流(liu)增加。

3、高電壓和高頻率

在(zai)高(gao)電(dian)壓作用下，電(dian)介質層中的電(dian)子動能增加，也(ye)會使漏電(dian)流增大。

在高頻率(lv)下，陶(tao)瓷電(dian)容內部的(de)(de)電(dian)介(jie)質會發(fa)生(sheng)極化與(yu)去極化的(de)(de)現象，同樣可能導致漏電(dian)流的(de)(de)發(fa)生(sheng)。

1類電容具有(you)以下特(te)性：

線性溫(wen)度系數：其電(dian)容(rong)量隨(sui)溫(wen)度呈線性變(bian)化。

無(wu)電(dian)壓依賴(lai)性：其電(dian)容量不依賴(lai)于所施加的電(dian)壓。

無老(lao)化：由于制造(zao)中使用的是順電(dian)位材(cai)料，因此它們不會經歷嚴重的老(lao)化過(guo)程。

無(wu)電(dian)力損耗：與2類電(dian)容(rong)相比，1類電(dian)容(rong)的(de)電(dian)損耗要低得多。

用于(yu)高Q濾(lv)波器：鑒(jian)于(yu)上述特性，此類電容常(chang)被用于(yu)諧振電路、PLL和振蕩器等應用中。

高穩定性和度：根據 RS-198標準，它們會使用3位數符號來表示(shi)其使用的電介質，如(ru)C0G。