公司成(cheng)立于(yu)2013年(nian)7月，專注從事(shi)單片(pian)(pian)機(ji)的應用(yong)開發(fa)及(ji)生(sheng)產，并提供全系列中低壓MOS及(ji)電源、鋰電IC等的銷售，在LED及(ji)小家電等消費類電子產品(pin)上應用(yong)廣泛，為您量身(shen)定制適合的芯片(pian)(pian)方案。

用電源IC立即驅(qu)動MOS管

一(yi)個好的(de)MOS管驅動電路有下面幾點規定(ding)：

（1）開關(guan)管啟用瞬間(jian)(jian)，驅(qu)動(dong)電路應能輸出非常大的電流，使MOS管柵(zha)源極間(jian)(jian)工作電壓快(kuai)速升高到所需(xu)值，確保開關(guan)管能迅(xun)速開啟且不會有上升沿的高頻(pin)率震蕩(dang)。

（2）電源(yuan)開關通斷(duan)期(qi)內，驅(qu)動電路(lu)能(neng)確保MOS管柵源(yuan)極間工(gong)作電壓長期(qi)保持，且有效(xiao)通導。

（3）關閉(bi)一瞬間(jian)(jian)驅動電(dian)路，能(neng)供(gong)應一個盡(jin)量低阻抗的(de)通道，供(gong)MOS管柵源(yuan)極間(jian)(jian)電(dian)容工作(zuo)電(dian)壓的(de)迅(xun)速泄流，確保開關管能(neng)迅(xun)速關閉(bi)。

（4）驅動電(dian)路(lu)構造簡易(yi)靠譜、耗損小(xiao)。

（5）依據具體情況開展防護。

在控(kong)制(zhi)模塊(kuai)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)中，常(chang)見的(de)是(shi)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)IC直接驅(qu)(qu)動(dong)MOS管(guan)。應(ying)用中，應(ying)當留意較大驅(qu)(qu)動(dong)高(gao)值電(dian)(dian)(dian)流量(liang)、MOS管(guan)的(de)分布電(dian)(dian)(dian)容2個主要參數。電(dian)(dian)(dian)源(yuan)IC的(de)驅(qu)(qu)動(dong)能(neng)力(li)(li)、MOS分布電(dian)(dian)(dian)容尺寸、驅(qu)(qu)動(dong)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)器電(dian)(dian)(dian)阻(zu)值都將危害MOS管(guan)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)開關速率。假(jia)如挑選MOS管(guan)分布電(dian)(dian)(dian)容較為大，電(dian)(dian)(dian)源(yuan)IC內部(bu)的(de)驅(qu)(qu)動(dong)能(neng)力(li)(li)又不夠時，必須在驅(qu)(qu)動(dong)電(dian)(dian)(dian)路(lu)上(shang)提高(gao)驅(qu)(qu)動(dong)能(neng)力(li)(li)，常(chang)應(ying)用圖騰柱(zhu)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)路(lu)提升電(dian)(dian)(dian)源(yuan)IC驅(qu)(qu)動(dong)能(neng)力(li)(li)。

公司成立于2013年7月，專(zhuan)注(zhu)從事單片(pian)(pian)機的(de)(de)應用(yong)開發及生產，并提供全系(xi)列中低壓(ya)MOS及電源(yuan)、鋰電IC等(deng)的(de)(de)銷售，在LED及小家電等(deng)消費類電子產品上應用(yong)廣泛，為您量身定制適(shi)合的(de)(de)芯片(pian)(pian)方案。

mos管小電(dian)流(liu)發熱(re)的緣故

1、電(dian)(dian)路原理的(de)(de)難(nan)題，便是(shi)讓MOS管(guan)(guan)工(gong)作(zuo)中在線(xian)形的(de)(de)運行狀態，而(er)不是(shi)在開關情況。這(zhe)也(ye)是(shi)造(zao)成 MOS管(guan)(guan)發熱的(de)(de)一個緣(yuan)故(gu)。假如N-MOS做開關，G級工(gong)作(zuo)電(dian)(dian)壓(ya)要比開關電(dian)(dian)源高幾(ji)V，才可(ke)以(yi)徹i底(di)通斷，中低壓(ya)mos價格，P-MOS則反過來。沒有徹i底(di)開啟而(er)損(sun)耗(hao)過大(da)導致輸出功率耗(hao)費，等效電(dian)(dian)路直流電(dian)(dian)特性阻抗較為大(da)，損(sun)耗(hao)擴大(da)，因此U*I也(ye)擴大(da)，耗(hao)損(sun)就代表著發熱。這(zhe)也(ye)是(shi)設計方案控制電(dian)(dian)路的(de)(de)避諱的(de)(de)不正確。

2、頻(pin)(pin)率太(tai)高(gao)，主要是有時(shi)候太(tai)過追求(qiu)完i美容積(ji)，造成(cheng) 頻(pin)(pin)率提(ti)升，MOS管上的消耗(hao)擴大了(le)，因此發(fa)熱也增加了(le)。

3、沒有做(zuo)到(dao)充(chong)足(zu)的(de)(de)(de)排熱設計(ji)方案(an)，電(dian)流太高(gao)，MOS管(guan)允(yun)差的(de)(de)(de)電(dian)流值(zhi)，一般(ban)必須保持良好的(de)(de)(de)排熱才(cai)可以(yi)做(zuo)到(dao)。因(yin)此(ci)ID低于較大電(dian)流，中低壓mos，也很有可能發熱比較嚴重，必須充(chong)足(zu)的(de)(de)(de)輔(fu)助散熱器(qi)。

4、MOS管(guan)的(de)型號選擇不正確(que)，對輸出功率(lv)分辨不正確(que)，MOS管(guan)內電(dian)阻沒有考慮到，中低壓(ya)mos萬芯半導體，造成開關特性(xing)阻抗擴大。

公(gong)司成(cheng)立于2013年7月，專注從事(shi)單(dan)片機(ji)的應用開發及生產(chan)，并提供全系列中(zhong)低壓(ya)MOS及電(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)IC等(deng)的銷售，在LED及小家電(dian)(dian)等(deng)消費類電(dian)(dian)子(zi)產(chan)品上(shang)應用廣泛，為您(nin)量身定制適合的芯(xin)片方案。

場(chang)(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)(guan)(guan)通過(guo)投影一(yi)個電場(chang)(chang)在一(yi)個絕緣層(ceng)上來影響流(liu)(liu)(liu)過(guo)晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)的(de)電流(liu)(liu)(liu)。事實上沒有(you)電流(liu)(liu)(liu)流(liu)(liu)(liu)過(guo)這個絕緣體(ti)(ti)，WP中(zhong)低壓(ya)mos，所(suo)以FET管(guan)(guan)(guan)的(de)GATE電流(liu)(liu)(liu)非(fei)常(chang)小。普通的(de)FET用一(yi)薄層(ceng)二氧(yang)化硅來作(zuo)為(wei)GATE極下的(de)絕緣體(ti)(ti)。這種晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)稱為(wei)金屬氧(yang)化物半(ban)導體(ti)(ti)(MOS)晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)，或，金屬氧(yang)化物半(ban)導體(ti)(ti)場(chang)(chang)效(xiao)應(ying)管(guan)(guan)(guan)（MOSFET）。因為(wei)MOS管(guan)(guan)(guan)更小更省電，所(suo)以他們(men)已經(jing)在很多應(ying)用場(chang)(chang)合取代了雙(shuang)極型(xing)晶體(ti)(ti)管(guan)(guan)(guan)。