公(gong)司成立于2013年7月，專注從(cong)事單片機的(de)應用(yong)開發(fa)及(ji)生產(chan)，并提供全系列中低壓MOS及(ji)電源、鋰電IC等(deng)的(de)銷售，在LED及(ji)小家電等(deng)消費(fei)類電子(zi)產(chan)品上應用(yong)廣泛(fan)，為(wei)您量身定制(zhi)適合(he)的(de)芯片方(fang)案。

判定柵極

用(yong)萬用(yong)表的黑(hei)表筆去(qu)觸(chu)碰(peng)管(guan)子的隨意(yi)一個電極，紅(hong)表筆分別去(qu)觸(chu)碰(peng)另外的兩(liang)個電極。如果兩(liang)次(ci)都測出的阻值較(jiao)小，說明兩(liang)者都是正(zheng)向電阻，該管(guan)屬于(yu)是N溝道的場(chang)效(xiao)應管(guan)，黑(hei)表筆接觸(chu)的一樣也(ye)是柵極。

制作的(de)(de)(de)過程中就決定了場效應(ying)管(guan)的(de)(de)(de)漏極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)是對稱的(de)(de)(de) ，可以互相交換使用(yong) ，并不(bu)會影響電(dian)路的(de)(de)(de)使用(yong)，電(dian)路此時也是正常的(de)(de)(de)，mos生產廠家，所以不(bu)用(yong)去過度區分。漏極(ji)(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)(ji)之間的(de)(de)(de)電(dian)阻大(da)約是幾千歐。不(bu)能使用(yong)這(zhe)個方法去判斷(duan)絕緣(yuan)柵型場效應(ying)管(guan)的(de)(de)(de)柵極(ji)(ji)(ji)。因(yin)為這(zhe)管(guan)子(zi)輸入(ru)的(de)(de)(de)電(dian)阻是極(ji)(ji)(ji)高的(de)(de)(de)，而且柵源(yuan)之間的(de)(de)(de)極(ji)(ji)(ji)間電(dian)容(rong)(rong)又是非常小的(de)(de)(de)，測量(liang)的(de)(de)(de)時候只要有(you)少量(liang)電(dian)荷，就可以在極(ji)(ji)(ji)間電(dian)容(rong)(rong)上面(mian)形成(cheng)極(ji)(ji)(ji)高的(de)(de)(de)電(dian)壓，管(guan)子(zi)將很容(rong)(rong)易損壞。

電子(zi)(zi)元器件(jian)都(dou)有電氣參數，在選型(xing)時要給電子(zi)(zi)元器件(jian)留出足夠的(de)(de)余量，才能保證電子(zi)(zi)元器件(jian)的(de)(de)穩定性(xing)和長(chang)期運行。接下(xia)(xia)來簡要介紹一下(xia)(xia)三極管(guan)和MOS管(guan)的(de)(de)選型(xing)方法。

三極管是一種(zhong)流控型器件，MOS管是壓(ya)控型器件，兩(liang)者之間有相似(si)之處，在選擇時需要(yao)考慮耐壓(ya)、電流等參數(shu)。

1、根據耐壓選型

三極管的(de)集電極C與發(fa)射極E之間能承(cheng)受(shou)的(de)電壓參(can)數(shu)為(wei)V(BR)CEO，臺州(zhou)mos，工作時CE之間的(de)電壓不得超過規定(ding)值，否(fou)則三極管將永i久損壞。

在(zai)使(shi)用過(guo)程中，MOS管(guan)(guan)的漏極(ji)(ji)D與源極(ji)(ji)S之間(jian)也存在(zai)電壓(ya)，工作時(shi)DS兩(liang)端的電壓(ya)不能超過(guo)規定值。一般來(lai)說，MOS管(guan)(guan)的耐壓(ya)值遠(yuan)高于三極(ji)(ji)管(guan)(guan)。

2、過電流能力

三(san)極(ji)(ji)管(guan)有ICM參數，即集電(dian)極(ji)(ji)的(de)(de)過(guo)(guo)電(dian)流(liu)(liu)能(neng)力，MOS管(guan)的(de)(de)過(guo)(guo)電(dian)流(liu)(liu)能(neng)力以ID來(lai)表示(shi)。當電(dian)流(liu)(liu)工作時(shi)，mos公司，流(liu)(liu)過(guo)(guo)三(san)極(ji)(ji)管(guan)/MOS管(guan)的(de)(de)電(dian)流(liu)(liu)不能(neng)超過(guo)(guo)規定值，否則器件將會被燒壞。

考慮到工作穩定(ding)性，一般要留出30%-50%，甚至更多(duo)的余量。

3、工作溫度

商業級芯片(pian)：一般范(fan)圍在0到(dao)+70℃；

工業級(ji)芯片:一般范圍在(zai)-40到+85℃；

軍i工級(ji)芯片：一般范圍在-55℃到+150℃；

在進行MOS管選(xuan)型時，要根據產品的使用場合(he)(he)選(xuan)擇合(he)(he)適的芯片。

4、根(gen)據(ju)開關頻(pin)率選擇

三極(ji)管和MOS管都有開關頻率(lv)/響(xiang)應時間的參數。如果用于(yu)高頻電路中，必(bi)須考(kao)慮開關管的響(xiang)應時間是否符合使用條件。

5、其他選型條件

例如，MOS管的導通電(dian)(dian)阻Ron參數(shu)、MOS管的VTH開(kai)啟電(dian)(dian)壓等。

MOS管失效的兩個(ge)主要原因：

電壓失效：即漏源(yuan)間的BVdss電壓超過MOS管(guan)額定電壓，達到一(yi)定容量，造成MOS管(guan)失效。

柵電壓(ya)(ya)故障：柵極遭受異常電壓(ya)(ya)尖(jian)峰(feng)，造(zao)成柵氧層故障。

雪(xue)崩破壞到底是(shi)什么？簡(jian)單地(di)說，mos萬芯半(ban)導(dao)體，MOS管是(shi)由母線電(dian)壓(ya)、變壓(ya)器反射電(dian)壓(ya)、漏感尖(jian)峰電(dian)壓(ya)等(deng)與(yu)MOS管之間(jian)疊加而形成的(de)故(gu)障模式(shi)。簡(jian)而言之，即MOS管漏源(yuan)極的(de)電(dian)壓(ya)超過了它(ta)規定的(de)電(dian)壓(ya)值，并(bing)且達到了某一能量極限(xian)i時所產生的(de)常(chang)見故(gu)障。

造成柵電(dian)壓異(yi)常(chang)高(gao)(gao)的(de)主要(yao)原因(yin)有三個(ge)：生產(chan)、運輸和裝配過程(cheng)中的(de)靜電(dian)；設備和電(dian)路(lu)寄生參數在(zai)電(dian)力系統運行過程(cheng)中產(chan)生高(gao)(gao)壓諧振；在(zai)高(gao)(gao)壓沖擊時(shi)，高(gao)(gao)壓通過Ggd傳輸到電(dian)網(雷擊測試時(shi)這(zhe)種故(gu)障更為常(chang)見(jian))。