晶(jing)體振蕩器頻(pin)率控制方法(fa)

振(zhen)蕩器(qi)(qi)可通過(guo)直(zhi)接(jie)牽(qian)(qian)引(yin)頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)或使用(yong)高(gao)(gao)分辨率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)鎖相環(huan)調(diao)整頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)來實(shi)現頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)控制(zhi)。直(zhi)接(jie)牽(qian)(qian)引(yin)頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de) VCXO用(yong)調(diao)整變容二極管電(dian)壓來改變諧(xie)(xie)振(zhen)電(dian)路電(dian)容，而直(zhi)接(jie)牽(qian)(qian)引(yin)頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de)DCXO通過(guo)可編程開關切換不同的(de)(de)(de)諧(xie)(xie)振(zhen)電(dian)容。使用(yong)石(shi)英(ying)晶(jing)體(ti)諧(xie)(xie)振(zhen)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)VCXO直(zhi)接(jie)牽(qian)(qian)引(yin)頻(pin)(pin) 率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)調(diao)整可以(yi)保持低相位(wei)噪(zao)聲，但(dan)牽(qian)(qian)引(yin)范(fan)圍(wei)被限(xian)制(zhi)在約(yue)±200ppm。當系統應用(yong)需要(yao)更寬的(de)(de)(de)頻(pin)(pin)率(lv)(lv)(lv)(lv)(lv)牽(qian)(qian)引(yin)范(fan)圍(wei)和與晶(jing)體(ti)振(zhen)蕩器(qi)(qi)相近的(de)(de)(de)低噪(zao)聲特性(xing)時(shi)，溫補晶(jing)振(zhen)廠家，用(yong)戶(hu)更傾向于選(xuan)擇 基于鎖相環(huan)的(de)(de)(de)MEMS控制(zhi)振(zhen)蕩器(qi)(qi)架構，因為它們可以(yi)提(ti)供高(gao)(gao)達±1600ppm的(de)(de)(de)牽(qian)(qian)引(yin)范(fan)圍(wei)。

什么是溫補振蕩器

TCXO溫(wen)(wen)(wen)補晶振是(shi)通(tong)過其附加的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)補償(chang)電路使周(zhou)圍溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)變化(hua)產生的(de)(de)(de)振蕩頻(pin)率變化(hua)量削減的(de)(de)(de)一(yi)種石英晶體振蕩器。它的(de)(de)(de)溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)補償(chang)的(de)(de)(de)原理呢就是(shi)通(tong)過改變振蕩回路中的(de)(de)(de)負載電容，使其隨溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)變化(hua)來補償(chang)諧(xie)振器由于環境溫(wen)(wen)(wen)度(du)(du)變化(hua)所產生的(de)(de)(de)頻(pin)率漂移(yi)。

晶振的(de)(de)(de)作用是(shi)為系(xi)統(tong)提(ti)供基(ji)本的(de)(de)(de)時(shi)鐘信號。通常一(yi)(yi)個(ge)系(xi)統(tong)共用一(yi)(yi)個(ge)晶振，便于各部分保持同(tong)(tong)步(bu)。有些通訊系(xi)統(tong)的(de)(de)(de)基(ji)頻(pin)(pin)和射頻(pin)(pin)使用不同(tong)(tong)的(de)(de)(de)晶振，而通過電子調(diao)整頻(pin)(pin)率的(de)(de)(de)方(fang)法保持同(tong)(tong)步(bu)。

晶振(zhen)通常與(yu)(yu)鎖(suo)相環電(dian)路配合使用，以提供系統(tong)所需的時(shi)鐘頻(pin)(pin)率(lv)。如(ru)果不同(tong)子系統(tong)需要不同(tong)頻(pin)(pin)率(lv)的時(shi)鐘信號，可(ke)以用與(yu)(yu)同(tong)一個晶振(zhen)相連的不同(tong)鎖(suo)相環來提供。

其對溫度(du)穩定(ding)性的(de)(de)(de)(de)解決方案采用(yong)(yong)了(le)一(yi)些溫度(du)補(bu)(bu)償(chang)(chang)(chang)(chang)手段(duan)，溫補(bu)(bu)晶(jing)振(zhen)(zhen)生產廠家(jia)，主要原理(li)是(shi)通過感應環境溫度(du)，將溫度(du)信息做適當(dang)變換(huan)后(hou)控制(zhi)晶(jing)振(zhen)(zhen)的(de)(de)(de)(de)輸出頻率(lv)，達(da)到穩定(ding)輸出頻率(lv)的(de)(de)(de)(de)效果。傳(chuan)統的(de)(de)(de)(de) TCXO是(shi)采用(yong)(yong)模擬(ni)器件進行補(bu)(bu)償(chang)(chang)(chang)(chang)，隨著補(bu)(bu)償(chang)(chang)(chang)(chang)技術的(de)(de)(de)(de)發(fa)展，很多數(shu)字(zi)化(hua)補(bu)(bu)償(chang)(chang)(chang)(chang)大TCXO開(kai)始(shi)出現(xian)，這種數(shu)字(zi)化(hua)補(bu)(bu)償(chang)(chang)(chang)(chang)的(de)(de)(de)(de)TCXO又叫DTCXO，用(yong)(yong)單片機進行補(bu)(bu)償(chang)(chang)(chang)(chang)時我(wo)們稱之(zhi)為(wei)MCXO，由于采用(yong)(yong)了(le)數(shu)字(zi)化(hua)技術，溫補(bu)(bu)晶(jing)振(zhen)(zhen)單價(jia)，這一(yi)類型的(de)(de)(de)(de)晶(jing)振(zhen)(zhen)再溫度(du)特(te)性上(shang)達(da)到了(le)很高的(de)(de)(de)(de)精度(du)，并且能夠(gou)適應更寬的(de)(de)(de)(de)工(gong)作溫度(du)范圍，主要應用(yong)(yong)于領域和使用(yong)(yong)環境惡劣的(de)(de)(de)(de)場合。

溫補振蕩器的優點

       溫(wen)補晶(jing)(jing)(jing)體(ti)振(zhen)蕩器(qi)研制項目是根據產(chan)品(pin)(pin)需求，我(wo)司(si)比照國(guo)外(wai)某公司(si)系列晶(jing)(jing)(jing)體(ti)振(zhen)蕩器(qi)的(de)(de)性(xing)能指(zhi)標，開展(zhan)實現(xian)(xian)插拔(ba)替換的(de)(de)國(guo)產(chan)化替代研制項目。該晶(jing)(jing)(jing)振(zhen)采用全新的(de)(de)結構設計并對(dui)電路進(jin)行優化，實現(xian)(xian)了溫(wen)補晶(jing)(jing)(jing)體(ti)振(zhen)蕩器(qi)的(de)(de)小型化，產(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)封裝(zhuang)和安裝(zhuang)面積與進(jin)口(kou)產(chan)品(pin)(pin)一致(zhi)，可以實現(xian)(xian)與進(jin)口(kou)產(chan)品(pin)(pin)的(de)(de)插拔(ba)替換，溫(wen)補晶(jing)(jing)(jing)振(zhen)，而且高度(du)相(xiang)比進(jin)口(kou)同類產(chan)品(pin)(pin)降低了兩毫米。該晶(jing)(jing)(jing)振(zhen)的(de)(de)頻率(lv)溫(wen)度(du)穩(wen)定性(xing)和穩(wen)態(tai)相(xiang)位噪聲都達到了較高的(de)(de)水平，還具有抗輻(fu)照、抗靜電、產(chan)品(pin)(pin)可靠性(xing)高，抗振(zhen)性(xing)好等特點(dian)，性(xing)能指(zhi)標已經達到或超過了同類進(jin)口(kou)產(chan)品(pin)(pin)。