公司成立于2013年7月，專(zhuan)注從(cong)事單片機的(de)應用(yong)開(kai)發及生產(chan)，并提供全(quan)系列中低壓(ya)MOS及電(dian)源、鋰(li)電(dian)IC等的(de)銷售，在(zai)LED及小家電(dian)等消(xiao)費類電(dian)子(zi)產(chan)品(pin)上應用(yong)廣泛，為您量身定制適合的(de)芯片方案。

 MOS管導(dao)(dao)通的(de)意(yi)思就(jiu)(jiu)是將(jiang)其做(zuo)為開關，等(deng)同(tong)于開關合閉。NMOS的(de)特點是當Vgs超過限定的(de)值時就(jiu)(jiu)會導(dao)(dao)通，2090mos廠家，適用(yong)與(yu)源極(ji)接地裝(zhuang)置的(de)狀(zhuang)況，只需柵壓電壓做(zuo)到4V或10V就(jiu)(jiu)可以了。而PMOS的(de)特點則是當Vgs低于一定的(de)值就(jiu)(jiu)會導(dao)(dao)通，適用(yong)與(yu)源極(ji)接Vcc的(de)狀(zhuang)況。可是，寧海2090mos，盡管PMOS能(neng)夠(gou)很便捷的(de)作為高i檔(dang)驅(qu)動，但因為導(dao)(dao)通電阻器大、價錢成本高、更換(huan)類(lei)型少等(deng)緣故，在高i檔(dang)驅(qu)動中，一般都用(yong)NMOS。

發熱情況有：

1.電路設計(ji)的(de)(de)問題(ti)，就是讓MOS管工(gong)(gong)作(zuo)在(zai)線性的(de)(de)工(gong)(gong)作(zuo)狀(zhuang)態，而不是在(zai)開關狀(zhuang)態。這也是導致MOS管發熱(re)的(de)(de)一(yi)個原因。如果(guo)N-MOS做開關，G級(ji)電壓要比(bi)電源高幾V，才能(neng)完全導通，P-MOS則相(xiang)反。沒有完全打開而壓降過大(da)(da)(da)造成功率消耗(hao)，等效直流阻抗比(bi)較大(da)(da)(da)，壓降增大(da)(da)(da)，所(suo)以U*I也增大(da)(da)(da)，損耗(hao)就意味著(zhu)發熱(re)。這是設計(ji)電路的(de)(de)非常忌諱(hui)的(de)(de)錯誤(wu)。

2.頻率太高，主要是有時(shi)過(guo)分(fen)追(zhui)求體積，2090mos公司，導致頻率提高，MOS管上的損(sun)耗增大了(le)(le)，所以發熱也(ye)加大了(le)(le)。

3.沒(mei)有(you)做好足夠(gou)的(de)散(san)熱(re)(re)設計，WP2090mos，電(dian)(dian)流太高，MOS管(guan)標稱的(de)電(dian)(dian)流值，一般需要良好的(de)散(san)熱(re)(re)才能達到。所(suo)以ID小于大(da)電(dian)(dian)流，也可能發熱(re)(re)嚴重，需要足夠(gou)的(de)輔(fu)助散(san)熱(re)(re)片。

4.MOS管(guan)的選型有誤，對(dui)功率判斷有誤，MOS管(guan)內阻(zu)沒有充分考(kao)慮，導致開關阻(zu)抗增大(da)。

公司成立(li)于(yu)2013年7月，專注從事單片機(ji)的應用開發(fa)及生產(chan)(chan)，并提供全系(xi)列中(zhong)低壓MOS及電(dian)源(yuan)、鋰(li)電(dian)IC等(deng)的銷售，在(zai)LED及小家電(dian)等(deng)消(xiao)費類電(dian)子產(chan)(chan)品上應用廣泛，為您(nin)量身定制適合的芯片方案。

電(dian)源(yuan)(yuan)作(zuo)為電(dian)子(zi)設(she)備(bei)的(de)配電(dian)元器件，除(chu)開特(te)性(xing)要考慮(lv)供電(dian)系(xi)統設(she)備(bei)的(de)規定以外(wai)，其自己的(de)防護措施也(ye)很(hen)重要，如過(guo)(guo)電(dian)流、過(guo)(guo)電(dian)壓、超溫維(wei)護等(deng)。一(yi)旦電(dian)源(yuan)(yuan)沒有過(guo)(guo)流保(bao)護設(she)計方案，在輸出(chu)短路(lu)故障或(huo)過(guo)(guo)載的(de)時候會造成(cheng)電(dian)源(yuan)(yuan)損壞(huai)，也(ye)有很(hen)有可能進一(yi)步造成(cheng)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)毀壞(huai)，乃至造成(cheng)實際操作(zuo)工作(zuo)人員的(de)觸電(dian)事(shi)(shi)故及火情(qing)等(deng)安全(quan)事(shi)(shi)故，而電(dian)源(yuan)(yuan)的(de)過(guo)(guo)流保(bao)護跟使用的(de)MOS管相關(guan)。