超(chao)純(chun)(chun)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)，指的化學雜(za)質(zhi)(zhi)和物(wu)理雜(za)質(zhi)(zhi) (晶(jing)體缺陷) 含量(liang)(liang)的金(jin)(jin)屬(shu)(shu)。目(mu)前主要以(yi)化學雜(za)質(zhi)(zhi)的含量(liang)(liang)為標準，金(jin)(jin)銀濕法(fa)處理技(ji)術，常以(yi)雜(za)質(zhi)(zhi)在金(jin)(jin)屬(shu)(shu)中總(zong)含 量(liang)(liang)的百萬分之幾(ji)表(biao)示 。超(chao)純(chun)(chun)金(jin)(jin)屬(shu)(shu)是(shi)相對高純(chun)(chun)度的金(jin)(jin)屬(shu)(shu)，天津金(jin)(jin)銀濕法(fa)處理，一般(ban)指金(jin)(jin)屬(shu)(shu)純(chun)(chun)度達(da)到純(chun)(chun)度9以(yi)上的金(jin)(jin)屬(shu)(shu)，物(wu)理雜(za)質(zhi)(zhi)的概念(nian)才是(shi)有意義的。

材料的純度對其性能，金(jin)(jin)銀濕(shi)法處理(li)廠(chang)，特別是(shi)微電子學、光電子學性能影響很大，現代(dai)高(gao)技(ji)術產(chan)業要(yao)求(qiu)制備(bei)出超純金(jin)(jin)屬以利于制作器件。

 濺射靶(ba)(ba)材(cai)ITO靶(ba)(ba)材(cai)的(de)生產(chan)工(gong)藝 ITO靶(ba)(ba)材(cai)的(de)生產(chan)工(gong)藝可以分為3種：熱等靜壓(ya)(ya)法(HIP)、濺射靶(ba)(ba)材(cai)熱壓(ya)(ya)法(HP)和氣氛燒結法。各種生產(chan)工(gong)藝及其特點簡介如下：

 熱(re)(re)等(deng)靜(jing)壓(ya)法：ITO靶(ba)材的(de)(de)熱(re)(re)等(deng)靜(jing)壓(ya)制(zhi)作過(guo)程是將粉末或預先成形的(de)(de)胚體，在(zai)800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的(de)(de)壓(ya)力下等(deng)方加壓(ya)燒結。熱(re)(re)等(deng)靜(jing)壓(ya)工藝制(zhi)造(zao)產品密度(du)高(gao)(gao)、物理機械性(xing)能好，但(dan)設備投(tou)入高(gao)(gao)，生產成本高(gao)(gao)，產品的(de)(de)缺氧率(lv)高(gao)(gao)。

各種(zhong)類型的(de)(de)濺射薄(bo)膜(mo)材料在(zai)半導體集成(cheng)電(dian)路(VLSI)、光碟、平面顯示器(qi)以(yi)及(ji)工件的(de)(de)表面涂層等方(fang)面都得到了(le)(le)廣泛(fan)的(de)(de)應(ying)用(yong)。20世(shi)紀90年代(dai)以(yi)來，濺射靶材及(ji)濺射技術的(de)(de)同步發(fa)展，金銀濕法處(chu)理設備價格(ge)，極大地滿足了(le)(le)各種(zhong)新型電(dian)子元器(qi)件發(fa)展的(de)(de)需(xu)求。例如(ru)，在(zai)半導體集成(cheng)電(dian)路制造過程中，以(yi)電(dian)阻(zu)率較低的(de)(de)銅(tong)導體薄(bo)膜(mo)代(dai)替(ti)鋁膜(mo)布(bu)線(xian)。

在被濺射的(de)靶極（陰極）與陽(yang)極之間加一個正交磁(ci)(ci)場(chang)(chang)和電(dian)(dian)場(chang)(chang)，在高(gao)(gao)真空室中充入所需要(yao)的(de)惰(duo)性(xing)氣體(ti)（通常為Ar氣），磁(ci)(ci)鐵在靶材料表面形成(cheng)250～350高(gao)(gao)斯的(de)磁(ci)(ci)場(chang)(chang)，同(tong)高(gao)(gao)壓電(dian)(dian)場(chang)(chang)組成(cheng)正交電(dian)(dian)磁(ci)(ci)場(chang)(chang)。