公司成立于2013年7月(yue)，專注從事(shi)單片機的應用開(kai)發及(ji)生產(chan)，并提(ti)供全系(xi)列中低壓MOS及(ji)電(dian)源、鋰電(dian)IC等的銷(xiao)售，在LED及(ji)小家電(dian)等消費類電(dian)子(zi)產(chan)品上應用廣泛，為您量身定(ding)制(zhi)適合的芯片方案。

mos管小電流(liu)發熱的(de)緣(yuan)故

1、電(dian)路(lu)原理(li)的(de)難題(ti)，便是讓MOS管工作中在線形的(de)運(yun)行狀態，而(er)不是在開關情(qing)況。這(zhe)(zhe)也(ye)(ye)是造(zao)成 MOS管發熱的(de)一個緣故。假如N-MOS做開關，G級工作電(dian)壓要比開關電(dian)源高幾V，才(cai)可(ke)以徹i底通斷，P-MOS則反過來。沒有徹i底開啟而(er)損(sun)(sun)耗(hao)(hao)過大(da)導致輸(shu)出功率(lv)耗(hao)(hao)費，等(deng)效(xiao)電(dian)路(lu)直流電(dian)特性阻抗(kang)較(jiao)為大(da)，損(sun)(sun)耗(hao)(hao)擴(kuo)大(da)，因此U*I也(ye)(ye)擴(kuo)大(da)，耗(hao)(hao)損(sun)(sun)就(jiu)代表著發熱。這(zhe)(zhe)也(ye)(ye)是設計方案控制電(dian)路(lu)的(de)避(bi)諱(hui)的(de)不正確。

2、頻(pin)率(lv)太高，主要是有時(shi)候太過追求完i美容積，造(zao)成 頻(pin)率(lv)提升，MOS管上的(de)消耗擴大了，因此(ci)發熱也增加了。

3、沒(mei)有做到充(chong)(chong)足的(de)排熱(re)設(she)計方案，電(dian)流太(tai)高，MOS管允差的(de)電(dian)流值，一般必須保(bao)持良好的(de)排熱(re)才可以(yi)做到。因此ID低于較大(da)電(dian)流，mos，也很有可能發(fa)熱(re)比較嚴重，必須充(chong)(chong)足的(de)輔助散熱(re)器(qi)。

4、MOS管(guan)的型(xing)號(hao)選擇(ze)不正確(que)，對輸(shu)出功率分辨不正確(que)，MOS管(guan)內電(dian)阻(zu)沒有考慮到，造(zao)成(cheng)開關特(te)性阻(zu)抗擴大。

公司(si)成立于2013年(nian)7月，專注從事(shi)單片機(ji)的(de)應用開發及(ji)生產(chan)，并(bing)提供全系列中低壓MOS及(ji)電(dian)源、鋰(li)電(dian)IC等(deng)的(de)銷售(shou)，在LED及(ji)小家(jia)電(dian)等(deng)消費類電(dian)子產(chan)品上(shang)應用廣(guang)泛，為您量身定(ding)制(zhi)適合的(de)芯(xin)片方案。

MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬(shu)-氧化物半(ban)導體場(chang)效應晶體管(guan)，簡稱金氧半(ban)場(chang)效晶體管(guan)（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

 MOSFET管(guan)有(you)兩個(ge)電極，一(yi)個(ge)是金屬，mos生產廠家(jia)，另(ling)一(yi)個(ge)是外在(zai)硅，mos公司，他(ta)們之間由一(yi)薄層(ceng)二氧化硅分隔開。MOSFET管(guan)一(yi)般被生產制造為四(si)(si)種(zhong)類型，分別是增(zeng)強型和耗盡(jin)型、P溝道和N溝道這(zhe)四(si)(si)種(zhong)，但其實(shi)(shi)在(zai)實(shi)(shi)際的(de)運用中一(yi)般只(zhi)用增(zeng)強型的(de)N溝道和增(zeng)強型的(de)P溝道MOS管(guan)，因此一(yi)般情(qing)況下只(zhi)要提及NMOS或是PMOS便是指的(de)是這(zhe)兩種(zhong)。

     ;針對這兩種增(zeng)強(qiang)型的(de)MOS管，其中(zhong)較為(wei)普(pu)遍使(shi)用的(de)是NMOS —— 原因是增(zeng)強(qiang)型的(de)N溝道MOS管的(de)導通電(dian)阻更小(xiao)，并且(qie)生產簡便，因此在開關電(dian)源和電(dian)機驅動的(de)運用中(zhong)，我們一(yi)般(ban)使(shi)用增(zeng)強(qiang)型的(de)N溝道MOS管。

     MOS管(guan)的(de)(de)(de)三個管(guan)腳中(zhong)有(you)寄生(sheng)電容(rong)(rong)的(de)(de)(de)存在，mos萬芯半導體，雖(sui)然說這并不是大家所(suo)需要(yao)的(de)(de)(de)，但其(qi)(qi)中(zhong)生(sheng)產制造加工(gong)工(gong)藝需要(yao)寄生(sheng)電容(rong)(rong)的(de)(de)(de)存在。有(you)了寄生(sheng)電容(rong)(rong)，這讓其(qi)(qi)設計(ji)方案(an)或挑(tiao)選驅動(dong)電源電路的(de)(de)(de)情況下會更麻煩一些(xie)，其(qi)(qi)中(zhong)還(huan)沒有(you)解決的(de)(de)(de)辦法能(neng)避免。

     在(zai)MOS管(guan)的(de)漏極(ji)(ji)和源極(ji)(ji)中有(you)一(yi)個寄生二(er)極(ji)(ji)管(guan)叫做體二(er)極(ji)(ji)管(guan)，就驅動感性負載來說，二(er)極(ji)(ji)管(guan)對其(qi)十(shi)分(fen)重(zhong)要。順(shun)帶(dai)說一(yi)句，體二(er)極(ji)(ji)管(guan)只在(zai)單獨的(de)MOS管(guan)內(nei)存在(zai)，在(zai)集成電(dian)路(lu)芯片內(nei)部一(yi)般(ban)都是沒有(you)的(de)。