場效(xiao)應管與三極管的區別：

1.場(chang)效(xiao)(xiao)應管(guan)和(he)三極(ji)管(guan)的區別是電(dian)壓(ya)和(he)電(dian)流控制，在性能方面，場(chang)效(xiao)(xiao)應管(guan)要(yao)明(ming)顯(xian)優于(yu)普通三極(ji)管(guan)，不管(guan)是頻率(lv)還是散熱(re)要(yao)求，只要(yao)電(dian)路(lu)設計合理(li)，采用場(chang)效(xiao)(xiao)應管(guan)會明(ming)顯(xian)提(ti)升整(zheng)體性能；

2.場效(xiao)(xiao)應(ying)管(guan)和(he)(he)三極管(guan)一樣都能實現(xian)信號的控制(zhi)和(he)(he)放大，但由于他(ta)們構造和(he)(he)工作原(yuan)理截然(ran)不同，所以(yi)二(er)者的差異很(hen)大。在(zai)某些特(te)殊(shu)應(ying)用方(fang)面，場效(xiao)(xiao)應(ying)管(guan)優(you)于三極管(guan)，是三極管(guan)無法替代的；

3.場(chang)效應(ying)管(guan)是單極(ji)型(xing)管(guan)子(zi)(zi)(zi)，即(ji)管(guan)子(zi)(zi)(zi)工作時(shi)要么(me)只有(you)空(kong)穴，要么(me)只有(you)自(zi)(zi)由(you)電子(zi)(zi)(zi)參與導(dao)電，只有(you)一種載流子(zi)(zi)(zi)；三極(ji)管(guan)是雙極(ji)型(xing)管(guan)子(zi)(zi)(zi)，即(ji)管(guan)子(zi)(zi)(zi)工作時(shi)內部由(you)空(kong)穴和自(zi)(zi)由(you)電子(zi)(zi)(zi)兩種載流子(zi)(zi)(zi)參與；

4.場效應(ying)管(guan)屬(shu)于電(dian)(dian)壓控(kong)制器件，沒有(you)(you)輸(shu)入電(dian)(dian)流也會有(you)(you)輸(shu)出電(dian)(dian)流；三極(ji)管(guan)屬(shu)于電(dian)(dian)流控(kong)制器件，有(you)(you)輸(shu)入電(dian)(dian)流才(cai)會有(you)(you)輸(shu)出電(dian)(dian)流；

5.場效應管輸入阻抗(kang)大；三極管輸入阻抗(kang)小(xiao)；

6.場效應管的頻率特(te)性不如三極管；

7.場效(xiao)應管的噪聲系數小(xiao)，適用于(yu)低(di)噪聲放大(da)器的前(qian)置(zhi)級；

8.信號源電流小應(ying)該選用場效應(ying)管，反之則選用三極管更(geng)為合(he)適。

公司成立于(yu)2013年7月，專注從(cong)事單片(pian)機的(de)(de)應用開發及生產(chan)，WP中(zhong)低(di)壓mos，并(bing)提供全系列中(zhong)低(di)壓MOS及電(dian)源(yuan)、鋰電(dian)IC等的(de)(de)銷售，在LED及小家電(dian)等消費類電(dian)子產(chan)品上應用廣泛(fan)，為您量身(shen)定制適(shi)合(he)的(de)(de)芯片(pian)方案(an)。

半導體工藝制(zhi)程不斷縮(suo)小(xiao)，MOS器件(jian)尺寸隨之不斷減小(xiao)，當達到納米(mi)級別后，受功耗(hao)密度、散(san)熱效率等因素(su)影響，傳(chuan)統MOS器件(jian)出現(xian)一系列性能(neng)問題，性能(neng)與可(ke)靠性會(hui)退化，無法滿足集成電路要求。圍柵硅納米(mi)線MOS器件(jian)具(ju)有優良(liang)的(de)柵控(kong)能(neng)力，在保持性能(neng)與可(ke)靠性方面更具(ju)優勢，且具(ju)有良(liang)好(hao)的(de)CMOS工藝兼容能(neng)力，因此成為(wei)MOS器件(jian)的(de)重要發展方向。

公司成立于(yu)2013年7月，專注從事(shi)單片(pian)機的(de)應用開發及生產，并提供(gong)全系(xi)列中低壓MOS及電(dian)源、鋰電(dian)IC等的(de)銷售，中低壓mos價格，在(zai)LED及小家電(dian)等消費(fei)類電(dian)子(zi)產品上應用廣(guang)泛，為您量身定制適合的(de)芯片(pian)方案。

MOS管(guan)(guan)在(zai)開關電路里面(mian)起到的作用就是控制電路的通斷和(he)信號的轉換。MOS管(guan)(guan)大致可分為兩大類：N溝(gou)道(dao)和(he)P溝(gou)道(dao)。

在N溝道(dao)MOS管電(dian)(dian)路(lu)里，BEEP引腳(jiao)是高電(dian)(dian)平就(jiu)可以導通(tong)使得(de)蜂(feng)鳴(ming)器響(xiang)應，低電(dian)(dian)平則(ze)是關閉蜂(feng)鳴(ming)器。P溝道(dao)MOS管來控制GPS模塊(kuai)電(dian)(dian)源的(de)通(tong)斷(duan)(duan)，GPS_PWR引腳(jiao)是低電(dian)(dian)平的(de)時候導通(tong)，GPS模塊(kuai)則(ze)正(zheng)常地供電(dian)(dian)，高電(dian)(dian)平時使得(de)GPS模塊(kuai)斷(duan)(duan)電(dian)(dian)。

P溝(gou)道(dao)MOS管在N型(xing)硅襯底上P+區有兩個：漏極和(he)源(yuan)極。這兩極彼此之間并不通導，當在接(jie)地時源(yuan)極上加有足夠的正電壓，柵極下面的N型(xing)硅表面就會浮(fu)現出P型(xing)的反型(xing)層，變成連接(jie)漏極和(he)源(yuan)極的溝(gou)道(dao)。改變柵極的電壓可(ke)以使(shi)溝(gou)道(dao)里(li)的空穴(xue)密度發生變化，因此來改變溝(gou)道(dao)電阻。這種就被稱為P溝(gou)道(dao)增強型(xing)場效應晶(jing)體管。

NMOS的(de)(de)特(te)性，Vgs只要大于一定(ding)的(de)(de)數(shu)值便會導通，適用在源極(ji)接地的(de)(de)低端驅動的(de)(de)情況下，前提是柵極(ji)的(de)(de)電壓達(da)到4V或著10V就行。

PMOS的特(te)性(xing)，中(zhong)(zhong)低壓mos，與NMOS相反，在Vgs只要(yao)小于一(yi)定(ding)的數值便(bian)會導通，適用(yong)于源極接VCC時高(gao)i端驅(qu)動(dong)的情況下(xia)。但是，中(zhong)(zhong)低壓mos公司，由于替換種類少，導通電阻大，價格(ge)貴等原因，盡管PMOS可(ke)以非常(chang)方便(bian)地用(yong)作在高(gao)i端驅(qu)動(dong)的情況下(xia)，所(suo)以在高(gao)i端驅(qu)動(dong)中(zhong)(zhong)，一(yi)般都還是使用(yong)NMOS。

總的來說，MOS管有著很高的輸入阻抗(kang)，在電路(lu)中方便(bian)直(zhi)接(jie)耦合，比較容(rong)易制作成(cheng)為規模大的集成(cheng)電路(lu) 。