為了形成高質量(liang)圖像(xiang)，聚合色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)被廣泛使(shi)用，以代替慣常(chang)使(shi)用的(de)粉(fen)(fen)(fen)(fen)碎(sui)色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)。聚合色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)允許(xu)點的(de)，從(cong)而出(chu)色(se)(se)(se)地(di)由數字信息獲得印刷(shua)物(wu)，由此得到高質量(liang)的(de)印刷(shua)物(wu)。0003和改進形成精細分配的(de)色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)顆粒、使(shi)色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)粒徑均一、使(shi)色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)顆粒呈球形的(de)技(ji)術、以及從(cong)粉(fen)(fen)(fen)(fen)碎(sui)色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)到聚合色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)的(de)轉變相(xiang)一致地(di)，在電子成像(xiang)裝置(zhi)比(bi)如激光(guang)束(shu)打(da)印機等的(de)成像(xiang)裝置(zhi)中，需要開發(fa)出(chu)一種(zhong)導電輥，1N金(jin)靶(ba)材廠(chang)家，其(qi)賦予色(se)(se)(se)粉(fen)(fen)(fen)(fen)以高靜電充電特性。

以含(han)(han)有(you)氯(lv)原(yuan)子(zi)(zi)的(de)表(biao)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)為代表(biao)的(de)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)組(zu)分，用(yong)(yong)于導(dao)電(dian)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)輥(gun)，以允許導(dao)電(dian)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)輥(gun)呈離子(zi)(zi)導(dao)電(dian)性。該(gai)情況下，含(han)(han)有(you)氯(lv)原(yuan)子(zi)(zi)的(de)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)組(zu)分具有(you)較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)的(de)表(biao)面(mian)(mian)自由能。因此(ci)，1N金靶材，含(han)(han)有(you)氯(lv)原(yuan)子(zi)(zi)的(de)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)組(zu)分容易粘附于色粉(fen)和用(yong)(yong)于色粉(fen)的(de)添加(jia)劑上。當(dang)含(han)(han)有(you)氯(lv)原(yuan)子(zi)(zi)的(de)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)組(zu)分與離子(zi)(zi)導(dao)電(dian)的(de)單體聚合(he)時，哪家有(you)金1N金靶材，導(dao)電(dian)輥(gun)具有(you)較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)的(de)表(biao)面(mian)(mian)自由能并且容易弄濕(shi)。因此(ci)粘附于導(dao)電(dian)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)輥(gun)的(de)色粉(fen)量變(bian)得(de)較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)。當(dang)通過用(yong)(yong)紫(zi)外線照射其表(biao)面(mian)(mian)或者(zhe)使其暴露于臭氧(yang)(yang)中，使導(dao)電(dian)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)輥(gun)的(de)表(biao)面(mian)(mian)上形成氧(yang)(yang)化膜時，導(dao)電(dian)橡(xiang)(xiang)膠(jiao)(jiao)(jiao)(jiao)輥(gun)表(biao)面(mian)(mian)的(de)氧(yang)(yang)濃度變(bian)得(de)較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)。

區域提純(chun)后的(de)金屬鍺，其錠底表(biao)面上的(de)電阻率為30～50歐(ou)姆  厘米時(shi)，純(chun)度(du)相當于8～9，可(ke)以滿(man)足電子(zi)器件的(de)要求。但(dan)對于雜質濃度(du)小于[KG2]10原子(zi)/厘米[KG2]的(de)探(tan)測器級(ji)超純(chun)鍺，則尚(shang)須經過特殊處理。

由(you)于(yu)(yu)鍺中有少數雜(za)質(zhi)如磷、鋁(lv)、硅、硼的分(fen)配系數接(jie)近于(yu)(yu)1或大于(yu)(yu)1，要加(jia)強(qiang)化學提(ti)純(chun)方法除去這(zhe)些雜(za)質(zhi)，然后再(zai)進行區熔(rong)提(ti)純(chun)。電子級純(chun)的區熔(rong)鍺錠用霍爾效應(ying)測(ce)量雜(za)質(zhi)（載(zai)流子）濃度(du)，1N金(jin)靶材報價，一(yi)般可達10～10原子/厘米。經(jing)切頭去尾，再(zai)利(li)用多次拉晶和切割尾，一(yi)直(zhi)達到所要求(qiu)的純(chun)度(du)（10原子/厘米），這(zhe)樣純(chun)度(du)的鍺（相當于(yu)(yu)13）所作的探測(ce)器，其(qi)分(fen)辨率已接(jie)近于(yu)(yu)理論數值。