公(gong)司成立于2013年7月，專注從事單(dan)片機的(de)應用開發及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等(deng)的(de)銷售，在LED及小家電等(deng)消費類(lei)電子產品(pin)上應用廣(guang)泛(fan)，為您量(liang)身定制適(shi)合的(de)芯片方(fang)案。

MOS管在開(kai)關(guan)電路里面起到的(de)作(zuo)用就(jiu)是控(kong)制電路的(de)通斷和(he)信號的(de)轉換。MOS管大致可分為兩大類：N溝道和(he)P溝道。

在N溝道MOS管電(dian)(dian)路里，BEEP引腳(jiao)是(shi)高電(dian)(dian)平就(jiu)可(ke)以導(dao)通使(shi)得(de)蜂(feng)鳴器響應，低電(dian)(dian)平則(ze)是(shi)關(guan)閉蜂(feng)鳴器。P溝道MOS管來控(kong)制(zhi)GPS模塊電(dian)(dian)源的通斷，WPmos管哪家好，GPS_PWR引腳(jiao)是(shi)低電(dian)(dian)平的時(shi)候(hou)導(dao)通，GPS模塊則(ze)正常地供電(dian)(dian)，高電(dian)(dian)平時(shi)使(shi)得(de)GPS模塊斷電(dian)(dian)。

P溝(gou)(gou)道MOS管(guan)在N型(xing)硅襯(chen)底(di)上(shang)P+區有(you)兩(liang)個：漏極(ji)(ji)和源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)。這(zhe)兩(liang)極(ji)(ji)彼此(ci)(ci)之間并不(bu)通(tong)導，當在接地時源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)上(shang)加(jia)有(you)足夠的正電(dian)壓，柵(zha)極(ji)(ji)下面的N型(xing)硅表面就會浮現出P型(xing)的反型(xing)層，變(bian)(bian)成連(lian)接漏極(ji)(ji)和源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)的溝(gou)(gou)道。改(gai)變(bian)(bian)柵(zha)極(ji)(ji)的電(dian)壓可(ke)以(yi)使溝(gou)(gou)道里的空穴密度發生變(bian)(bian)化，因此(ci)(ci)來改(gai)變(bian)(bian)溝(gou)(gou)道電(dian)阻。這(zhe)種(zhong)就被稱為P溝(gou)(gou)道增強型(xing)場效應(ying)晶體管(guan)。

NMOS的特性，Vgs只要大于(yu)一(yi)定的數(shu)值便會導通，適用在源極(ji)接(jie)地的低端驅動的情況下，前提是柵極(ji)的電(dian)壓達(da)到4V或著(zhu)10V就行。

PMOS的(de)特性，與NMOS相(xiang)反(fan)，在(zai)Vgs只要小于一(yi)定的(de)數值便會(hui)導通，適用于源極(ji)接(jie)VCC時高(gao)i端(duan)驅(qu)動的(de)情(qing)況下(xia)。但(dan)是(shi)，由于替換種類(lei)少，導通電阻大，價格貴等(deng)原因，盡管PMOS可以(yi)非(fei)常方(fang)便地用作(zuo)在(zai)高(gao)i端(duan)驅(qu)動的(de)情(qing)況下(xia)，所以(yi)在(zai)高(gao)i端(duan)驅(qu)動中，一(yi)般都(dou)還是(shi)使用NMOS。

總的(de)來說，MOS管有著很高的(de)輸入阻抗，在電路中方(fang)便(bian)直(zhi)接耦合(he)，比較(jiao)容易制作成(cheng)為規模大的(de)集成(cheng)電路 。

公(gong)司成立(li)于2013年7月(yue)，專(zhuan)注從事單片(pian)機的(de)應用開發及生產，WPmos管廠家，并提供全系列中低壓(ya)MOS及電源、鋰(li)電IC等(deng)的(de)銷售(shou)，在LED及小家電等(deng)消費類電子產品上應用廣泛，慈溪WPmos管，為您量身定制適合的(de)芯片(pian)方案。

MOS管即可用于(yu)放大電(dian)流(liu)，又可以(yi)作(zuo)為可變電(dian)阻，還能用作(zuo)電(dian)子開關，現已廣泛應用于(yu)電(dian)子設備中。而在(zai)(zai)使用過(guo)程(cheng)中，MOS管是通過(guo)加在(zai)(zai)輸入(ru)端柵極的(de)電(dian)壓來控制輸出端漏極的(de)電(dian)流(liu)。

MOS管(guan)是電(dian)壓控(kong)制器件，也(ye)就是需要使(shi)用(yong)電(dian)壓控(kong)制G腳來實現對(dui)管(guan)子電(dian)流的控(kong)制。市面上常見(jian)的是增強型(xing)N溝通MOS管(guan)，廠家可以用(yong)一個(ge)電(dian)壓來控(kong)制G的電(dian)壓。

基本方法：用一(yi)個控制(zhi)電(dian)(dian)壓（比(bi)較(jiao)器同相輸(shu)(shu)入(ru)端）和一(yi)個參(can)考(kao)電(dian)(dian)壓（比(bi)較(jiao)器反相輸(shu)(shu)入(ru)端），同時(shi)進(jin)入(ru)電(dian)(dian)壓比(bi)較(jiao)器，比(bi)較(jiao)器的(de)輸(shu)(shu)出經(jing)過電(dian)(dian)阻(zu)上拉(la)后接G腳，如果控制(zhi)電(dian)(dian)壓比(bi)參(can)考(kao)電(dian)(dian)壓高(gao)，WPmos管生產廠家，則控制(zhi)MOS管導(dao)通輸(shu)(shu)出電(dian)(dian)流。

公(gong)司成立于2013年7月(yue)，專注從事單片機的應(ying)用開(kai)發及生產，并提供全系列(lie)中(zhong)低(di)壓MOS及電源、鋰電IC等的銷(xiao)售，在LED及小家電等消費類電子產品上應(ying)用廣泛，為您(nin)量身定制適合的芯(xin)片方案。

mos管失效的六(liu)個原因：

1、電壓(ya)失(shi)效是大(da)家常說漏(lou)源間的(de)BVdss電壓(ya)超出(chu)(chu)了mosfet的(de)額定電壓(ya)，而且超出(chu)(chu)了一定的(de)能力進而導致mosfet失(shi)效。

2、電流失效(xiao)即(ji)是超過了mosfet安全工作范(fan)圍而(er)造成的(de)無效(xiao)，其中又分(fen)為Id超出(chu)器(qi)(qi)件規格(ge)而(er)導致的(de)失效(xiao)以及(ji)其Id過大，耗損過高導致器(qi)(qi)件長期熱累(lei)積而(er)導致的(de)失效(xiao)。

3、在橋式、LLC等有效(xiao)(xiao)到(dao)體二極管(guan)開展續(xu)流(liu)的拓撲結構(gou)中，因為體二極管(guan)遭到(dao)毀(hui)壞而導致的無效(xiao)(xiao)。

4、在(zai)并聯的應用過(guo)程中，柵極跟電路寄(ji)生參數導(dao)致波動會造成(cheng)諧(xie)振失效(xiao)。

5、在(zai)干燥(zao)的環境中，因為(wei)人體跟設(she)備而產(chan)生(sheng)的靜(jing)電(dian)會導(dao)致器(qi)件的靜(jing)電(dian)無(wu)效(xiao)。

6、因為柵極(ji)出現異常工作電壓頂i峰(feng)，導(dao)致柵極(ji)電壓無效。