公司成(cheng)立于2013年(nian)7月，中低(di)壓(ya)mos萬(wan)芯(xin)半導體，專注(zhu)從事(shi)單片(pian)機的(de)(de)應(ying)用(yong)開(kai)發及(ji)生(sheng)產(chan)，并提供全系列中低(di)壓(ya)MOS及(ji)電源、鋰電IC等(deng)的(de)(de)銷售，在LED及(ji)小家電等(deng)消費(fei)類電子產(chan)品(pin)上應(ying)用(yong)廣泛(fan)，為您量(liang)身定制適合的(de)(de)芯(xin)片(pian)方案。

MOS管的(de)選型是很(hen)重要的(de)一個環節，MOS管選擇不好有可能影響到整個電路(lu)的(de)效率和(he)成本，同(tong)時也會(hui)給工程師帶來諸多麻(ma)煩。

為(wei)設(she)計選擇正確(que)器(qi)件(jian)的頭一步(bu)是決定采用N溝道還(huan)是P溝道MOS管。

在典型的(de)(de)功率應(ying)(ying)用中(zhong)，當一個(ge)(ge)MOS管接(jie)地(di)，而負載連(lian)接(jie)到干線電壓上時，該(gai)MOS管就(jiu)構成了低(di)壓側開(kai)關。在低(di)壓側開(kai)關中(zhong)，應(ying)(ying)采(cai)用N溝道MOS管，這是(shi)出于對(dui)關閉或導通器件所需(xu)電壓的(de)(de)考慮(lv)(lv)。 當MOS管連(lian)接(jie)到總線及負載接(jie)地(di)時，就(jiu)要用高壓側開(kai)關。通常會在這個(ge)(ge)拓撲中(zhong)采(cai)用P溝道MOS管，這也是(shi)出于對(dui)電壓驅動的(de)(de)考慮(lv)(lv)。

公(gong)司(si)成立于2013年7月，專注從事單片(pian)機的(de)應(ying)用開發及生產，中低壓mos廠家，并(bing)提供(gong)全(quan)系(xi)列中低壓MOS及電(dian)源、鋰電(dian)IC等(deng)的(de)銷售，在LED及小家電(dian)等(deng)消費類電(dian)子產品上應(ying)用廣泛，臺(tai)州中低壓mos，為(wei)您(nin)量身定制適合(he)的(de)芯片(pian)方案(an)。

電(dian)(dian)源作為電(dian)(dian)子設(she)備的(de)配電(dian)(dian)元器件，除開(kai)特性要考慮供電(dian)(dian)系統設(she)備的(de)規定以外，其(qi)自己的(de)防護(hu)措施(shi)也很重要，如過(guo)電(dian)(dian)流(liu)、過(guo)電(dian)(dian)壓(ya)、超溫維護(hu)等。一(yi)旦(dan)電(dian)(dian)源沒有(you)(you)過(guo)流(liu)保護(hu)設(she)計(ji)方案，在輸出短路(lu)故(gu)障或過(guo)載的(de)時候會造成(cheng)電(dian)(dian)源損壞，也有(you)(you)很有(you)(you)可能進一(yi)步(bu)造成(cheng)電(dian)(dian)子設(she)備毀壞，乃至造成(cheng)實際操作工(gong)作人員的(de)觸電(dian)(dian)事故(gu)及(ji)火情等安全事故(gu)，而電(dian)(dian)源的(de)過(guo)流(liu)保護(hu)跟使用的(de)MOS管相關。

公司(si)成立于2013年7月，專注從事單(dan)片機的(de)(de)應用(yong)開(kai)發及(ji)(ji)生產(chan)，并提供全系(xi)列中(zhong)低(di)壓MOS及(ji)(ji)電源、鋰電IC等的(de)(de)銷售，在LED及(ji)(ji)小家電等消費(fei)類電子產(chan)品上應用(yong)廣泛(fan)，為(wei)您量(liang)身定制適合的(de)(de)芯片方案。

分辨MOS管優劣的辦(ban)法有二種：

一種：定性分(fen)辨(bian)MOS管的優劣

先(xian)用萬(wan)用表(biao)R×10kΩ擋(內嵌有(you)9V或15V充(chong)電(dian)電(dian)池)，把負表(biao)筆(bi)(黑)接(jie)(jie)柵極(ji)(ji)(ji)(G)，正表(biao)筆(bi)(紅)接(jie)(jie)源極(ji)(ji)(ji)(S)。給(gei)柵，源極(ji)(ji)(ji)中間電(dian)池充(chong)電(dian)，這時萬(wan)用表(biao)表(biao)針有(you)輕度偏轉。再改成萬(wan)用表(biao)R×1Ω擋，將負表(biao)筆(bi)接(jie)(jie)漏極(ji)(ji)(ji)(D)，正筆(bi)接(jie)(jie)源極(ji)(ji)(ji)(S)，萬(wan)用表(biao)標(biao)示值若為(wei)幾歐母，則表(biao)明MOS管是好的(de)。

第二種：定性分辨結型MOS管的電(dian)級(ji)

將萬用(yong)表(biao)(biao)撥至(zhi)R×100檔，紅表(biao)(biao)筆隨意接(jie)一個腳(jiao)管(guan)，黑(hei)表(biao)(biao)筆則(ze)接(jie)另一個腳(jiao)管(guan)，使(shi)第(di)(di)三(san)腳(jiao)懸在(zai)(zai)空中。若發覺表(biao)(biao)針有輕微的晃動，就證(zheng)實(shi)第(di)(di)三(san)腳(jiao)為柵極(ji)(ji)。欲得到更顯著的觀(guan)查(cha)實(shi)際(ji)效果，還可電(dian)子振動挨近或是用(yong)手(shou)指觸碰(peng)懸在(zai)(zai)空中腳(jiao)，只需見到表(biao)(biao)針作大幅偏(pian)轉，即表(biao)(biao)明(ming)懸在(zai)(zai)空中腳(jiao)是柵極(ji)(ji)，其他二腳(jiao)分別是源(yuan)極(ji)(ji)和漏極(ji)(ji)。