公司成立于2013年7月，專注(zhu)從事單片(pian)(pian)機的(de)應用(yong)開發及生產(chan)，并提供全系列中低壓MOS及電(dian)源(yuan)、鋰(li)電(dian)IC等(deng)的(de)銷售，在(zai)LED及小家電(dian)等(deng)消費類電(dian)子產(chan)品上(shang)應用(yong)廣泛(fan)，為您量身(shen)定(ding)制適合的(de)芯片(pian)(pian)方案。

MOS管可(ke)以(yi)用(yong)作(zuo)(zuo)(zuo)可(ke)變電阻也可(ke)應(ying)用(yong)于(yu)放大。由于(yu)場效應(ying)管放大器(qi)的(de)(de)輸入阻抗(kang)(kang)很高，因此耦合電容可(ke)以(yi)容量較小，不必使(shi)用(yong)電解電容器(qi)。且場效應(ying)管很高的(de)(de)輸入阻抗(kang)(kang)非(fei)常適合作(zuo)(zuo)(zuo)阻抗(kang)(kang)變換。常用(yong)于(yu)多級放大器(qi)的(de)(de)輸入級作(zuo)(zuo)(zuo)阻抗(kang)(kang)變換。場效應(ying)管可(ke)以(yi)方便地用(yong)作(zuo)(zuo)(zuo)恒流源也可(ke)以(yi)用(yong)作(zuo)(zuo)(zuo)電子(zi)開關。

公(gong)司成立(li)于2013年(nian)7月，專注(zhu)從事單片機的應用開發及生(sheng)產(chan)，并提供全系列中低壓(ya)MOS及電(dian)源、鋰電(dian)IC等的銷售(shou)，在LED及小家電(dian)等消費(fei)類電(dian)子產(chan)品上應用廣泛，為(wei)您量身定制(zhi)適合的芯片方案。

估測場效應管的放大能(neng)力

把(ba)萬(wan)用(yong)表(biao)(biao)調到(dao)R×100檔時(shi)，用(yong)紅表(biao)(biao)筆去(qu)接(jie)(jie)源極(ji)(ji)(ji)S，用(yong)黑表(biao)(biao)筆去(qu)接(jie)(jie)漏極(ji)(ji)(ji)D，萬(wan)芯(xin)mos管(guan)(guan)(guan)廠家(jia)，這(zhe)就(jiu)(jiu)好像是(shi)給場(chang)效(xiao)應管(guan)(guan)(guan)加上了(le)(le)1.5V的電壓。這(zhe)個(ge)時(shi)候(hou)表(biao)(biao)針指示(shi)的就(jiu)(jiu)是(shi)D-S極(ji)(ji)(ji)間(jian)的電阻值。這(zhe)個(ge)時(shi)候(hou)用(yong)手指去(qu)捏(nie)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)G，溫州(zhou)萬(wan)芯(xin)mos管(guan)(guan)(guan)，把(ba)人體的感(gan)應電壓當做(zuo)輸入信號去(qu)加到(dao)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)上時(shi)。因為(wei)管(guan)(guan)(guan)子放(fang)大(da)(da)的作用(yong)，ID和(he)UDS都會變化，意思就(jiu)(jiu)是(shi)D-S極(ji)(ji)(ji)間(jian)的電阻發生了(le)(le)變化，我們可以觀察到(dao)此(ci)時(shi)表(biao)(biao)針有(you)較(jiao)大(da)(da)的擺動(dong)幅(fu)度(du)。假如手捏(nie)柵(zha)(zha)極(ji)(ji)(ji)時(shi)，表(biao)(biao)針的擺動(dong)幅(fu)度(du)很小，也就(jiu)(jiu)是(shi)說管(guan)(guan)(guan)子的放(fang)大(da)(da)能力比較(jiao)弱；如果表(biao)(biao)針沒有(you)絲毫動(dong)作，說明管(guan)(guan)(guan)子已經損壞了(le)(le)。

公(gong)司成立于2013年(nian)7月(yue)，專(zhuan)注從事單片(pian)機的應用開發(fa)及(ji)生產，并提供全系列中低壓MOS及(ji)電(dian)源、鋰電(dian)IC等的銷售，在LED及(ji)小家(jia)電(dian)等消費(fei)類電(dian)子產品上應用廣泛，萬芯mos管生產廠家(jia)，為您(nin)量身定(ding)制適合的芯片(pian)方案。

mos管失效的(de)六個原(yuan)因：

1、電壓失效是大家常說漏源間的BVdss電壓超(chao)出(chu)了(le)mosfet的額定(ding)電壓，萬芯(xin)mos管報價，而(er)且超(chao)出(chu)了(le)一定(ding)的能力(li)進而(er)導致mosfet失效。

2、電流(liu)失效(xiao)(xiao)即是超過了mosfet安全工作范(fan)圍而(er)造(zao)成的無(wu)效(xiao)(xiao)，其(qi)中又分為Id超出器件(jian)規格而(er)導(dao)致的失效(xiao)(xiao)以及(ji)其(qi)Id過大，耗損過高導(dao)致器件(jian)長期熱累積(ji)而(er)導(dao)致的失效(xiao)(xiao)。

3、在橋式、LLC等有效到體(ti)二極管開展續流的(de)拓撲結(jie)構中(zhong)，因為體(ti)二極管遭到毀(hui)壞而導致的(de)無(wu)效。

4、在并聯的應用過(guo)程中(zhong)，柵極跟電路寄生參數導致波動會造成諧振失效。

5、在干燥的(de)環境中，因為人體跟設備而(er)產(chan)生的(de)靜(jing)電會導致器件的(de)靜(jing)電無效。

6、因為柵極出現異常工(gong)作(zuo)電(dian)壓頂(ding)i峰，導致柵極電(dian)壓無效。