硅(gui)(gui)太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)制造(zao)過程中消耗的(de)(de)能(neng)(neng)量要比單晶(jing)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)少(shao)30％左右，因此多晶(jing)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)占(zhan)太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)總產量的(de)(de)份額(e)大，制造(zao)成本(ben)也小于單晶(jing)硅(gui)(gui)電(dian)(dian)池(chi)(chi)，太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)光伏板生(sheng)產廠，所以使用(yong)(yong)多晶(jing)硅(gui)(gui)太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)能(neng)(neng)電(dian)(dian)池(chi)(chi)將(jiang)會(hui)更加的(de)(de)節能(neng)(neng)、環保。其(qi)實可(ke)供制造(zao)太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)半導(dao)體材(cai)料(liao)很(hen)多，隨著(zhu)材(cai)料(liao)工業(ye)的(de)(de)發展、太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)電(dian)(dian)池(chi)(chi)的(de)(de)品種(zhong)將(jiang)越來越多。目前已(yi)進行(xing)研究(jiu)和試制的(de)(de)太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)電(dian)(dian)池(chi)(chi)，除硅(gui)(gui)系(xi)列外，還有、、銅銦硒等許多類型的(de)(de)太(tai)(tai)(tai)(tai)陽(yang)(yang)(yang)電(dian)(dian)池(chi)(chi)，舉(ju)不勝舉(ju)，通常這些(xie)材(cai)料(liao)都會(hui)用(yong)(yong)來制作(zuo)非(fei)晶(jing)硅(gui)(gui)電(dian)(dian)池(chi)(chi)。

電(dian)池組件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)制作流程高(gao)壓(ya)測(ce)(ce)試(shi)高(gao)壓(ya)測(ce)(ce)試(shi)是(shi)指在(zai)組件(jian)(jian)(jian)邊框(kuang)和(he)電(dian)極引線間施加一(yi)定的(de)(de)電(dian)壓(ya)，測(ce)(ce)試(shi)組件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)耐壓(ya)性(xing)和(he)絕緣強(qiang)度，以保證(zheng)組件(jian)(jian)(jian)在(zai)惡劣(lie)的(de)(de)自(zi)然條件(jian)(jian)(jian)(雷(lei)擊等)下不被(bei)損(sun)壞。組件(jian)(jian)(jian)測(ce)(ce)試(shi)測(ce)(ce)試(shi)的(de)(de)目(mu)的(de)(de)是(shi)對電(dian)池的(de)(de)輸(shu)出功率(lv)進行(xing)標定，測(ce)(ce)試(shi)其輸(shu)出特(te)性(xing)，確定組件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)質量等級。主要就是(shi)模(mo)擬(ni)太陽(yang)光的(de)(de)測(ce)(ce)試(shi)(STC)，安裝光伏板，一(yi)般(ban)一(yi)塊電(dian)池板所需的(de)(de)測(ce)(ce)試(shi)時間在(zai)7-8秒左右。

光(guang)伏(fu)組件材料分(fen)類(lei)用于電(dian)子級多晶(jing)硅占(zhan)55%左右，太陽能(neng)(neng)級多晶(jing)硅占(zhan)45%，光(guang)伏(fu)板安(an)裝公司，隨著光(guang)伏(fu)產業的(de)迅猛發展，太陽能(neng)(neng)電(dian)池對多晶(jing)硅需求量(liang)的(de)增(zeng)長速度高(gao)于半導體多晶(jing)硅的(de)發展，合肥光(guang)伏(fu)板，預計到2008年太陽能(neng)(neng)多晶(jing)硅的(de)需求量(liang)將超過電(dian)子級多晶(jing)硅。1994年全世界(jie)太陽能(neng)(neng)電(dian)池的(de)總產量(liang)只有69MW，而2004年就接近(jin)1200MW，在短短的(de)10年里就增(zeng)長了17倍。