公司成(cheng)立于2013年7月，專注從事單片機的(de)應用(yong)開發及生產，并提供全(quan)系列中低(di)壓(ya)MOS及電(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)IC等的(de)銷售，3080mos生產廠家(jia)，在LED及小家(jia)電(dian)(dian)等消費類電(dian)(dian)子產品(pin)上應用(yong)廣泛，為您量身(shen)定(ding)制適合的(de)芯(xin)片方案。

mos管小電(dian)流發(fa)熱的緣故

1、電(dian)(dian)路(lu)原理的(de)難題，便是讓MOS管工(gong)作(zuo)中在線形的(de)運(yun)行(xing)狀態，而不是在開(kai)關情況。這也是造成 MOS管發(fa)熱(re)的(de)一(yi)個緣故。假如N-MOS做開(kai)關，G級工(gong)作(zuo)電(dian)(dian)壓要比開(kai)關電(dian)(dian)源高幾(ji)V，才可以徹i底(di)通斷，P-MOS則(ze)反過來。沒有(you)徹i底(di)開(kai)啟而損耗(hao)過大導致輸出功率耗(hao)費(fei)，等效(xiao)電(dian)(dian)路(lu)直(zhi)流電(dian)(dian)特性阻抗較為大，損耗(hao)擴大，因此(ci)U*I也擴大，3080mos公司(si)，耗(hao)損就代(dai)表(biao)著發(fa)熱(re)。這也是設計方(fang)案控(kong)制電(dian)(dian)路(lu)的(de)避諱(hui)的(de)不正確。

2、頻率太(tai)(tai)高，主(zhu)要是有時候太(tai)(tai)過追求(qiu)完i美容(rong)積(ji)，造成 頻率提升，MOS管上的消耗擴大了(le)，因此發(fa)熱也增加了(le)。

3、沒有(you)做(zuo)到充足的(de)排熱(re)(re)設計(ji)方(fang)案，電流太(tai)高，3080mos，MOS管允差的(de)電流值，一般必(bi)(bi)須保持良(liang)好(hao)的(de)排熱(re)(re)才可(ke)以做(zuo)到。因(yin)此ID低于較大電流，也很有(you)可(ke)能發熱(re)(re)比較嚴重(zhong)，必(bi)(bi)須充足的(de)輔助(zhu)散熱(re)(re)器。

4、MOS管的型號(hao)選擇不正(zheng)確(que)，對輸出功率(lv)分(fen)辨(bian)不正(zheng)確(que)，MOS管內電阻沒有考慮(lv)到(dao)，造成開關特性阻抗擴大。

公司成立于2013年7月，專注從事(shi)單片(pian)(pian)機的應(ying)用開發及(ji)生產，并提供全系列中(zhong)低(di)壓MOS及(ji)電源、鋰電IC等的銷售，在LED及(ji)小家電等消費(fei)類電子產品上應(ying)用廣泛(fan)，為您量身定(ding)制適合的芯片(pian)(pian)方案。

判定柵極

用(yong)萬用(yong)表(biao)(biao)的黑(hei)表(biao)(biao)筆(bi)去(qu)觸碰管子的隨意(yi)一個電(dian)極，紅表(biao)(biao)筆(bi)分別去(qu)觸碰另外的兩個電(dian)極。如(ru)果兩次(ci)都(dou)測出(chu)的阻值較小，說(shuo)明兩者都(dou)是正(zheng)向電(dian)阻，該管屬于是N溝道的場效應管，黑(hei)表(biao)(biao)筆(bi)接觸的一樣也是柵極。

制作的過程中就決定了場(chang)效應管的漏極(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)是對稱的 ，可以互相交換使用(yong)(yong) ，并不會影響電路(lu)的使用(yong)(yong)，電路(lu)此時也是正(zheng)常的，所以不用(yong)(yong)去(qu)過度(du)區分。漏極(ji)(ji)和源(yuan)極(ji)(ji)之間的電阻(zu)大約是幾千歐。不能使用(yong)(yong)這個方法去(qu)判(pan)斷絕緣柵型場(chang)效應管的柵極(ji)(ji)。因為這管子(zi)(zi)輸(shu)入的電阻(zu)是極(ji)(ji)高的，而且柵源(yuan)之間的極(ji)(ji)間電容又是非常小的，WP3080mos，測量(liang)的時候只(zhi)要(yao)有少量(liang)電荷，就可以在極(ji)(ji)間電容上面形(xing)成(cheng)極(ji)(ji)高的電壓，管子(zi)(zi)將很容易(yi)損壞。

公(gong)司(si)成立(li)于2013年7月(yue)，專注(zhu)從事單片機的(de)應用(yong)開發(fa)及(ji)(ji)生產(chan)，并(bing)提供全系列中低壓MOS及(ji)(ji)電(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)IC等的(de)銷售(shou)，在(zai)LED及(ji)(ji)小家電(dian)(dian)等消費類電(dian)(dian)子產(chan)品上應用(yong)廣泛，為(wei)您量身定制適合的(de)芯片方案。

 MOS管(guan)導(dao)通的(de)意思(si)就(jiu)是(shi)將其做(zuo)為(wei)開關(guan)，等同于(yu)開關(guan)合閉。NMOS的(de)特點是(shi)當(dang)Vgs超過(guo)限定(ding)的(de)值時(shi)就(jiu)會導(dao)通，適用與源極接地裝置的(de)狀況，只需柵壓電(dian)壓做(zuo)到4V或10V就(jiu)可以了。而PMOS的(de)特點則是(shi)當(dang)Vgs低于(yu)一定(ding)的(de)值就(jiu)會導(dao)通，適用與源極接Vcc的(de)狀況。可是(shi)，盡管(guan)PMOS能夠(gou)很便(bian)捷的(de)作為(wei)高(gao)i檔(dang)驅動(dong)，但因為(wei)導(dao)通電(dian)阻器(qi)大、價錢成(cheng)本高(gao)、更換類型少等緣故(gu)，在高(gao)i檔(dang)驅動(dong)中，一般都(dou)用NMOS。