公司(si)成立于2013年(nian)7月，專注(zhu)從事單片(pian)機的(de)應用(yong)開(kai)發(fa)及生產，并提供全系列中低壓MOS及電(dian)源、鋰電(dian)IC等的(de)銷售，在LED及小(xiao)家電(dian)等消費類電(dian)子產品(pin)上應用(yong)廣泛，為您量身(shen)定制適合的(de)芯片(pian)方(fang)案。

電(dian)(dian)動車的儀表(biao)盤(pan)(pan)能夠顯示(shi)電(dian)(dian)量、速率、里(li)程(cheng)數、顯示(shi)燈情況等信息內容，一(yi)旦儀表(biao)盤(pan)(pan)發現異常或(huo)常見故障，輕則(ze)會(hui)危害(hai)客戶(hu)的交通出行，重(zhong)則(ze)也有有可能致使安全事故的產生，因此 電(dian)(dian)子電(dian)(dian)路設計技術工程(cheng)師在(zai)設計方案電(dian)(dian)動車儀表(biao)盤(pan)(pan)的情況下，必須(xu) 綜(zong)合考慮到(dao)儀表(biao)盤(pan)(pan)電(dian)(dian)源電(dian)(dian)路所采用的MOS管(guan)，MOS管(guan)的產品特性和質(zhi)量，會(hui)直接影響到(dao)儀表(biao)盤(pan)(pan)的表(biao)明(ming)精度(du)和質(zhi)量。

 MOSFET管(guan)(guan)有兩個電(dian)極(ji)，一個是(shi)(shi)金屬(shu)，另一個是(shi)(shi)外(wai)在硅，他們(men)之間由一薄層二(er)氧化硅分(fen)隔開。MOSFET管(guan)(guan)一般被生產制造為(wei)四種類(lei)型(xing)，分(fen)別是(shi)(shi)增強型(xing)和(he)耗盡型(xing)、P溝道(dao)和(he)N溝道(dao)這四種，但其實在實際(ji)的(de)運用中一般只(zhi)用增強型(xing)的(de)N溝道(dao)和(he)增強型(xing)的(de)P溝道(dao)MOS管(guan)(guan)，因此一般情(qing)況(kuang)下只(zhi)要提及NMOS或是(shi)(shi)PMOS便是(shi)(shi)指(zhi)的(de)是(shi)(shi)這兩種。

     針(zhen)對(dui)這兩種增(zeng)強型的MOS管，萬芯mos管報價，其中(zhong)較為普遍(bian)使(shi)用的是(shi)NMOS —— 原因是(shi)增(zeng)強型的N溝(gou)道MOS管的導通電(dian)(dian)阻更小(xiao)，并(bing)且生產(chan)簡(jian)便(bian)，因此在(zai)開(kai)關電(dian)(dian)源(yuan)和電(dian)(dian)機(ji)驅動的運用中(zhong)，我(wo)們一(yi)般使(shi)用增(zeng)強型的N溝(gou)道MOS管。

     MOS管的(de)三個管腳中(zhong)有(you)寄(ji)(ji)生電容的(de)存在(zai)，萬(wan)芯mos管生產廠家(jia)，雖(sui)然說這(zhe)并(bing)不是大家(jia)所需要的(de)，但其中(zhong)生產制造加工(gong)工(gong)藝需要寄(ji)(ji)生電容的(de)存在(zai)。有(you)了寄(ji)(ji)生電容，這(zhe)讓其設計方(fang)案(an)或挑選驅動電源(yuan)電路的(de)情(qing)況下會更麻煩一些，其中(zhong)還沒(mei)有(you)解決的(de)辦法能避免。

     在MOS管的(de)(de)漏極(ji)和源極(ji)中有一(yi)個寄生(sheng)二極(ji)管叫做體二極(ji)管，就驅(qu)動(dong)感性負載來說(shuo)(shuo)，二極(ji)管對其十(shi)分(fen)重(zhong)要。順帶說(shuo)(shuo)一(yi)句，體二極(ji)管只(zhi)在單獨的(de)(de)MOS管內存在，在集成電路芯(xin)片內部一(yi)般都是(shi)沒有的(de)(de)。

公司成立于2013年7月，專注從事單(dan)片(pian)機的(de)應用(yong)開發(fa)及生(sheng)產(chan)(chan)，并提供(gong)全(quan)系(xi)列中低壓MOS及電(dian)源(yuan)、鋰電(dian)IC等的(de)銷售(shou)，萬芯mos管，在LED及小家(jia)電(dian)等消(xiao)費類電(dian)子產(chan)(chan)品(pin)上應用(yong)廣(guang)泛(fan)，為您量身定制適(shi)合的(de)芯片(pian)方案。

MOS管(guan)(guan)制造商(shang)采用RDS(ON)參數(shu)來定(ding)(ding)義導通阻抗(kang)，對開(kai)關應(ying)用來說，RDS(ON)也是重要的(de)(de)(de)器件特性。數(shu)據手冊(ce)定(ding)(ding)義RDS(ON)與柵極(或驅(qu)動)電壓VGS以(yi)及流經開(kai)關的(de)(de)(de)電流有關，但對于(yu)充分的(de)(de)(de)柵極驅(qu)動，RDS(ON)是一個相(xiang)對靜態參數(shu)。一直處于(yu)導通的(de)(de)(de)MOS管(guan)(guan)很(hen)容易發熱(re)。另外，慢(man)慢(man)升(sheng)高(gao)的(de)(de)(de)結(jie)溫也會導致RDS(ON)的(de)(de)(de)增(zeng)加(jia)。MOS管(guan)(guan)數(shu)據手冊(ce)規定(ding)(ding)了熱(re)阻抗(kang)參數(shu)，其定(ding)(ding)義為MOS管(guan)(guan)封裝的(de)(de)(de)半導體結(jie)散熱(re)能力。RθJC的(de)(de)(de)簡單(dan)的(de)(de)(de)定(ding)(ding)義是結(jie)到管(guan)(guan)殼的(de)(de)(de)熱(re)阻抗(kang)。