隨著半導(dao)(dao)體(ti)LED技術的(de)發(fa)展，其(qi)在照明(ming)領(ling)域的(de)應用也越來越多(duo)，特別是白光LED的(de)出現，更是成為半導(dao)(dao)體(ti)照明(ming)的(de)熱點。

但是(shi)關(guan)鍵的芯(xin)片、封裝技術還有待提高(gao)(gao)，LED外延片廠家，在(zai)芯(xin)片方面要朝大功率、高(gao)(gao)光(guang)效(xiao)和降(jiang)低熱阻方面發展。

提高功率意味著芯片(pian)(pian)的(de)(de)使(shi)(shi)用電流加大，較為直接(jie)的(de)(de)辦法是(shi)加大芯片(pian)(pian)尺(chi)寸，現(xian)在(zai)(zai)普遍(bian)出現(xian)的(de)(de)大功率芯片(pian)(pian)都在(zai)(zai)1mm×1mm左右，使(shi)(shi)用電流在(zai)(zai)350mA.由于(yu)使(shi)(shi)用電流的(de)(de)加大，LED外延片(pian)(pian)供應商，散熱問題成為突(tu)出問題，現(xian)在(zai)(zai)通過芯片(pian)(pian)倒裝(zhuang)的(de)(de)方法基本解決(jue)了這一文題。

隨著LED技術的發展，其在照明領域的應用會面臨一個從未有的機遇和挑戰。

LED芯片制造主要是為了(le)制造有(you)效可(ke)靠(kao)的(de)(de)低(di)歐(ou)姆接(jie)觸(chu)電極，并能(neng)滿足可(ke)接(jie)觸(chu)材(cai)料之間(jian)較為小的(de)(de)壓(ya)降(jiang)及提供焊線的(de)(de)壓(ya)墊(dian)，同時盡可(ke)能(neng)的(de)(de)多地出光。

渡膜工藝一(yi)般用真空(kong)蒸鍍方法，4Pa高真空(kong)下，LED外延片，用電阻(zu)加熱或電子束(shu)轟擊(ji)加熱方法使材料(liao)熔化，并(bing)在低氣(qi)壓下BZX79C18變(bian)成(cheng)金屬蒸氣(qi)沉積在半導體材料(liao)表面。

一般所用的P型(xing)接(jie)觸金(jin)(jin)屬(shu)包括AuBe、AuZn等(deng)合金(jin)(jin)，N面(mian)的接(jie)觸金(jin)(jin)屬(shu)常(chang)采用AuGeNi合金(jin)(jin)。

鍍膜后形成的(de)合金層還需(xu)要通過光刻工藝將(jiang)發(fa)光區(qu)盡可能多地露出來，使(shi)留下(xia)來的(de)合金層能滿足(zu)有效可靠的(de)低(di)歐(ou)姆接觸電極及焊線壓墊的(de)要求。

光刻工序結束后還要通(tong)(tong)過合金(jin)(jin)化(hua)過程，合金(jin)(jin)化(hua)通(tong)(tong)常是在H2或N2的(de)保護下進行。

合金(jin)化的時間(jian)和溫(wen)度通常(chang)是根據半(ban)導體材(cai)料特性(xing)與(yu)合金(jin)爐形式等因素(su)決定。

當然若是藍綠等芯片電極工藝還要復雜，需增加鈍化膜生長、等離子刻蝕工藝等。

1. 供過于(yu)求狀態或將持續

經LED芯(xin)片(pian)行業大洗牌，海外企業與(yu)國(guo)內二三線芯(xin)片(pian)廠商產能逐(zhu)步收(shou)縮，國(guo)內大廠將依靠資金(jin)、技術、規模優(you)勢繼續(xu)大規模擴產高(gao)i端(duan)產能，LED芯(xin)片(pian)產能逐(zhu)步釋放，若無明顯的(de)需求爆發拉動，供過于求狀(zhuang)態或將持續(xu)。

2. 優化傳統LED芯(xin)片業務

對于傳統(tong)通用照(zhao)明(ming)產品毛利率(lv)的(de)降(jiang)低，各(ge)家企(qi)業將持(chi)續優(you)化(hua)產品性能、提升(sheng)可靠性和良率(lv)等，以降(jiang)成本為目標。此(ci)外(wai)，高附加值、高毛利產品比重將提升(sheng)。

3. 企(qi)業走差異化路(lu)線

各大企業將尋找新增長點，走差異化路線：一是加強Mini/Micro LED、UV LED、VCSEL等新興市場產品的開發，提升高i端產品的營收占比；二是或將重芯轉至化合物半導體領域，深化GaAs和GaN材料的研究和應用。