MOS管失效的兩個主(zhu)要原(yuan)因：

電(dian)壓失(shi)效：即漏源(yuan)間的BVdss電(dian)壓超過(guo)MOS管額定電(dian)壓，達到一定容量，造成MOS管失(shi)效。

柵電(dian)壓(ya)(ya)故障：柵極遭(zao)受異常電(dian)壓(ya)(ya)尖峰，造成柵氧層故障。

雪(xue)崩破壞到(dao)底是(shi)什么？簡單地說，MOS管(guan)(guan)是(shi)由母(mu)線電(dian)壓(ya)、變壓(ya)器反射電(dian)壓(ya)、漏感尖峰電(dian)壓(ya)等與MOS管(guan)(guan)之(zhi)間疊加(jia)而形成的(de)故障模(mo)式。簡而言之(zhi)，即MOS管(guan)(guan)漏源極的(de)電(dian)壓(ya)超過了它(ta)規定的(de)電(dian)壓(ya)值，并且達到(dao)了某一(yi)能(neng)量極限i時所產生的(de)常(chang)見故障。

造成(cheng)柵電壓(ya)異常(chang)(chang)高的主(zhu)要(yao)原因有三個：生(sheng)產、運輸和(he)裝(zhuang)配過(guo)程中(zhong)的靜電；設備和(he)電路寄生(sheng)參(can)數在電力系(xi)統運行過(guo)程中(zhong)產生(sheng)高壓(ya)諧振；在高壓(ya)沖擊時，高壓(ya)通過(guo)Ggd傳輸到電網(雷擊測試(shi)時這種故障(zhang)更為常(chang)(chang)見)。

公司成立于2013年7月，專注(zhu)從事單片機的(de)應(ying)用(yong)開發及生產，并提供(gong)全(quan)系列(lie)中低(di)壓MOS及電(dian)(dian)(dian)源(yuan)、鋰電(dian)(dian)(dian)IC等(deng)的(de)銷(xiao)售，在(zai)LED及小家電(dian)(dian)(dian)等(deng)消費類電(dian)(dian)(dian)子(zi)產品上應(ying)用(yong)廣泛，為您量身定(ding)制適合的(de)芯片方(fang)案(an)。

用(yong)電(dian)源IC立(li)即(ji)驅動MOS管

一個好的MOS管驅(qu)動(dong)電路有下面幾(ji)點(dian)規定(ding)：

（1）開關管(guan)啟用瞬間(jian)，WPmos管(guan)哪家好，驅(qu)動電路應能輸出非常(chang)大(da)的(de)電流，使MOS管(guan)柵源(yuan)極間(jian)工作(zuo)電壓快速(su)升(sheng)(sheng)高到所需值，確保開關管(guan)能迅速(su)開啟且不會有上升(sheng)(sheng)沿(yan)的(de)高頻率震蕩(dang)。

（2）電源開(kai)關(guan)通(tong)斷期內，驅動電路能確保MOS管柵源極(ji)間工作(zuo)電壓(ya)長期保持，且有(you)效(xiao)通(tong)導(dao)。

（3）關(guan)閉(bi)一(yi)瞬間(jian)驅動電(dian)路，能供應一(yi)個盡量低阻(zu)抗的通(tong)道，供MOS管(guan)柵源極間(jian)電(dian)容工作電(dian)壓的迅(xun)速泄流，確保(bao)開關(guan)管(guan)能迅(xun)速關(guan)閉(bi)。

（4）驅動(dong)電路構造(zao)簡易(yi)靠譜、耗(hao)損(sun)小。

（5）依(yi)據具(ju)體情況開(kai)展防護(hu)。

在控制模塊電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)中，常(chang)見(jian)的是電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)IC直接驅(qu)動(dong)MOS管(guan)。應用中，應當留意(yi)較大驅(qu)動(dong)高(gao)值電(dian)(dian)(dian)(dian)流量、MOS管(guan)的分布(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)容2個主要參數。電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)IC的驅(qu)動(dong)能(neng)力(li)(li)、MOS分布(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)容尺寸(cun)、驅(qu)動(dong)電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)器電(dian)(dian)(dian)(dian)阻(zu)值都將危害MOS管(guan)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)開關(guan)速率。假(jia)如挑選(xuan)MOS管(guan)分布(bu)電(dian)(dian)(dian)(dian)容較為大，電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)IC內部的驅(qu)動(dong)能(neng)力(li)(li)又不夠時(shi)，必須在驅(qu)動(dong)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)上提(ti)高(gao)驅(qu)動(dong)能(neng)力(li)(li)，常(chang)應用圖騰柱電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)提(ti)升電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)(yuan)IC驅(qu)動(dong)能(neng)力(li)(li)。

公司成立(li)于2013年7月，WPmos管，專注(zhu)從事單(dan)片機的(de)應(ying)用開(kai)發(fa)及生產，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的(de)銷售，在LED及小家電等消費(fei)類電子(zi)產品上應(ying)用廣泛，為您(nin)量(liang)身定制適合(he)的(de)芯片方案。

MOS管在開(kai)關(guan)電路里面(mian)起到的(de)作用就是控(kong)制電路的(de)通斷和信號(hao)的(de)轉換。MOS管大致(zhi)可分為兩大類：N溝(gou)道和P溝(gou)道。

在N溝(gou)道(dao)MOS管電(dian)(dian)(dian)路(lu)里，BEEP引腳是高電(dian)(dian)(dian)平(ping)就可以導通使(shi)得(de)蜂鳴器(qi)響應，WPmos管價格(ge)，低(di)電(dian)(dian)(dian)平(ping)則是關(guan)閉蜂鳴器(qi)。P溝(gou)道(dao)MOS管來(lai)控制GPS模(mo)塊電(dian)(dian)(dian)源的(de)通斷，GPS_PWR引腳是低(di)電(dian)(dian)(dian)平(ping)的(de)時(shi)候導通，GPS模(mo)塊則正(zheng)常地供電(dian)(dian)(dian)，高電(dian)(dian)(dian)平(ping)時(shi)使(shi)得(de)GPS模(mo)塊斷電(dian)(dian)(dian)。

P溝(gou)道(dao)MOS管在N型(xing)硅(gui)襯(chen)底(di)上(shang)P+區有(you)兩個：漏極和源極。這兩極彼此(ci)之(zhi)間(jian)并不通導(dao)，當在接地時源極上(shang)加(jia)有(you)足夠的(de)正(zheng)電(dian)壓，柵(zha)極下面(mian)的(de)N型(xing)硅(gui)表面(mian)就會浮現出P型(xing)的(de)反型(xing)層(ceng)，WPmos管廠家，變(bian)成連接漏極和源極的(de)溝(gou)道(dao)。改變(bian)柵(zha)極的(de)電(dian)壓可以使溝(gou)道(dao)里(li)的(de)空穴(xue)密(mi)度發生變(bian)化，因此(ci)來改變(bian)溝(gou)道(dao)電(dian)阻(zu)。這種就被稱(cheng)為(wei)P溝(gou)道(dao)增強型(xing)場(chang)效應(ying)晶體管。

NMOS的(de)特(te)性，Vgs只要大于一定(ding)的(de)數值便會導通，適用在(zai)源(yuan)極接地的(de)低(di)端驅(qu)動(dong)的(de)情況下，前提是柵極的(de)電(dian)壓達到4V或著10V就行。

PMOS的特性(xing)，與NMOS相反(fan)，在Vgs只要小于(yu)(yu)一(yi)定的數值便會導(dao)通，適用于(yu)(yu)源極接(jie)VCC時高i端驅動(dong)的情況下(xia)。但(dan)是(shi)，由于(yu)(yu)替換種類(lei)少，導(dao)通電阻大，價格貴等原因，盡管PMOS可以非(fei)常方便地用作(zuo)在高i端驅動(dong)的情況下(xia)，所以在高i端驅動(dong)中，一(yi)般都還是(shi)使用NMOS。

總的(de)來說，MOS管有(you)著很(hen)高的(de)輸入阻抗，在電(dian)路(lu)中方便直接耦合，比較容易制作成為(wei)規模(mo)大的(de)集成電(dian)路(lu) 。