下邊是MOS無效的六大緣故：

1：山(shan)崩無效（工(gong)作電(dian)壓(ya)無效），中低壓(ya)mos價格，也就是人們常說的漏源間的BVdss工(gong)作電(dian)壓(ya)超出MOSFET的額(e)定(ding)電(dian)流，而(er)且超出做到了一定(ding)的功能(neng)進而(er)導致MOSFET無效。

2：SOA無(wu)效（電(dian)流量無(wu)效），既超過MOSFET安全工(gong)作區造(zao)成(cheng)無(wu)效，分成(cheng)Id超過器件規(gui)格型號無(wu)效及(ji)其Id過大，耗損過高器件長期熱累積而(er)導致的無(wu)效。

3：體二(er)極管無效(xiao)(xiao)(xiao)：在橋式、LLC等有效(xiao)(xiao)(xiao)到體二(er)極管開(kai)展續流(liu)的網絡拓撲結構中(zhong)，中(zhong)低壓mos公司(si)，因(yin)為體二(er)極管遭到影響而(er)導(dao)致(zhi)的無效(xiao)(xiao)(xiao)。

4：串聯諧振無效(xiao)：在串聯應用(yong)的環節(jie)中，柵(zha)極(ji)及電源電路寄(ji)生參數(shu)導致波(bo)動造成的無效(xiao)。

5：靜電感(gan)應無效：在(zai)冬秋時(shi)節，因為身(shen)體及(ji)機器設備靜電感(gan)應而(er)導致的器件無效。

6：柵(zha)極(ji)工(gong)(gong)作電壓無效：因為柵(zha)極(ji)遭(zao)到出現(xian)異常工(gong)(gong)作電壓頂i峰，而導致柵(zha)極(ji)柵(zha)氧層無效。

公(gong)司(si)成立(li)于(yu)2013年7月，中低(di)壓(ya)mos廠家，專注從事單片機的(de)應(ying)用(yong)開發及(ji)(ji)生(sheng)產，中低(di)壓(ya)mos，并提供全系列中低(di)壓(ya)MOS及(ji)(ji)電源、鋰電IC等的(de)銷售，在LED及(ji)(ji)小家電等消費類(lei)電子產品上應(ying)用(yong)廣(guang)泛，為您量身(shen)定制適合的(de)芯片方案。

結型場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)管(guan)(guan)腳(jiao)(jiao)(jiao)識別：場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)柵極也(ye)就是(shi)晶(jing)體管(guan)(guan)的(de)(de)(de)那(nei)個基極，漏(lou)極和(he)源極分別是(shi)對應(ying)晶(jing)體管(guan)(guan)的(de)(de)(de)集電極和(he)發射極。把萬用表調到(dao)R×1k檔(dang)，用兩表筆(bi)分別去測量(liang)兩個管(guan)(guan)腳(jiao)(jiao)(jiao)間(jian)的(de)(de)(de)正(zheng)向(xiang)電阻和(he)反(fan)向(xiang)電阻。當某兩個管(guan)(guan)腳(jiao)(jiao)(jiao)間(jian)的(de)(de)(de)正(zheng)向(xiang)電阻=反(fan)向(xiang)電阻=KΩ的(de)(de)(de)時候，也(ye)就是(shi)這(zhe)兩個管(guan)(guan)腳(jiao)(jiao)(jiao)為(wei)源極S和(he)漏(lou)極D，剩(sheng)下(xia)的(de)(de)(de)管(guan)(guan)腳(jiao)(jiao)(jiao)就是(shi)柵極G。如果是(shi)4個管(guan)(guan)腳(jiao)(jiao)(jiao)的(de)(de)(de)結型場(chang)效應(ying)管(guan)(guan)，另外的(de)(de)(de)一極則是(shi)使用中(zhong)接地的(de)(de)(de)屏蔽極。

一般是(shi)(shi)金屬(shu)(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效(xiao)應(ying)晶體管(guan)(guan)，或者稱(cheng)是(shi)(shi)金屬(shu)—絕緣(yuan)體(insulator)—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏(lou)極。MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)source（源極）和drain（耗盡層）是(shi)(shi)可以對(dui)調的(de)(de)(de)，他們(men)都是(shi)(shi)在P型(xing)(xing)backgate中形(xing)成的(de)(de)(de)N型(xing)(xing)區(qu)。在多(duo)數(shu)情(qing)況(kuang)下，這個兩個區(qu)是(shi)(shi)一樣的(de)(de)(de)，即使兩端對(dui)調也不會影響器件(jian)的(de)(de)(de)性能。這樣的(de)(de)(de)器件(jian)被認為是(shi)(shi)對(dui)稱(cheng)的(de)(de)(de)。場效(xiao)應(ying)管(guan)(guan)分為PMOS管(guan)(guan)（P溝(gou)道型(xing)(xing)）和NMOS（N溝(gou)道型(xing)(xing)）管(guan)(guan)，屬(shu)于(yu)絕緣(yuan)柵場效(xiao)應(ying)管(guan)(guan)。