對(dui)圓周(zhou)方向的(de)電(dian)阻(zu)值的(de)不均勻依然無(wu)法改善。

此外(wai)，采用(yong)連續硫化(hua)(hua)(hua)法(fa)時，純金(jin)靶材誰家好，如果硫化(hua)(hua)(hua)時的熱傳遞沒有設法(fa)盡量(liang)達到均勻，則擠壓(ya)后的硫化(hua)(hua)(hua)速度不一致，純金(jin)靶材回收，這樣可能(neng)電阻(zu)值的不均勻程度反(fan)而大于間歇式硫化(hua)(hua)(hua)法(fa)。特別是在圓(yuan)周方向上(shang)這種傾向更顯(xian)著(zhu)。

采用連續(xu)硫化法時，在擠(ji)壓機的擠(ji)壓筒(tong)內的半徑方向上有非常大(da)的剪切速度分(fen)布，這可能會影響(xiang)電(dian)子導(dao)電(dian)性填充劑(ji)的分(fen)散(san)。

在(zai)儲存(cun)技術方面，高密度(du)(du)、大容量(liang)硬(ying)盤(pan)的(de)(de)(de)(de)發(fa)展(zhan)(zhan)，需(xu)要(yao)大量(liang)的(de)(de)(de)(de)巨(ju)磁(ci)(ci)阻薄膜材(cai)料，CoF~Cu多(duo)層復合(he)膜是如今應用(yong)廣(guang)泛的(de)(de)(de)(de)巨(ju)磁(ci)(ci)阻薄膜結(jie)(jie)構(gou)(gou)。磁(ci)(ci)光盤(pan)需(xu)要(yao)的(de)(de)(de)(de)TbFeCo合(he)金(jin)靶材(cai)還在(zai)進一步發(fa)展(zhan)(zhan)，用(yong)它制造的(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)光盤(pan)具(ju)有存(cun)儲容量(liang)大，壽命長，可反復無接觸擦寫的(de)(de)(de)(de)特點。如今開(kai)發(fa)出來(lai)的(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)光盤(pan)，寧夏純金(jin)靶材(cai)，具(ju)有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的(de)(de)(de)(de)層復合(he)膜結(jie)(jie)構(gou)(gou)，TbFeCo/AI結(jie)(jie)構(gou)(gou)的(de)(de)(de)(de)Kerr旋(xuan)轉角(jiao)達到58，純金(jin)靶材(cai)哪家好，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經過研究發(fa)現，低磁(ci)(ci)導(dao)率的(de)(de)(de)(de)靶材(cai)高交流局部放電(dian)電(dian)壓(ya)l抗電(dian)強度(du)(du)。

鍍膜(mo)靶材是通過磁控(kong)濺射、多弧離子鍍或其他類型的(de)(de)(de)鍍膜(mo)系(xi)統在(zai)(zai)適當工(gong)藝(yi)條件下濺射在(zai)(zai)基(ji)板(ban)上(shang)形成各種(zhong)功能(neng)薄(bo)膜(mo)的(de)(de)(de)濺射源(yuan)。簡單說的(de)(de)(de)話，靶材就是高速荷(he)能(neng)粒子轟擊的(de)(de)(de)目標材料，用于(yu)高能(neng)激(ji)光中，不同(tong)功率(lv)密度、不同(tong)輸出波形、不同(tong)波長的(de)(de)(de)激(ji)光與(yu)不同(tong)的(de)(de)(de)靶材相互(hu)作用時(shi)，會產生不同(tong)的(de)(de)(de)殺傷破壞效應。例如(ru)：蒸(zheng)發磁控(kong)濺射鍍膜(mo)是加熱蒸(zheng)發鍍膜(mo)、鋁(lv)膜(mo)等。更換不同(tong)的(de)(de)(de)靶材（如(ru)鋁(lv)、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同(tong)的(de)(de)(de)膜(mo)系(xi)（如(ru)超硬(ying)、耐磨、防腐(fu)的(de)(de)(de)合(he)金膜(mo)等）。