在所(suo)有應用產業中，半導體(ti)(ti)產業對靶(ba)(ba)(ba)材濺射(she)薄(bo)膜的(de)(de)品質要求(qiu)是(shi)苛刻的(de)(de)。如今12英寸(cun)（300衄口(kou)）的(de)(de)硅晶片(pian)已制(zhi)(zhi)造出(chu)來．而互(hu)連線的(de)(de)寬度卻在減(jian)小。硅片(pian)制(zhi)(zhi)造商對靶(ba)(ba)(ba)材的(de)(de)要求(qiu)是(shi)大(da)尺(chi)寸(cun)、高純(chun)(chun)度、低偏析和細晶粒(li)，這就要求(qiu)所(suo)制(zhi)(zhi)造的(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)材具有更好(hao)的(de)(de)微觀(guan)結(jie)構。靶(ba)(ba)(ba)材的(de)(de)結(jie)晶粒(li)子直(zhi)徑和均勻性已被認為(wei)是(shi)影響薄(bo)膜沉積率的(de)(de)關鍵因素(su)。另外(wai)，銀圓柱靶(ba)(ba)(ba)廠(chang)家，薄(bo)膜的(de)(de)純(chun)(chun)度與靶(ba)(ba)(ba)材的(de)(de)純(chun)(chun)度關系(xi)極大(da)，過99.995%（4N5）純(chun)(chun)度的(de)(de)銅靶(ba)(ba)(ba)，銀圓柱靶(ba)(ba)(ba)價格，或許能夠滿足(zu)半導體(ti)(ti)廠(chang)商0.35pm工藝的(de)(de)需求(qiu)，但是(shi)卻無法滿足(zu)如今0.25um的(de)(de)工藝要求(qiu)。

由于具有的(de)物理化(hua)(hua)(hua)學性(xing)能，當代科(ke)學技(ji)術(shu)的(de)飛速發展，內(nei)蒙銀圓(yuan)柱靶，將(jiang)會越來越多的(de)應(ying)用(yong)于國(guo)民(min)經濟(ji)中的(de)航(hang)空(kong)、航(hang)天、航(hang)海、火箭、原(yuan)子能、微電子技(ji)術(shu)等高科(ke)技(ji)領(ling)域及石油化(hua)(hua)(hua)工、化(hua)(hua)(hua)學工業、汽車尾(wei)氣凈化(hua)(hua)(hua)等與(yu)人(ren)類生活息息相關(guan)的(de)領(ling)域，并在眾多的(de)應(ying)用(yong)領(ling)域中起著關(guan)鍵的(de)的(de)作(zuo)用(yong)，因(yin)此被譽為(wei)(wei)“首(shou)要高技(ji)術(shu)金屬(shu)”、“現代工業的(de)維生素”“現代新金屬(shu)”，發達的(de)國(guo)家長期以來一直把視為(wei)(wei)“戰略性(xing)物質”。

半導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)膠輥(gun)(gun)通常用在復印機、電(dian)(dian)(dian)子傳真裝置等辦(ban)公設備(bei)中。半導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)膠輥(gun)(gun)屬(shu)于半導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)元件，且電(dian)(dian)(dian)阻值受環境(jing)影響(xiang)較大，對產品(pin)的(de)(de)(de)導(dao)(dao)(dao)電(dian)(dian)(dian)性(xing)要(yao)求極其(qi)嚴格，因(yin)為打(da)印的(de)(de)(de)全過程是碳粉(fen)通過電(dian)(dian)(dian)場的(de)(de)(de)壓力(li)來實施，所以輕微的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)性(xing)誤差將導(dao)(dao)(dao)致(zhi)在打(da)印過程中文字和圖片(pian)深淺不一(yi)的(de)(de)(de)現象。因(yin)此(ci)需精(jing)密(mi)的(de)(de)(de)量(liang)(liang)測(ce)，故要(yao)求有一(yi)套高精(jing)密(mi)的(de)(de)(de)量(liang)(liang)測(ce)系統來支持，方能達(da)到產品(pin)的(de)(de)(de)設計要(yao)求。