在屏蔽刪除(chu)MOS時，有(you)幾個注(zhu)意事項(xiang)(xiang)需要考慮。首先需要注(zhu)意的(de)(de)是備份(fen)數據的(de)(de)重(zhong)要性：一旦進行(xing)操作就會(hui)丟失(shi)原有(you)的(de)(de)內容無法恢復；其次不能選(xuan)擇(ze)全(quan)選(xuan)文檔或者ctrl+A這(zhe)樣會(hui)把(ba)多(duo)余的(de)(de)空行(xing)選(xuan)中刪掉去除(chu)掉了且不保留(liu)段落號和首字母(mu)大(da)寫的(de)(de)問題以及一些好的(de)(de)格式選(xuan)項(xiang)(xiang)、還有(you)某些功(gong)能注(zhu)釋等重(zhong)要信(xin)息會(hui)導致文件(jian)缺(que)失(shi)或不可用。

Trenchmos配(pei)件(jian)主(zhu)要(yao)(yao)有以(yi)(yi)下(xia)幾(ji)(ji)個(ge)部分：1.導電(dian)片(pian)。它(ta)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)主(zhu)要(yao)(yao)功(gong)能是(shi)(shi)讓引(yin)線(xian)與基板表面間不導通，并使加(jia)在(zai)(zai)絕(jue)緣體(ti)(ti)上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)壓降小(xiao)（這主(zhu)要(yao)(yao)是(shi)(shi)針(zhen)對(dui)橫向(xiang)型(xing)器件(jian)）。它(ta)是(shi)(shi)通過(guo)將(jiang)兩層銅箔分別(bie)置(zhi)于(yu)溝槽(cao)上、下(xia)實現這一(yi)(yi)(yi)功(gong)能的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。由于(yu)電(dian)流限制(zhi)方向(xiang)是(shi)(shi)由半導體(ti)(ti)邊緣指向(xiang)t腿(tui)部金叉形(xing)部位，中(zhong)(zhong)低壓mos，所以(yi)(yi)稱(cheng)為“電(dian)極”。此外也(ye)稱(cheng)作(zuo)Bumper、Armoring等(deng)，中(zhong)(zhong)低壓mos設計思路(lu)，其主(zhu)要(yao)(yao)作(zuo)用(yong)(yong)是(shi)(shi)為MOS提(ti)供的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)擊穿通道.在(zai)(zai)制(zhi)造中(zhong)(zhong)從成(cheng)(cheng)本考慮也(ye)可采用(yong)(yong)簡單方法直接用(yong)(yong)電(dian)極卷繞絲(si)或金屬壓敏電(dian)阻代替(注:雖然(ran)兩者均被稱(cheng)為Bump但(dan)在(zai)(zai)具體(ti)(ti)結構上有較(jiao)大區別(bie))。這是(shi)(shi)常見的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)類(lei)型(xing)之一(yi)(yi)(yi)(目(mu)前應(ying)用(yong)(yong)廣)，中(zhong)(zhong)低壓mos多(duo)少錢，一(yi)(yi)(yi)般用(yong)(yong)04或377-2等(deng)型(xing)號的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)貼片(pian)機(ji)來(lai)生(sheng)產(chan)(chan)裝(zhuang)配(pei)它(ta)主(zhu)要(yao)(yao)用(yong)(yong)于(yu)功(gong)率(lv)MOSFET和IGBT中(zhong)(zhong)。。其中(zhong)(zhong)又分為有粘性的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)和沒(mei)有沾性的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)兩種(zhong)形(xing)式不同之處在(zai)(zai)于(yu)bumps有一(yi)(yi)(yi)個(ge)突出的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)小(xiao)點還有一(yi)(yi)(yi)種(zhong)bendingtype它(ta)是(shi)(shi)在(zai)(zai)成(cheng)(cheng)品率(lv)高(gao)低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)分界線(xian)上的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)一(yi)(yi)(yi)種(zhong)產(chan)(chan)品這種(zhong)產(chan)(chan)品的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)四周都有凸起的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)圓弧根(gen)據需要(yao)(yao)可以(yi)(yi)調整(zheng)高(gao)低程度其優(you)點是(shi)(shi)可以(yi)(yi)提(ti)高(gao)封裝(zhuang)良(liang)率(lv)同時還可以(yi)(yi)降低制(zhi)造成(cheng)(cheng)本因此被廣泛應(ying)用(yong)(yong)并且已經形(xing)成(cheng)(cheng)產(chan)(chan)業化的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)生(sheng)產(chan)(chan)線(xian)了(le)。除了(le)上述幾(ji)(ji)種(zhong)外還有另外一(yi)(yi)(yi)種(zhong)形(xing)式的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)Troughmos，它(ta)在(zai)(zai)晶體(ti)(ti)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)表面上開了(le)很(hen)(hen)多(duo)凹坑(keng)這些凹形(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)位置(zhi)是(shi)(shi)要(yao)(yao)沉(chen)積半封料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)位置(zhi)然(ran)后將(jiang)需要(yao)(yao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)突起處鍍銀后進行鍵(jian)摸再覆蓋一(yi)(yi)(yi)層保護膜完成(cheng)(cheng)制(zhi)作(zuo)過(guo)程這種(zhong)工(gong)藝要(yao)(yao)求比較(jiao)高(gao)但(dan)是(shi)(shi)形(xing)成(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)管腳比較(jiao)細而且很(hen)(hen)長(chang)如果做出來(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)尺寸不是(shi)(shi)預期結果就需要(yao)(yao)重(zhong)新加(jia)工(gong)。”'不同的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)材料(liao)會有自己(ji)特定的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)失效機(ji)理所以(yi)(yi)在(zai)(zai)設計時需要(yao)(yao)考慮各種(zhong)情況可能會發生(sheng)哪(na)種(zhong)影響因。'

NMOS（Negative-ChannelMetalOxideSemiconductor）是(shi)(shi)一種基(ji)于金屬氧(yang)(yang)化(hua)物半導(dao)體晶(jing)(jing)體管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)技(ji)(ji)(ji)術(shu)，其(qi)(qi)(qi)導(dao)電(dian)(dian)(dian)溝道(dao)為負電(dian)(dian)(dian)荷。這種技(ji)(ji)(ji)術(shu)通常(chang)(chang)用(yong)于制(zhi)造(zao)高(gao)速、低功(gong)耗的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子設(she)(she)備(bei)和(he)計算機芯片等(deng)(deng)(deng)(deng)應(ying)用(yong)領域中(zhong)(zhong)所(suo)(suo)需的(de)(de)(de)(de)(de)(de)組件和(he)電(dian)(dian)(dian)路(lu)設(she)(she)計上實現(xian)邏輯運(yun)算等(deng)(deng)(deng)(deng)功(gong)能(neng)時需要(yao)(yao)(yao)考慮以(yi)(yi)下因素(su)：1.器件尺寸(cun)與(yu)工藝控(kong)制(zhi)-Nmos的(de)(de)(de)(de)(de)(de)設(she)(she)計需要(yao)(yao)(yao)考慮到設(she)(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)結(jie)構(gou)參(can)數以(yi)(yi)及生產(chan)(chan)過程中(zhong)(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)可控(kong)性(xing)等(deng)(deng)(deng)(deng)因素(su)；例如使(shi)用(yong)高(gao)濃(nong)度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)摻(chan)雜劑來(lai)增加漏極電(dian)(dian)(dian)流并減少閾值電(dian)(dian)(dian)壓(ya)以(yi)(yi)優化(hua)P型MOSFET的(de)(de)(de)(de)(de)(de)性(xing)能(neng)特征和(he)使(shi)用(yong)合(he)適的(de)(de)(de)(de)(de)(de)柵氧(yang)(yang)層材(cai)料(liao)等(deng)(deng)(deng)(deng)等(deng)(deng)(deng)(deng)都是(shi)(shi)非(fei)常(chang)(chang)關(guan)(guan)鍵的(de)(de)(de)(de)(de)(de)因素(su)之一。20世紀9年代中(zhong)(zhong)期(qi)之前主(zhu)要(yao)(yao)(yao)采用(yong)垂直結(jie)構(gou)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)Czochralski方法(fa)生長(chang)(chang)單(dan)晶(jing)(jing)硅(gui)多(duo)晶(jing)(jing)薄膜制(zhi)備(bei)場效應(ying)管(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)襯底和(he)控(kong)制(zhi)膜厚度(du)等(deng)(deng)(deng)(deng)技(ji)(ji)(ji)術(shu)是(shi)(shi)影(ying)響當(dang)時mOSFet質量的(de)(de)(de)(de)(de)(de)關(guan)(guan)鍵所(suo)(suo)在(zai)(zai)(zai)(zai)3隨后逐漸發(fa)(fa)展出(chu)水(shui)平外(wai)延片拉制(zhi)法(fa)并在(zai)(zai)(zai)(zai)后期(qi)逐步替代了原來(lai)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)z向(xiang)冶金結(jie)合(he)方式(shi)(shi)成(cheng)為主(zhu)流的(de)(de)(de)(de)(de)(de)生長(chang)(chang)方法(fa)是(shi)(shi)直拉式(shi)(shi)路(lu)線(RTP)而(er)其(qi)(qi)(qi)中(zhong)(zhong)所(suo)(suo)使(shi)用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)原料(liao)主(zhu)要(yao)(yao)(yao)是(shi)(shi)6英寸(cun)或多(duo)對一石英坩鍋及石墨陽舟(zhou)金剛砂等(deng)(deng)(deng)(deng)多(duo)組分混合(he)料(liao)在(zai)(zai)(zai)(zai)加熱過程中(zhong)(zhong)發(fa)(fa)生熔融(rong)后形成(cheng)液固(gu)兩相(xiang)反(fan)應(ying)合(he)成(cheng)SiO玻璃體或稱其(qi)(qi)(qi)為中(zhong)(zhong)間化(hua)合(he)物其(qi)(qi)(qi)主(zhu)要(yao)(yao)(yao)成(cheng)分包括二氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)B2oS4CaSo5MgQsZrFsHfAs等(deng)(deng)(deng)(deng)雜質元素(su)則根(gen)據需要(yao)(yao)(yao)進(jin)(jin)行(xing)添加當(dang)溫(wen)(wen)(wen)度(du)降低之后將所(suo)(suo)得(de)半固(gu)態漿料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)流變性(xing)控(kong)制(zhi)在(zai)(zai)(zai)(zai)一定(ding)范(fan)(fan)圍內經過注塑成(cheng)型的(de)(de)(de)(de)(de)(de)薄殼狀顆粒(li)即為終態生科用(yong)做下一輪(lun)提純工序的(de)(de)(de)(de)(de)(de)主(zhu)要(yao)(yao)(yao)原輔物料(liao)來(lai)源(yuan)此(ci)外(wai)還需要(yao)(yao)(yao)考慮如何提高(gao)材(cai)料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)穩定(ding)性(xing)可靠性(xing)壽命等(deng)(deng)(deng)(deng)方面的(de)(de)(de)(de)(de)(de)問題以(yi)(yi)保(bao)證(zheng)產(chan)(chan)品的(de)(de)(de)(de)(de)(de)長(chang)(chang)期(qi)穩定(ding)性(xing)和(he)使(shi)用(yong)壽命安全(quan)性(xing)等(deng)(deng)(deng)(deng)問題同時由于不同材(cai)質之間的(de)(de)(de)(de)(de)(de)熱膨脹系數存在(zai)(zai)(zai)(zai)差異也(ye)會(hui)導(dao)致產(chan)(chan)品在(zai)(zai)(zai)(zai)使(shi)用(yong)過程當(dang)中(zhong)(zhong)出(chu)現(xian)裂紋等(deng)(deng)(deng)(deng)現(xian)象的(de)(de)(de)(de)(de)(de)發(fa)(fa)生因此(ci)需要(yao)(yao)(yao)對產(chan)(chan)品設(she)(she)計進(jin)(jin)行(xing)嚴格把控(kong)確(que)保(bao)不會(hui)因為這些因素(su)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)影(ying)響而(er)導(dao)致終的(de)(de)(de)(de)(de)(de)產(chan)(chan)品失效或者產(chan)(chan)生其(qi)(qi)(qi)他不良的(de)(de)(de)(de)(de)(de)影(ying)響從而(er)影(ying)響到整個系統(tong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)正常(chang)(chang)運(yun)行(xing)為了保(bao)證(zheng)系統(tong)運(yun)行(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)可靠性(xing)與(yu)行(xing)必須要(yao)(yao)(yao)保(bao)證(zheng)每(mei)個部(bu)件都符合(he)相(xiang)關(guan)(guan)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)標準要(yao)(yao)(yao)求尤(you)其(qi)(qi)(qi)對于散熱器的(de)(de)(de)(de)(de)(de)設(she)(she)計和(he)選(xuan)擇更(geng)應(ying)該引(yin)起足夠的(de)(de)(de)(de)(de)(de)重視當(dang)前大部(bu)分發(fa)(fa)動(dong)機仍然采用(yong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)是(shi)(shi)水(shui)冷的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方式(shi)(shi)利用(yong)水(shui)和(he)鋁基(ji)缸(gang)套組成(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)閉環冷卻系統(tong)中(zhong)(zhong)水(shui)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)沸點隨著(zhu)外(wai)界氣(qi)溫(wen)(wen)(wen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)變化(hua)發(fa)(fa)生變化(hua)受到節溫(wen)(wen)(wen)器控(kong)制(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)進(jin)(jin)水(shui)壓(ya)力水(shui)溫(wen)(wen)(wen)控(kong)制(zhi)系統(tong)作用(yong)在(zai)(zai)(zai)(zai)于維持相(xiang)對恒定(ding)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)88~c范(fan)(fan)圍可以(yi)(yi)保(bao)護(hu)換(huan)熱的(de)(de)(de)(de)(de)(de)正常(chang)(chang)發(fa)(fa)揮并且在(zai)(zai)(zai)(zai)部(bu)分負荷情況下進(jin)(jin)水(shui)管(guan)也(ye)起著(zhu)防止結(jie)垢的(de)(de)(de)(de)(de)(de)作用(yong)