公(gong)司成立于2013年(nian)7月，專(zhuan)注從事單片機的應(ying)用開(kai)發及(ji)生產(chan)，并提供全系列中(zhong)低(di)壓MOS及(ji)電(dian)(dian)源、鋰(li)電(dian)(dian)IC等(deng)(deng)的銷售(shou)，在LED及(ji)小家電(dian)(dian)等(deng)(deng)消費類電(dian)(dian)子產(chan)品上應(ying)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案(an)。

 MOS管導通(tong)的(de)意思就(jiu)是將其(qi)做為開關，等(deng)同(tong)于(yu)開關合閉。NMOS的(de)特(te)點是當(dang)Vgs超過限定的(de)值時就(jiu)會(hui)導通(tong)，適(shi)用與源極(ji)接(jie)地裝(zhuang)置的(de)狀況，2090mos萬(wan)芯半導體，只需柵壓電壓做到4V或10V就(jiu)可以了。而PMOS的(de)特(te)點則是當(dang)Vgs低于(yu)一(yi)定的(de)值就(jiu)會(hui)導通(tong)，適(shi)用與源極(ji)接(jie)Vcc的(de)狀況。可是，盡管PMOS能夠很(hen)便捷的(de)作為高(gao)(gao)i檔驅(qu)動(dong)，但因為導通(tong)電阻器大、價(jia)錢成本高(gao)(gao)、更換類型少(shao)等(deng)緣故，在高(gao)(gao)i檔驅(qu)動(dong)中，一(yi)般都用NMOS。

公司成立于(yu)2013年7月，專注從事單片機(ji)的(de)應(ying)用(yong)開發及(ji)生產，并提供(gong)全系列中低壓MOS及(ji)電源、鋰(li)電IC等的(de)銷(xiao)售(shou)，在(zai)LED及(ji)小家電等消費(fei)類電子產品上應(ying)用(yong)廣泛，為您量身(shen)定制適(shi)合的(de)芯(xin)片方案。

MOS管(guan)(guan)制造(zao)商采用RDS(ON)參(can)數(shu)(shu)來定(ding)(ding)義導(dao)通(tong)阻(zu)抗，對(dui)開(kai)關(guan)應用來說，RDS(ON)也(ye)是(shi)重要(yao)的(de)(de)器(qi)件特性。數(shu)(shu)據手冊定(ding)(ding)義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以(yi)及流(liu)經開(kai)關(guan)的(de)(de)電流(liu)有關(guan)，但對(dui)于充分的(de)(de)柵極驅動，RDS(ON)是(shi)一個相(xiang)對(dui)靜態參(can)數(shu)(shu)。一直處于導(dao)通(tong)的(de)(de)MOS管(guan)(guan)很容易發熱。另外，慢(man)(man)慢(man)(man)升高的(de)(de)結(jie)(jie)溫也(ye)會(hui)導(dao)致RDS(ON)的(de)(de)增加。MOS管(guan)(guan)數(shu)(shu)據手冊規定(ding)(ding)了熱阻(zu)抗參(can)數(shu)(shu)，余姚2090mos，其(qi)定(ding)(ding)義為(wei)MOS管(guan)(guan)封裝的(de)(de)半導(dao)體結(jie)(jie)散熱能力。RθJC的(de)(de)簡單的(de)(de)定(ding)(ding)義是(shi)結(jie)(jie)到管(guan)(guan)殼(ke)的(de)(de)熱阻(zu)抗。

公司成立(li)于2013年7月，專(zhuan)注從事單片機的(de)(de)應(ying)用(yong)開(kai)發(fa)及生產，WP2090mos，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的(de)(de)銷售(shou)，在LED及小(xiao)家(jia)電等消費(fei)類電子產品上應(ying)用(yong)廣泛，為您量身(shen)定制適(shi)合(he)的(de)(de)芯(xin)片方案。

在開(kai)關電(dian)源(yuan)應用方面，這種應用需要(yao)MOS管定期(qi)導(dao)通(tong)和關斷。比如，DC-DC電(dian)源(yuan)中(zhong)常用的基本(ben)降i壓轉換器依賴兩(liang)個MOS管來(lai)執行(xing)開(kai)關功能，這些開(kai)關交替在電(dian)感(gan)里存儲能量(liang)，2090mos生(sheng)產(chan)廠家，然后把能量(liang)釋(shi)放給負(fu)載。我們(men)常選(xuan)擇數百kHz乃至(zhi)1MHz以上(shang)的頻率(lv)，因為頻率(lv)越高，磁(ci)性元件可以更(geng)小更(geng)輕。在正常工作(zuo)期(qi)間，MOS管只相當于(yu)一個導(dao)體。因此，我們(men)電(dian)路或者(zhe)電(dian)源(yuan)設(she)計人員關心的是MOS的傳(chuan)導(dao)損耗。