EEPROM存儲器特點

1.非易失(shi)性：EEPROM存(cun)儲器在斷(duan)電后(hou)仍能保(bao)持數據(ju)不丟(diu)失(shi)，適用于需要長期保(bao)存(cun)數據(ju)的場景(jing)。

2.可(ke)擦除性(xing)：EEPROM存(cun)儲器可(ke)實現逐(zhu)字(zi)節擦除，方便用(yong)戶對(dui)數據(ju)進行(xing)修改(gai)。

3.可編程性：用戶可根據(ju)需求對EEPROM存儲器進行編程，實(shi)現(xian)數(shu)據(ju)的寫入和(he)讀取。

4.高(gao)可靠性：EEPROM存儲(chu)器具有較高(gao)的數據保(bao)持(chi)能力和(he)耐久性，保(bao)證了(le)數據的可靠性。

5.兼(jian)容性好：EEPROM存儲器(qi)與標準(zhun)微(wei)處理器(qi)接口兼(jian)容，易于集成到各種(zhong)系統(tong)中。

隨著技(ji)術的(de)不斷進步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，電可(ke)擦除可(ke)編程(cheng)只(zhi)讀存(cun)儲器）來了，210度(du)只(zhi)讀存(cun)儲器介紹，解決了ROM過去(qu)歷(li)史中存(cun)在一些問(wen)題(ti)。

早期的EEPROM: 早期的EEPROM的特點是可以(yi)隨(sui)機(ji)訪問(wen)和修改任何一個字(zi)節(jie)，可以(yi)往每(mei)個bit中寫入0或(huo)者(zhe)1，現在基本以(yi)字(zi)節(jie)為單位(wei)了(le)。

早期的EEPROM具(ju)有較高(gao)的可靠性，但是電路更復(fu)雜(za)，其成(cheng)本也(ye)更高(gao)，因此EEPROM的容量都很小，從幾(ji)KB到幾(ji)百KB不(bu)(bu)等。（有點類似前面說的因為(wei)工藝和(he)制造成(cheng)本的原(yuan)因，RAM的容量也(ye)不(bu)(bu)大）。 如今的EEPROM支持連(lian)續多字節(jie)讀寫操(cao)作了(le)，算是已經發展到很厲害的水平了(le)。

Flash 儲(chu)(chu)存(cun)器的(de)(de)標準物(wu)理結構，稱之為(wei)基本(ben)位（cell）；一般MOS閘(zha)極（Gate）和通道的(de)(de)間(jian)隔(ge)為(wei)氧化層(ceng)之絕緣（gate oxide），只讀存(cun)儲(chu)(chu)器，而Flash 儲(chu)(chu)存(cun)器的(de)(de)特色是在(zai)控制閘(zha)（Control gate）與通道間(jian)多了一層(ceng)稱為(wei)“浮(fu)閘(zha)”（floating gate）的(de)(de)物(wu)質。拜(bai)這層(ceng)浮(fu)閘(zha)之賜，使得Flash 儲(chu)(chu)存(cun)器可快速完成讀、寫、抹(mo)除(chu)等三種基本(ben)操作模式(shi)；就算(suan)在(zai)不提供(gong)電源給內存(cun)的(de)(de)環(huan)境下，也能透過此浮(fu)閘(zha)，來保存(cun)數據的(de)(de)完整性(xing)。