公(gong)司成立于2013年7月，萬芯(xin)mos管公(gong)司，專注從事單片(pian)(pian)機的應(ying)用開發及(ji)生產，并提供全系列中低壓MOS及(ji)電源、鋰電IC等(deng)(deng)的銷售(shou)，在LED及(ji)小家電等(deng)(deng)消費類電子(zi)產品上應(ying)用廣泛，為您量身定(ding)制適合的芯(xin)片(pian)(pian)方案。

MOS，萬芯(xin)mos管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金(jin)屬-氧(yang)化物半(ban)導體場效(xiao)應晶體管，簡稱(cheng)金(jin)氧(yang)半(ban)場效(xiao)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

公司成立于(yu)2013年7月，專注(zhu)從(cong)事單(dan)片(pian)機的應用(yong)(yong)開發(fa)及(ji)(ji)生產(chan)，并提供(gong)全系列中低壓MOS及(ji)(ji)電源、鋰電IC等的銷售，在LED及(ji)(ji)小家電等消費類(lei)電子產(chan)品上應用(yong)(yong)廣泛，為您量身定制適合的芯片(pian)方案(an)。

場效應(ying)管的(de)主要參數(shu)有很(hen)多(duo)種，其中包含直流(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)、交流(liu)(liu)電(dian)流(liu)(liu)的(de)參數(shu)和極(ji)限參數(shu)，但(dan)一般應(ying)用時只需(xu)關心下列(lie)基本參數(shu)：飽和狀態的(de)漏源(yuan)(yuan)電(dian)流(liu)(liu)量(liang)IDSS夾斷電(dian)壓(ya)Up，萬芯mos管價格(ge)，跨導gm、漏源(yuan)(yuan)擊穿(chuan)電(dian)壓(ya)BUDS、較大損耗輸出功率PDSM和較大漏源(yuan)(yuan)電(dian)流(liu)(liu)量(liang)IDSM。

公司成立于(yu)2013年7月(yue)，專注(zhu)從事單片(pian)機的應用(yong)開發及(ji)(ji)生產(chan)，萬(wan)芯mos管(guan)報價，并提供全系列中低(di)壓MOS及(ji)(ji)電(dian)源(yuan)、鋰電(dian)IC等的銷售，在LED及(ji)(ji)小家電(dian)等消費類(lei)電(dian)子產(chan)品上應用(yong)廣泛，為您(nin)量身定制適合的芯片(pian)方案。

結(jie)型場(chang)(chang)效應管(guan)(guan)的(de)(de)管(guan)(guan)腳識(shi)別：場(chang)(chang)效應管(guan)(guan)的(de)(de)柵(zha)極(ji)也就是(shi)(shi)晶體管(guan)(guan)的(de)(de)那個基極(ji)，漏極(ji)和源(yuan)極(ji)分別是(shi)(shi)對(dui)應晶體管(guan)(guan)的(de)(de)集電(dian)極(ji)和發射極(ji)。把(ba)萬用表(biao)調到(dao)R×1k檔，用兩表(biao)筆分別去測(ce)量兩個管(guan)(guan)腳間的(de)(de)正向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)阻(zu)和反(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)阻(zu)。當某兩個管(guan)(guan)腳間的(de)(de)正向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)阻(zu)=反(fan)向(xiang)(xiang)(xiang)電(dian)阻(zu)=KΩ的(de)(de)時候，也就是(shi)(shi)這兩個管(guan)(guan)腳為源(yuan)極(ji)S和漏極(ji)D，剩下(xia)的(de)(de)管(guan)(guan)腳就是(shi)(shi)柵(zha)極(ji)G。如果是(shi)(shi)4個管(guan)(guan)腳的(de)(de)結(jie)型場(chang)(chang)效應管(guan)(guan)，另外的(de)(de)一極(ji)則是(shi)(shi)使用中接地(di)的(de)(de)屏蔽極(ji)。