金(jin)屬靶材就是高(gao)速荷能粒(li)子轟擊的目標材料。有金(jin)屬類、合金(jin)類、氧化物類等等。

簡單說的話，例如(ru)：蒸(zheng)(zheng)發磁控(kong)濺射鍍膜是加熱(re)蒸(zheng)(zheng)發鍍膜......鋁(lv)(lv)膜等。更(geng)換不(bu)同(tong)(tong)的靶(ba)(ba)材（如(ru)鋁(lv)(lv)、銅、不(bu)銹鋼(gang)、鈦、鎳靶(ba)(ba)等），即可得到不(bu)同(tong)(tong)的膜系（如(ru)超硬、耐磨、防腐的合(he)金膜等）。

應(ying)用于顯示屏的阻擋(dang)層或調色層，筆記(ji)本電(dian)腦(nao)的裝(zhuang)飾層、電(dian)池的封裝(zhuang)等.

區域提純后的(de)(de)金屬鍺，其錠(ding)底表(biao)面上的(de)(de)電阻率為30～50歐姆  厘(li)米(mi)時，純度(du)相當于(yu)8～9，可以滿足電子器件(jian)的(de)(de)要求(qiu)。但對于(yu)雜質(zhi)濃度(du)小于(yu)[KG2]10原子/厘(li)米(mi)[KG2]的(de)(de)探測器級超純鍺，則(ze)尚須經過特殊處理。

由(you)于鍺(zang)中有少(shao)數雜(za)質(zhi)(zhi)如(ru)磷、鋁、硅、硼的(de)(de)(de)分配系數接(jie)近于1或大于1，要加強化(hua)學提(ti)(ti)純方法(fa)除去這(zhe)些雜(za)質(zhi)(zhi)，然后再進(jin)行區(qu)熔提(ti)(ti)純。電子(zi)級純的(de)(de)(de)區(qu)熔鍺(zang)錠(ding)用(yong)霍爾(er)效應測(ce)量(liang)雜(za)質(zhi)(zhi)（載(zai)流子(zi)）濃度，貴金屬(shu)靶材(cai)廠家(jia)，一般(ban)可達10～10原子(zi)/厘(li)米(mi)。經(jing)切(qie)頭去尾，再利用(yong)多次拉(la)晶和切(qie)割尾，貴金屬(shu)靶材(cai)技術(shu)，一直達到所(suo)要求(qiu)的(de)(de)(de)純度（10原子(zi)/厘(li)米(mi)），這(zhe)樣純度的(de)(de)(de)鍺(zang)（相當于13）所(suo)作的(de)(de)(de)探測(ce)器(qi)，貴金屬(shu)靶材(cai)價格，其(qi)分辨率已(yi)接(jie)近于理論(lun)數值。

超純金(jin)屬的(de)檢測方法極為(wei)困難。痕量(liang)元素(su)的(de)化學(xue)(xue)分(fen)析(xi)(xi)系指一(yi)克(ke)(ke)(ke)樣品中(zhong)含有(you)微(wei)(wei)克(ke)(ke)(ke)級(ji)(ji)（10克(ke)(ke)(ke)/克(ke)(ke)(ke)）、毫(hao)微(wei)(wei)克(ke)(ke)(ke)級(ji)(ji)（10克(ke)(ke)(ke)/克(ke)(ke)(ke)）、微(wei)(wei)微(wei)(wei)克(ke)(ke)(ke)級(ji)(ji)（10克(ke)(ke)(ke)/克(ke)(ke)(ke)）雜質的(de)確定(ding)。常用的(de)手段有(you)中(zhong)子和帶電粒子活化分(fen)析(xi)(xi)，貴金(jin)屬靶材，原子吸收光(guang)(guang)譜(pu)分(fen)析(xi)(xi)，熒光(guang)(guang)分(fen)光(guang)(guang)光(guang)(guang)度分(fen)析(xi)(xi)，質譜(pu)分(fen)析(xi)(xi)，化學(xue)(xue)光(guang)(guang)譜(pu)分(fen)析(xi)(xi)及氣體(ti)分(fen)析(xi)(xi)等。在(zai)(zai)單晶(jing)(jing)體(ti)高純材料(liao)中(zhong)，晶(jing)(jing)體(ti)缺陷對材料(liao)性能(neng)起顯著影響，稱為(wei)物理(li)雜質，主要依靠在(zai)(zai)晶(jing)(jing)體(ti)生(sheng)長過程中(zhong)控制單晶(jing)(jing)平穩均(jun)勻的(de)生(sheng)長來減少晶(jing)(jing)體(ti)缺陷。