MOS管失效(xiao)的兩個(ge)主要原(yuan)因：

電壓(ya)(ya)(ya)失效：即漏(lou)源間的BVdss電壓(ya)(ya)(ya)超過MOS管(guan)額(e)定電壓(ya)(ya)(ya)，中(zhong)低壓(ya)(ya)(ya)mos公司(si)，達(da)到(dao)一(yi)定容(rong)量，造成(cheng)MOS管(guan)失效。

柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成(cheng)柵氧層故障。

雪崩破壞到底(di)是什么？簡單地說，MOS管(guan)(guan)是由母線電(dian)壓、變壓器反射電(dian)壓、漏感尖峰(feng)電(dian)壓等(deng)與MOS管(guan)(guan)之間疊(die)加而(er)形成(cheng)的(de)故障模(mo)式(shi)。簡而(er)言之，中低壓mos廠(chang)家，即MOS管(guan)(guan)漏源極的(de)電(dian)壓超(chao)過了它規定的(de)電(dian)壓值，并(bing)且(qie)達(da)到了某一能量(liang)極限(xian)i時所(suo)產生的(de)常見故障。

造成柵(zha)電壓異常(chang)高(gao)的主要原因有三個：生產、運輸(shu)和裝配過(guo)程中的靜(jing)電；設備和電路寄生參(can)數(shu)在電力系(xi)統運行過(guo)程中產生高(gao)壓諧(xie)振(zhen)；在高(gao)壓沖擊時，高(gao)壓通過(guo)Ggd傳輸(shu)到(dao)電網(雷擊測試時這種故障更為常(chang)見)。

公司成立(li)于(yu)2013年7月(yue)，專注從事單片(pian)機的(de)應用開發及生產(chan)，并提供全系列中低壓MOS及電源(yuan)、鋰電IC等(deng)的(de)銷售(shou)，在(zai)LED及小(xiao)家電等(deng)消(xiao)費類電子產(chan)品上應用廣(guang)泛，為(wei)您量身定制適合的(de)芯片(pian)方(fang)案(an)。

MOS管可以(yi)用作可變電(dian)阻也可應用于放(fang)大(da)。由于場(chang)效(xiao)應管放(fang)大(da)器(qi)的輸(shu)入(ru)阻抗很高，因此耦合(he)電(dian)容(rong)(rong)可以(yi)容(rong)(rong)量較小，不必(bi)使用電(dian)解電(dian)容(rong)(rong)器(qi)。且場(chang)效(xiao)應管很高的輸(shu)入(ru)阻抗非常適合(he)作阻抗變換。常用于多級(ji)(ji)放(fang)大(da)器(qi)的輸(shu)入(ru)級(ji)(ji)作阻抗變換。場(chang)效(xiao)應管可以(yi)方便地(di)用作恒流源也可以(yi)用作電(dian)子開(kai)關。

公司成立于2013年7月，南通中(zhong)(zhong)(zhong)低(di)壓mos，專注從事單片機(ji)的(de)應用開(kai)發及生產，并提供全系列(lie)中(zhong)(zhong)(zhong)低(di)壓MOS及電源、鋰電IC等(deng)的(de)銷(xiao)售，中(zhong)(zhong)(zhong)低(di)壓mos價(jia)格，在LED及小(xiao)家(jia)電等(deng)消費類電子產品上應用廣泛(fan)，為您量身定制(zhi)適合(he)的(de)芯片方案(an)。

在(zai)開關(guan)電源(yuan)應用方(fang)面，這(zhe)種應用需要MOS管定期導通和關(guan)斷。比如，DC-DC電源(yuan)中常(chang)用的(de)(de)(de)基本降(jiang)i壓(ya)轉換器(qi)依賴兩個(ge)MOS管來執行(xing)開關(guan)功(gong)能，這(zhe)些開關(guan)交替在(zai)電感里存(cun)儲(chu)能量，然后(hou)把(ba)能量釋放給負載(zai)。我們常(chang)選(xuan)擇數百(bai)kHz乃至1MHz以(yi)上的(de)(de)(de)頻率(lv)，因為頻率(lv)越高，磁性元件可以(yi)更小更輕。在(zai)正常(chang)工作期間(jian)，MOS管只相當于一個(ge)導體。因此，我們電路或者電源(yuan)設計人員關(guan)心的(de)(de)(de)是MOS的(de)(de)(de)傳(chuan)導損耗。