公司成立于2013年7月，專注從事(shi)單片(pian)機(ji)的(de)(de)應(ying)用(yong)開(kai)發(fa)及(ji)(ji)生產，并提供全系列中低(di)壓MOS及(ji)(ji)電源(yuan)、鋰電IC等(deng)的(de)(de)銷售，在LED及(ji)(ji)小家電等(deng)消費類電子產品上應(ying)用(yong)廣泛，為您(nin)量(liang)身定制(zhi)適合的(de)(de)芯片(pian)方(fang)案(an)。

在(zai)(zai)開關電(dian)源應(ying)用(yong)方面(mian)，這種應(ying)用(yong)需(xu)要MOS管(guan)(guan)定(ding)期(qi)導(dao)通和關斷。比如(ru)，大電(dian)流mos廠家(jia)，DC-DC電(dian)源中(zhong)常(chang)用(yong)的(de)基(ji)本降i壓轉換器依賴(lai)兩個MOS管(guan)(guan)來執行(xing)開關功能(neng)，這些開關交替在(zai)(zai)電(dian)感里存儲(chu)能(neng)量，然后把(ba)能(neng)量釋放給負(fu)載。我(wo)們(men)常(chang)選擇數百kHz乃至1MHz以上的(de)頻率，WP大電(dian)流mos，因(yin)為頻率越高，磁(ci)性(xing)元(yuan)件可以更(geng)小更(geng)輕。在(zai)(zai)正常(chang)工作(zuo)期(qi)間，MOS管(guan)(guan)只相當于一(yi)個導(dao)體(ti)。因(yin)此，我(wo)們(men)電(dian)路(lu)或(huo)者(zhe)電(dian)源設計人員關心的(de)是MOS的(de)傳導(dao)損耗。

公司成(cheng)立于2013年7月，專注從事(shi)單片機的應(ying)用開(kai)發及(ji)生(sheng)產(chan)，并(bing)提(ti)供全系(xi)列(lie)中低壓MOS及(ji)電(dian)源、鋰電(dian)IC等的銷(xiao)售，大電(dian)流mos價格，在LED及(ji)小家電(dian)等消費類電(dian)子產(chan)品上應(ying)用廣泛(fan)，為(wei)您量身定(ding)制(zhi)適合(he)的芯片方案。

有些場效(xiao)應(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)的(de)(de)源極和漏極可(ke)以互換使用，柵壓(ya)也可(ke)正(zheng)可(ke)負，靈活性比晶(jing)體管(guan)(guan)好。場效(xiao)應(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)能在很(hen)小電流(liu)和很(hen)低電壓(ya)的(de)(de)條件下工(gong)作(zuo)，而且它的(de)(de)制造(zao)工(gong)藝可(ke)以很(hen)方便地把很(hen)多場效(xiao)應(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)集成在一塊硅(gui)片上，因此場效(xiao)應(ying)(ying)(ying)管(guan)(guan)在大規模(mo)集成電路中得到了廣泛的(de)(de)應(ying)(ying)(ying)用。

在一(yi)般(ban)電(dian)(dian)子電(dian)(dian)路(lu)中(zhong)，通常被(bei)用于放大電(dian)(dian)路(lu)或開關電(dian)(dian)路(lu)。而在主(zhu)(zhu)板上(shang)的電(dian)(dian)源穩壓電(dian)(dian)路(lu)中(zhong)，MOSFET扮演的角色主(zhu)(zhu)要(yao)是判斷電(dian)(dian)位，它在主(zhu)(zhu)板上(shang)常用“Q”加數(shu)字表示(shi)。

公司(si)成立于2013年7月，專(zhuan)注從事單(dan)片(pian)機的(de)應用開發及(ji)生(sheng)產，并提供全系列(lie)中低(di)壓MOS及(ji)電源、鋰(li)電IC等(deng)(deng)的(de)銷售，在LED及(ji)小(xiao)家(jia)電等(deng)(deng)消費類電子產品上應用廣泛，為您(nin)量(liang)身定制適合(he)的(de)芯片(pian)方案。

參考電(dian)(dian)(dian)壓可以(yi)來自于采樣電(dian)(dian)(dian)阻(zu)，也就是在NMOS的(de)S極(ji)接(jie)一個(ge)大功率小電(dian)(dian)(dian)阻(zu)后接(jie)地(di)，這個(ge)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)做電(dian)(dian)(dian)流采樣，當(dang)電(dian)(dian)(dian)流流過電(dian)(dian)(dian)阻(zu)后會(hui)形成電(dian)(dian)(dian)壓，把它放大處理后做參考。

剛開始的(de)時候，電(dian)(dian)(dian)流(liu)很小，大電(dian)(dian)(dian)流(liu)mos，所以(yi)(yi)控制電(dian)(dian)(dian)壓比參考電(dian)(dian)(dian)壓高很多，可以(yi)(yi)使管子迅速(su)導通(tong)，在很短時間后(hou)，當電(dian)(dian)(dian)流(liu)增大逐步達到某個值時，參考電(dian)(dian)(dian)壓迅速(su)上升，與控制電(dian)(dian)(dian)壓接近并超過時，比較器(qi)就(jiu)輸出低電(dian)(dian)(dian)平（接近0V）使管子截止，電(dian)(dian)(dian)流(liu)減(jian)(jian)小。然后(hou)電(dian)(dian)(dian)流(liu)減(jian)(jian)少后(hou)，參考電(dian)(dian)(dian)壓又(you)下去，管子又(you)導通(tong)，電(dian)(dian)(dian)流(liu)又(you)增大。然后(hou)周而復(fu)始。