晶振

參(can)數a. 標稱(cheng)頻(pin)率(lv)：在(zai)規定條件下(xia)，晶振的諧振中心(xin)頻(pin)率(lv).

b. 調整頻差：在規定條(tiao)件下，基準溫度時的(de)工(gong)作頻率相對標稱頻率的(de)偏離值.(ppm)

c. 溫度頻(pin)差：在規定(ding)條件下，表貼晶振，在整個工作溫度范圍內，相對于基準(zhun)溫度時工作頻(pin)率的允許偏離值.

d. 負載諧振(zhen)電(dian)(dian)阻：晶振(zhen)與外部電(dian)(dian)容相串聯，在負載諧振(zhen)頻率(lv)時的電(dian)(dian)阻值.

e.負載電容： 是指與晶振一起決定負載諧振頻率的有效外界電容.常用標準值有：12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.

晶振

晶體電(dian)阻：對于(yu)同一頻率，當工作(zuo)在高次泛(fan)音振(zhen)動時(shi)其電(dian)阻值將比工作(zuo)在低(di)次振(zhen)動時(shi)大。

工(gong)作(zuo)溫(wen)度(du)(du)范圍與溫(wen)度(du)(du)頻(pin)差(cha)：在提出(chu)溫(wen)度(du)(du)頻(pin)差(cha)時，應考慮設備工(gong)作(zuo)引起的(de)(de)溫(wen)升容限。當對溫(wen)度(du)(du)頻(pin)差(cha)要求(qiu)很高，同時空間和功率都允許的(de)(de)情(qing)況下(xia)，應考慮恒溫(wen)工(gong)作(zuo)，恒溫(wen)晶(jing)體振(zhen)蕩器(qi)就是為此而設計的(de)(de)。

負載電容與頻率牽引：在許多應用中，都有用一負載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環回路及調頻應用中非常必要，大多數情況下，這個負載電抗呈容性，當該電容值為CL時，石油200度表貼晶振價格，則相對負載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。

晶振

晶振(zhen)有一個重要的參數，那就是負(fu)(fu)載電(dian)容(rong)值，儀器230度表貼(tie)晶振(zhen)價格(ge)，選擇與負(fu)(fu)載電(dian)容(rong)值相等的并聯電(dian)容(rong)，就可以得到(dao)晶振(zhen)標稱的諧振(zhen)頻率。

一(yi)般的(de)晶振(zhen)(zhen)振(zhen)(zhen)蕩電(dian)(dian)路都是在(zai)一(yi)個反相(xiang)放大(da)器(qi)（注意是放大(da)器(qi)不是反相(xiang)器(qi)）的(de)兩(liang)端(duan)接入(ru)晶振(zhen)(zhen)，再有兩(liang)個電(dian)(dian)容(rong)分別接到晶振(zhen)(zhen)的(de)兩(liang)端(duan)，每個電(dian)(dian)容(rong)的(de)另一(yi)端(duan)再接到地，儀器(qi)200度表貼晶振(zhen)(zhen)價格，這(zhe)兩(liang)個電(dian)(dian)容(rong)串聯的(de)容(rong)量(liang)值(zhi)就應該等于負(fu)載電(dian)(dian)容(rong)，請注意一(yi)般IC的(de)引腳都有等效(xiao)輸入(ru)電(dian)(dian)容(rong)，這(zhe)個不能忽略(lve)。

一般的晶振的負(fu)載電(dian)容為15p或12.5p ，如果(guo)再考慮(lv)元(yuan)件引腳的等(deng)效輸入電(dian)容，則兩個22p的電(dian)容構成(cheng)晶振的振蕩電(dian)路就是比較好的選擇。