公司成立于2013年7月(yue)，專注從事單片(pian)機的(de)應用(yong)開發及生產，并提供全系列中低(di)壓(ya)MOS及電(dian)(dian)源、鋰(li)電(dian)(dian)IC等(deng)的(de)銷(xiao)售，在(zai)LED及小家電(dian)(dian)等(deng)消費類電(dian)(dian)子產品(pin)上應用(yong)廣泛，為您量身定制適(shi)合的(de)芯(xin)片(pian)方案。

 跟(gen)雙旋(xuan)光性晶體三極管(guan)對比，一(yi)(yi)般覺得使MOS管(guan)導通不用電流量，只需(xu)要(yao)GS電壓高(gao)過一(yi)(yi)定(ding)的值就可以了(le)。做到這一(yi)(yi)點比較(jiao)容易，溫州mos，我(wo)們主要(yao)是需(xu)要(yao)一(yi)(yi)定(ding)的速率。

     對于(yu)MOS管的(de)(de)(de)結構(gou)來說(shuo)，我們可以(yi)發現在GS、GD里會有一些(xie)(xie)寄生電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)，而MOS管的(de)(de)(de)驅動(dong)，實際上(shang)就是(shi)對電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)和放(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)。對于(yu)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)的(de)(de)(de)充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)我們只需要一個電(dian)(dian)(dian)(dian)流就夠了(le)，由于(yu)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)在充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)瞬間相當于(yu)可以(yi)把電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)當做是(shi)短路，這個時候(hou)的(de)(de)(de)瞬間電(dian)(dian)(dian)(dian)流會比一般情況下(xia)數值要高一些(xie)(xie)。因此我們再挑選或者是(shi)設計MOS管驅動(dong)電(dian)(dian)(dian)(dian)路方案的(de)(de)(de)時候(hou)，首先(xian)要先(xian)留意可提供的(de)(de)(de)瞬間短路電(dian)(dian)(dian)(dian)流大(da)小(xiao)。

公司成立(li)于2013年7月(yue)，專(zhuan)注(zhu)從事單片(pian)機的應(ying)用開發及(ji)生(sheng)產，并提供全(quan)系列中低壓MOS及(ji)電(dian)源、鋰(li)電(dian)IC等(deng)的銷售，在(zai)LED及(ji)小家電(dian)等(deng)消費類電(dian)子產品上(shang)應(ying)用廣(guang)泛(fan)，為您量(liang)身定制適(shi)合的芯片(pian)方案(an)。

mos管小(xiao)電(dian)流發熱(re)的緣(yuan)故

1、電(dian)路原理(li)的(de)難(nan)題，便是讓MOS管工作(zuo)中(zhong)在線形的(de)運行(xing)狀態(tai)，mos公司，而(er)不是在開(kai)關情況。這也(ye)是造(zao)成 MOS管發熱的(de)一個緣故。假(jia)如N-MOS做開(kai)關，mos生產廠家，G級工作(zuo)電(dian)壓要比開(kai)關電(dian)源高幾V，才可(ke)以徹i底(di)通斷，P-MOS則反過(guo)來(lai)。沒有徹i底(di)開(kai)啟而(er)損耗過(guo)大(da)導致輸出功率耗費，等效電(dian)路直流電(dian)特性阻(zu)抗(kang)較為大(da)，損耗擴大(da)，因此U*I也(ye)擴大(da)，耗損就代表著發熱。這也(ye)是設計方案控制電(dian)路的(de)避諱的(de)不正確。

2、頻(pin)率(lv)太(tai)高，主要是有時候太(tai)過追求完(wan)i美容積，造成 頻(pin)率(lv)提升，MOS管上的(de)消耗擴(kuo)大了，因此發熱也增加(jia)了。

3、沒(mei)有做(zuo)(zuo)到充(chong)足的排熱(re)設計方案，mos萬芯半(ban)導體(ti)，電流太高(gao)，MOS管允差的電流值，一般必須保持良(liang)好的排熱(re)才可(ke)以(yi)做(zuo)(zuo)到。因此(ci)ID低于較大電流，也(ye)很有可(ke)能發熱(re)比較嚴重，必須充(chong)足的輔助散熱(re)器(qi)。

4、MOS管(guan)的(de)型號選擇(ze)不正確，對輸(shu)出功率(lv)分辨不正確，MOS管(guan)內電阻沒有考慮到(dao)，造成開(kai)關特性阻抗(kang)擴大(da)。

下邊是MOS無效的六大緣故：

1：山崩(beng)無效(xiao)（工作電壓無效(xiao)），也(ye)就(jiu)是人(ren)們(men)常說的漏源(yuan)間的BVdss工作電壓超(chao)出MOSFET的額定電流，而(er)且超(chao)出做到了一(yi)定的功(gong)能進而(er)導致MOSFET無效(xiao)。

2：SOA無(wu)(wu)效(xiao)（電流量(liang)無(wu)(wu)效(xiao)），既超過MOSFET安全工(gong)作區(qu)造成無(wu)(wu)效(xiao)，分(fen)成Id超過器件(jian)規(gui)格型號無(wu)(wu)效(xiao)及其Id過大(da)，耗損過高器件(jian)長期熱累積而(er)導(dao)致的無(wu)(wu)效(xiao)。

3：體(ti)二極管無效(xiao)：在橋式(shi)、LLC等有效(xiao)到體(ti)二極管開展(zhan)續流的網(wang)絡拓撲結構中，因(yin)為體(ti)二極管遭到影(ying)響而(er)導(dao)致的無效(xiao)。

4：串(chuan)(chuan)聯諧振無效：在串(chuan)(chuan)聯應用的(de)環(huan)節中，柵(zha)極及電(dian)(dian)源電(dian)(dian)路寄(ji)生參數(shu)導致波動造成的(de)無效。

5：靜電(dian)(dian)感(gan)應(ying)無效：在冬秋時節(jie)，因為身體及(ji)機器(qi)設備靜電(dian)(dian)感(gan)應(ying)而導致的器(qi)件無效。

6：柵(zha)極工(gong)作(zuo)電壓無(wu)效：因為柵(zha)極遭到出現異常(chang)工(gong)作(zuo)電壓頂(ding)i峰，而(er)導(dao)致柵(zha)極柵(zha)氧層無(wu)效。