公(gong)司成(cheng)立(li)于2013年7月(yue)，專注從事單(dan)片機的應用開發及生產，萬(wan)(wan)芯(xin)mos管(guan)廠(chang)家，并提(ti)供(gong)全(quan)系列中(zhong)低壓(ya)MOS及電(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)IC等的銷售，萬(wan)(wan)芯(xin)mos管(guan)價格，在LED及小(xiao)家電(dian)(dian)等消費類(lei)電(dian)(dian)子產品上應用廣泛，為您(nin)量身定制適合的芯(xin)片方(fang)案(an)。

有些場(chang)(chang)(chang)效應管(guan)的(de)(de)源極和漏極可(ke)以互換使用，柵壓(ya)也可(ke)正(zheng)可(ke)負，靈(ling)活性(xing)比晶(jing)體管(guan)好。場(chang)(chang)(chang)效應管(guan)能在很(hen)小電流(liu)和很(hen)低電壓(ya)的(de)(de)條(tiao)件下工(gong)作，而且它的(de)(de)制造工(gong)藝可(ke)以很(hen)方便地把很(hen)多(duo)場(chang)(chang)(chang)效應管(guan)集(ji)成在一塊硅片上(shang)，因此場(chang)(chang)(chang)效應管(guan)在大規(gui)模集(ji)成電路中得(de)到(dao)了廣泛(fan)的(de)(de)應用。

在一般電(dian)子電(dian)路(lu)中(zhong)，通常被用于(yu)放大電(dian)路(lu)或(huo)開關(guan)電(dian)路(lu)。而在主(zhu)(zhu)板上(shang)的電(dian)源穩(wen)壓(ya)電(dian)路(lu)中(zhong)，MOSFET扮演(yan)的角色主(zhu)(zhu)要是判(pan)斷電(dian)位，它在主(zhu)(zhu)板上(shang)常用“Q”加數字表示。

公(gong)司成立于2013年7月，專注(zhu)從事單(dan)片(pian)機的應(ying)用開發及(ji)生(sheng)產(chan)(chan)，并提(ti)供全系(xi)列中低(di)壓MOS及(ji)電源、鋰電IC等(deng)的銷售，在LED及(ji)小家電等(deng)消費類電子產(chan)(chan)品上應(ying)用廣泛，為您(nin)量身(shen)定制適合的芯片(pian)方案。

mos管(guan)，是(shi)在(zai)集成電(dian)路(lu)里的(de)帶有絕緣性(xing)的(de)場效應(ying)管(guan)。MOS 管(guan)作為半導體領(ling)域基礎的(de)器件之一，不管(guan)是(shi)在(zai)板級電(dian)路(lu)的(de)應(ying)用(yong)上，還是(shi)IC的(de)設計里，都十分(fen)廣泛。MOS管(guan)的(de)drain和source是(shi)可以(yi)相(xiang)互調換過來(lai)的(de)的(de)，都是(shi)在(zai)P型(xing)(xing)backgate里形(xing)成的(de)一個(ge)N型(xing)(xing)區(qu)。在(zai)普遍(bian)的(de)情(qing)況下，這兩個(ge)區(qu)都是(shi)相(xiang)同的(de)，就算(suan)這兩段(duan)相(xiang)互調換過來(lai)也是(shi)不會去影響到器件的(de)性(xing)能。所以(yi)這器件被認為是(shi)對稱的(de)。

公司成立于2013年7月，專注從(cong)事(shi)單片機的應用開發及生產，并(bing)提供全系(xi)列中(zhong)低壓MOS及電(dian)(dian)源、鋰電(dian)(dian)IC等的銷售(shou)，在LED及小家電(dian)(dian)等消費類電(dian)(dian)子(zi)產品上應用廣泛，萬芯(xin)mos管生產廠家，為您量身定制適(shi)合的芯(xin)片方(fang)案。

場效(xiao)應管(guan)(guan)(guan)有兩大類型：N溝(gou)(gou)道和(he)P溝(gou)(gou)道。在(zai)(zai)功(gong)率系統中，場效(xiao)應管(guan)(guan)(guan)可(ke)被(bei)看成(cheng)電氣開(kai)(kai)關(guan)(guan)。當(dang)(dang)在(zai)(zai)n溝(gou)(gou)道場效(xiao)應管(guan)(guan)(guan)的柵極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)間(jian)(jian)加上(shang)(shang)正電壓時，萬芯mos管(guan)(guan)(guan)，其開(kai)(kai)關(guan)(guan)導通(tong)。導通(tong)時，電流(liu)可(ke)經開(kai)(kai)關(guan)(guan)從漏極(ji)(ji)(ji)流(liu)向源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)。漏極(ji)(ji)(ji)和(he)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)之(zhi)間(jian)(jian)存(cun)在(zai)(zai)一個內阻(zu)(zu)，稱為(wei)導通(tong)電阻(zu)(zu)RDS（ON）。必須清楚(chu)場效(xiao)應管(guan)(guan)(guan)的柵極(ji)(ji)(ji)是個高阻(zu)(zu)抗端(duan)，因此，總(zong)是要在(zai)(zai)柵極(ji)(ji)(ji)加上(shang)(shang)一個電壓。如果柵極(ji)(ji)(ji)為(wei)懸空，器件將不(bu)能按設計意圖工作，并(bing)可(ke)能在(zai)(zai)不(bu)恰當(dang)(dang)的時刻導通(tong)或關(guan)(guan)閉，導致系統產生潛在(zai)(zai)的功(gong)率損耗。當(dang)(dang)源(yuan)(yuan)極(ji)(ji)(ji)和(he)柵極(ji)(ji)(ji)間(jian)(jian)的電壓為(wei)零時，開(kai)(kai)關(guan)(guan)關(guan)(guan)閉，而(er)電流(liu)停止通(tong)過器件。雖然這時器件已經關(guan)(guan)閉，但仍然有微小電流(liu)存(cun)在(zai)(zai)，這稱之(zhi)為(wei)漏電流(liu)，即IDSS。