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使用直流電弧爐時，能全(quan)部用石(shi)油焦代替木炭。石(shi)油焦的灰分低（0.3%～0.8%），采用質(zhi)量(liang)(liang)高的硅(gui)石(shi)（SiO2大于(yu)99%），可直接(jie)煉出制造硅(gui)鋼片(pian)用的高質(zhi)量(liang)(liang)硅(gui)。高純的半(ban)導體硅(gui)可在1200℃的熱硅(gui)棒上用氫(qing)氣(qi)還原高純的SiHCl3或(huo)SiCl4制得。超純的單晶硅(gui)可通過直拉法或(huo)區域熔煉法等(deng)制備。

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此液相線(xian)和固相線(xian)間的(de)溫度區間，即tL-ts=Δtc。便稱為該合金的(de)結晶溫度范(fan)(fan)圍(wei)。某一鋼種的(de)結晶溫度范(fan)(fan)圍(wei)主要取決于所含元素的(de)性質(zhi)及(ji)其含量，并(bing)可(ke)由鐵(tie)與相應元素的(de)二元或三元相圖(tu)來確定(ding)。各元素對結晶溫度范(fan)(fan)圍(wei)的(de)影(ying)響可(ke)近似地看成可(ke)加和的(de)。

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馬氏(shi)體(ti)(ti)的(de)(de)晶體(ti)(ti)結構(gou)馬氏(shi)體(ti)(ti)M是碳在α-Fe中(zhong)的(de)(de)過飽和固溶體(ti)(ti)。馬氏(shi)體(ti)(ti)轉(zhuan)變(bian)時，漳州夾(jia)心板(ban)，奧氏(shi)體(ti)(ti)中(zhong)的(de)(de)C全部保留在馬氏(shi)體(ti)(ti)中(zhong)。體(ti)(ti)心正(zheng)方(fang)晶格(ge)（a=b≠c）； c/a——正(zheng)方(fang)度；M中(zhong)碳的(de)(de)質量分(fen)數越高，彩鋼(gang)夾(jia)心板(ban)廠家(jia)，其正(zheng)方(fang)度越大(da)，晶格(ge)畸變(bian)越嚴重(zhong)，M的(de)(de)硬度也就(jiu)越高。