光(guang)伏(fu)電(dian)(dian)池組(zu)(zu)件的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)角(jiao)(jiao)(jiao)但是，在(zai)(zai)晴朗(lang)的(de)(de)(de)(de)夏(xia)天，單晶(jing)硅光(guang)伏(fu)組(zu)(zu)件，太(tai)陽(yang)(yang)輻(fu)射能量的(de)(de)(de)(de)時(shi)刻是在(zai)(zai)中午稍(shao)后，因此方(fang)(fang)(fang)(fang)陣的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)稍(shao)微向(xiang)西(xi)偏(pian)一些時(shi)，在(zai)(zai)午后時(shi)刻可獲得發(fa)電(dian)(dian)功率(lv)(lv)。在(zai)(zai)不同的(de)(de)(de)(de)季節，太(tai)陽(yang)(yang)電(dian)(dian)池方(fang)(fang)(fang)(fang)陣的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)稍(shao)微向(xiang)東或(huo)西(xi)一些都(dou)有(you)獲得發(fa)電(dian)(dian)量時(shi)候。方(fang)(fang)(fang)(fang)陣設(she)置(zhi)場所受到許(xu)多(duo)條件的(de)(de)(de)(de)制(zhi)約，例(li)如，在(zai)(zai)地面上設(she)置(zhi)時(shi)土地的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)角(jiao)(jiao)(jiao)、在(zai)(zai)屋頂上設(she)置(zhi)時(shi)屋頂的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)角(jiao)(jiao)(jiao)，或(huo)者是為了(le)躲(duo)避太(tai)陽(yang)(yang)陰(yin)影(ying)時(shi)的(de)(de)(de)(de)方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)角(jiao)(jiao)(jiao)，以(yi)及布置(zhi)規(gui)劃(hua)、發(fa)電(dian)(dian)效率(lv)(lv)、設(she)計規(gui)劃(hua)、建設(she)目的(de)(de)(de)(de)等許(xu)多(duo)因素(su)都(dou)有(you)關系。如果要將方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)角(jiao)(jiao)(jiao)調整到在(zai)(zai)一天中負荷的(de)(de)(de)(de)峰值(zhi)時(shi)刻與(yu)發(fa)電(dian)(dian)峰值(zhi)時(shi)刻一致時(shi)，請參考下述的(de)(de)(de)(de)公式。至(zhi)于并(bing)網發(fa)電(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)場合，希望(wang)綜(zong)合考慮以(yi)上各(ge)方(fang)(fang)(fang)(fang)面的(de)(de)(de)(de)情況來選定方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)角(jiao)(jiao)(jiao)。方(fang)(fang)(fang)(fang)位(wei)(wei)角(jiao)(jiao)(jiao)=（一天中負荷的(de)(de)(de)(de)峰值(zhi)時(shi)刻（24小時(shi)制(zhi)）-12）×15+（經度(du)-116）。

光(guang)(guang)伏組(zu)(zu)件是如(ru)何影(ying)響(xiang)(xiang)屋頂光(guang)(guang)伏發電量的(de)(de)(de)組(zu)(zu)件灰(hui)塵(chen)影(ying)響(xiang)(xiang)對于長時間運行的(de)(de)(de)光(guang)(guang)伏發電系(xi)統，面(mian)(mian)板積(ji)(ji)塵(chen)對其(qi)影(ying)響(xiang)(xiang)不可小覷(qu)。面(mian)(mian)板表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)灰(hui)塵(chen)具有反(fan)射、散射和吸收太(tai)陽(yang)(yang)輻(fu)射的(de)(de)(de)作用(yong)，可降低太(tai)陽(yang)(yang)的(de)(de)(de)透過率，造(zao)成(cheng)面(mian)(mian)板接收到的(de)(de)(de)太(tai)陽(yang)(yang)輻(fu)射減少，輸出功率也(ye)隨(sui)之(zhi)減小，其(qi)作用(yong)與灰(hui)塵(chen)累(lei)積(ji)(ji)厚度(du)(du)成(cheng)正比(bi)。1。溫(wen)度(du)(du)影(ying)響(xiang)(xiang)目(mu)前光(guang)(guang)伏電站(zhan)較多使用(yong)硅基(ji)太(tai)陽(yang)(yang)電池組(zu)(zu)件，該組(zu)(zu)件對溫(wen)度(du)(du)十分(fen)敏(min)感，隨(sui)灰(hui)塵(chen)在組(zu)(zu)件表面(mian)(mian)的(de)(de)(de)積(ji)(ji)累(lei)，增大了光(guang)(guang)伏組(zu)(zu)件的(de)(de)(de)傳熱(re)熱(re)阻，成(cheng)為光(guang)(guang)伏組(zu)(zu)件上(shang)的(de)(de)(de)隔熱(re)層，影(ying)響(xiang)(xiang)其(qi)散熱(re)。

光(guang)伏(fu)組件材(cai)(cai)料分類當前(qian)，晶(jing)(jing)體硅材(cai)(cai)料（包括多(duo)晶(jing)(jing)硅和單晶(jing)(jing)硅）是(shi)的(de)光(guang)伏(fu)材(cai)(cai)料，其市場占有率在(zai)(zai)90%以上，而且在(zai)(zai)今后相當長的(de)一(yi)段時期也(ye)依然(ran)是(shi)太(tai)陽能(neng)電池的(de)主(zhu)流材(cai)(cai)料。多(duo)晶(jing)(jing)硅材(cai)(cai)料的(de)生(sheng)產技術(shu)(shu)長期以來(lai)掌握在(zai)(zai)美、日、德等(deng)3個國(guo)家(jia)7個公司的(de)10家(jia)工廠(chang)手中，形成(cheng)技術(shu)(shu)、市場壟(long)斷(duan)的(de)狀況(kuang)。多(duo)晶(jing)(jing)硅的(de)需(xu)求(qiu)主(zhu)要來(lai)自于半導體和太(tai)陽能(neng)電池。按純度要求(qiu)不同，分為電子級和太(tai)陽能(neng)級。