非(fei)晶(jing)(jing)硅太(tai)陽(yang)能(neng)板非(fei)晶(jing)(jing)硅太(tai)陽(yang)能(neng)板的厚度不到lum，不足晶(jing)(jing)體(ti)(ti)硅太(tai)陽(yang)能(neng)板厚度的1/100，可(ke)節省供應緊(jin)張(zhang)的硅材料，也(ye)大(da)大(da)降低(di)了制(zhi)造成本。又由于分解沉積(ji)的溫度比較低(di)(200℃左右)，因此制(zhi)作時(shi)能(neng)量消耗少，成本比較低(di)，適于大(da)規模生產(chan)，單片電池面積(ji)可(ke)以做得很大(da)(如0。5mx1。0m)，整(zheng)齊美(mei)觀。在太(tai)陽(yang)光譜的可(ke)見光范圍內，非(fei)晶(jing)(jing)硅的吸收系(xi)數(shu)比晶(jing)(jing)體(ti)(ti)硅大(da)近(jin)一個數(shu)量級。

電(dian)池(chi)組件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)制作流程高(gao)壓測試高(gao)壓測試是(shi)指在組件(jian)(jian)(jian)邊框和電(dian)極引線(xian)間施加一(yi)(yi)定的(de)(de)(de)電(dian)壓，測試組件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)耐(nai)壓性和絕緣強度(du)，以保證組件(jian)(jian)(jian)在惡(e)劣的(de)(de)(de)自(zi)然(ran)條件(jian)(jian)(jian)(雷擊等(deng))下(xia)不(bu)被損壞。組件(jian)(jian)(jian)測試測試的(de)(de)(de)目的(de)(de)(de)是(shi)對電(dian)池(chi)的(de)(de)(de)輸出功率進行標定，測試其輸出特性，異(yi)質(zhi)結光(guang)伏(fu)組件(jian)(jian)(jian)廠家(jia)，確(que)定組件(jian)(jian)(jian)的(de)(de)(de)質(zhi)量等(deng)級。主要就是(shi)模擬太陽(yang)光(guang)的(de)(de)(de)測試(STC)，一(yi)(yi)般一(yi)(yi)塊電(dian)池(chi)板所需(xu)的(de)(de)(de)測試時(shi)間在7-8秒左右。

光伏(fu)發電中半片光伏(fu)組件(jian)的(de)優(you)勢(shi)提高封(feng)裝效率，封(feng)裝損(sun)失(shi)常規組件(jian)一般大于1%，而半片組件(jian)一般在0。2%左右。因(yin)此半片組件(jian)利用了低電流特點，有(you)效提高組件(jian)的(de)封(feng)裝效率。發展趨勢(shi)，隨(sui)著電站(zhan)投資商平(ping)價上網(wang)的(de)壓力(li)越來越大，對度電成(cheng)本(ben)的(de)訴求越來越高。半片組件(jian)與常規組件(jian)相比，在制造環節主要增加的(de)成(cheng)本(ben)包括電池的(de)切片、輔料和人工費用、設備折舊費等(deng)。