晶(jing)體振(zhen)蕩器使用中要注意哪些問題

1、安裝貼片晶振的環境不能受潮或(huo)受振動，否則會造(zao)成損(sun)壞，甚至損(sun)耗會顯著增(zeng)加，其故(gu)障(zhang)(zhang)問題會越來越多(duo)，LVPECL輸(shu)出晶振廠家，維修(xiu)和更換也更麻煩。從(cong)這(zhe)個角度來看，在(zai)使(shi)用(yong)過程(cheng)中有(you)必要(yao)嚴格了解清楚細節，高速(su)傳輸(shu)晶振現貨，這(zhe)樣才(cai)能有(you)更好的使(shi)用(yong)效果，避免出現故(gu)障(zhang)(zhang)。

2、當電路(lu)的貼片晶振出現(xian)故障或異常時，晶振，必須及時更(geng)(geng)換，否則會(hui)對(dui)整個(ge)電路(lu)的運(yun)行造(zao)成很大的異常。只有及時更(geng)(geng)換才不會(hui)造(zao)成很大的損壞(huai)和(he)影響，還(huan)能對(dui)電路(lu)形成保護作(zuo)用。

3、在(zai)不同(tong)的(de)環(huan)境下使(shi)用(yong)貼(tie)片(pian)晶振時，對其材質也有要(yao)求。具體應根據客戶實際使(shi)用(yong)情況選(xuan)(xuan)擇合適的(de)材質安裝和(he)使(shi)用(yong)，否則會出現燒壞的(de)情況。在(zai)選(xuan)(xuan)擇過程中應該了解這方面的(de)要(yao)點，以便在(zai)安裝和(he)使(shi)用(yong)時更(geng)加放心。

晶體振蕩器實際應用

晶(jing)體振(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)實(shi)際應(ying)用(yong)的(de)環(huan)境需要(yao)慎重考慮。例如(ru)，LVPECL輸(shu)出晶(jing)振(zhen)，高強度的(de)振(zhen)動(dong)(dong)或沖(chong)擊會給(gei)振(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)帶來問題(ti)。除了可(ke)能產生物理損壞，振(zhen)動(dong)(dong)或沖(chong)擊可(ke)在某些頻(pin)率下引起錯(cuo)誤的(de)動(dong)(dong)作。這(zhe)些外部感應(ying)的(de)擾動(dong)(dong)會產生頻(pin)率跳動(dong)(dong)、增加噪聲(sheng)份量(liang)以及間歇性振(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)失效(xiao)。對于要(yao)求特殊EMI兼容的(de)應(ying)用(yong)，EMI是另一個要(yao)優先考慮的(de)問題(ti)。除了采用(yong)合適(shi)的(de)PC母板布局技(ji)術(shu)，重要(yao)的(de)是選(xuan)擇(ze)可(ke)提供(gong)輻(fu)射量(liang)小的(de)時鐘振(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)。一般來說，具(ju)有(you)較慢上升/下降時間的(de)振(zhen)蕩(dang)(dang)器(qi)呈現較好的(de)EMI特性。我公司備(bei)有(you)大量(liang)現貨(huo)，有(you)需要(yao)的(de)客戶(hu)，歡迎前來選(xuan)擇(ze)！

選(xuan)擇振蕩器時(shi)需要考慮哪些因(yin)素

選擇振(zhen)蕩(dang)器時(shi)(shi)需(xu)(xu)要(yao)(yao)考(kao)慮功(gong)耗(hao)(hao)。分(fen)立振(zhen)蕩(dang)器的(de)(de)(de)功(gong)耗(hao)(hao)主要(yao)(yao)由反(fan)饋放(fang)大器的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)以(yi)(yi)及電(dian)(dian)(dian)(dian)路內部的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)值(zhi)所決(jue)定。CMOS放(fang)大器功(gong)耗(hao)(hao)與工(gong)作(zuo)頻率(lv)(lv)(lv)成(cheng)正比(bi)，可(ke)以(yi)(yi)表示為功(gong)率(lv)(lv)(lv)耗(hao)(hao)散電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)值(zhi)。比(bi)如，HC04反(fan)相器門(men)電(dian)(dian)(dian)(dian)路的(de)(de)(de)功(gong)率(lv)(lv)(lv)耗(hao)(hao)散電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)值(zhi)是90pF。在(zai)4MHz、5V電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)下(xia)工(gong)作(zuo)時(shi)(shi)，相當于1.8mA的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)。再加(jia)上20pF的(de)(de)(de)晶(jing)(jing)振(zhen)負(fu)載電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)，整個(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)為2.2mA。陶瓷諧振(zhen)槽路一(yi)般具有較大的(de)(de)(de)負(fu)載電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)，相應地也需(xu)(xu)要(yao)(yao)更(geng)多的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)。相比(bi)之下(xia)，晶(jing)(jing)振(zhen)模(mo)塊一(yi)般需(xu)(xu)要(yao)(yao)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)為10mA ~60mA。硅振(zhen)蕩(dang)器的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)取決(jue)于其類(lei)型與功(gong)能，范(fan)圍可(ke)以(yi)(yi)從低頻（固定）器件(jian)的(de)(de)(de)幾(ji)個(ge)微安(an)到可(ke)編程器件(jian)的(de)(de)(de)幾(ji)個(ge)毫安(an)。一(yi)種低功(gong)率(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de)硅振(zhen)蕩(dang)器，如MAX7375，工(gong)作(zuo)在(zai)4MHz時(shi)(shi)只需(xu)(xu)不到2mA的(de)(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)。在(zai)特定的(de)(de)(de)應用場合(he)優化(hua)時(shi)(shi)鐘源(yuan)需(xu)(xu)要(yao)(yao)綜合(he)考(kao)慮以(yi)(yi)下(xia)一(yi)些因素：精度、成(cheng)本、功(gong)耗(hao)(hao)以(yi)(yi)及環境需(xu)(xu)求。