光伏場造價指標

1.設備購置費

1.1發電設備

（1）光(guang)伏(fu)陳列設備：組件(jian)為單晶290Wp，匯總表根據2.9元(yuan)(yuan)(yuan)/瓦(wa)、3.1元(yuan)(yuan)(yuan)/瓦(wa)、3.2元(yuan)(yuan)(yuan)/瓦(wa)分(fen)別(bie)給出綜(zong)合(he)造價指(zhi)標；指(zhi)標明細表按(an)3.1元(yuan)(yuan)(yuan)/瓦(wa)計算，光(guang)伏(fu)發電站造價軟件(jian)報價，組件(jian)集采(cai)價格有波動(dong)時，相應調整(zheng)。

（2）設備支架

集(ji)中式光伏固(gu)定支架費：396元/千瓦。

固定(ding)式(shi)支(zhi)(zhi)(zhi)架每兆瓦55噸，每噸 7200元。可調式(shi)支(zhi)(zhi)(zhi)架，工程量在固定(ding)式(shi)支(zhi)(zhi)(zhi)架的基(ji)礎上增(zeng)加不(bu)超(chao)過17噸/兆瓦，指標(biao)相應(ying)增(zeng)加不(bu)超(chao)過122元/千瓦。

分布式屋頂光伏20噸(dun)/兆瓦、15606元(yuan)(yuan)/噸(dun)，折合(he)315元(yuan)(yuan)/千瓦。

1.2匯(hui)流(liu)及(ji)變配電(dian)設備

（1）匯(hui)流箱(xiang)45元(yuan)/千瓦。

（2）逆變(bian)器：345元/千(qian)瓦 。

（3）逆(ni)變(bian)器配套光伏(fu)管(guan)理系統(tong)：10元/千瓦。

（4）箱式變壓器230元/千瓦。本(ben)指(zhi)標按選型容(rong)量(liang)1000KVA考慮。

1.3控制保護及其他(ta)設(she)備(bei)購置費

控制保(bao)護設備(bei)及其他設備(bei)（20MWp指標）：281元/千瓦。

控(kong)制保護及其他設備近(jin)兩年(nian)招標情(qing)況見下表。

控制保護及其他設備指標分(fen)析表

1.4其他

清掃(sao)(sao)(sao)及(ji)運(yun)維(wei)設(she)(she)施：由(you)于清掃(sao)(sao)(sao)機(ji)等清掃(sao)(sao)(sao)及(ji)運(yun)維(wei)設(she)(she)施尚未普及(ji)，本指標不含此類專項費(fei)用。經批復采用此類設(she)(she)施的(de)，對標時相應調整。

光(guang)伏發(fa)電造價軟件現狀與發(fa)展趨勢2

在(zai)今后的(de)十(shi)幾年(nian)(nian)(nian)中(zhong)，重慶(qing)光(guang)伏(fu)(fu)發(fa)(fa)(fa)電(dian)(dian)站(zhan)造價軟件，中(zhong)國(guo)光(guang)伏(fu)(fu)發(fa)(fa)(fa)電(dian)(dian)的(de)市場將會(hui)由獨立發(fa)(fa)(fa)電(dian)(dian)系統轉向(xiang)并網(wang)發(fa)(fa)(fa)電(dian)(dian)系統，包括沙漠電(dian)(dian)站(zhan)和城市屋頂(ding)發(fa)(fa)(fa)電(dian)(dian)系統。中(zhong)國(guo)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)光(guang)伏(fu)(fu)發(fa)(fa)(fa)電(dian)(dian)發(fa)(fa)(fa)站(zhan)潛力巨大，配合積(ji)極穩(wen)定的(de)政策扶(fu)持(chi)，到2030年(nian)(nian)(nian)光(guang)伏(fu)(fu)裝機容(rong)量將達1億(yi)千(qian)瓦(wa)，年(nian)(nian)(nian)發(fa)(fa)(fa)電(dian)(dian)量可(ke)達1.3億(yi)兆瓦(wa)時，相當于少建30多(duo)個(ge)大型煤電(dian)(dian)廠(chang)。國(guo)家未來三年(nian)(nian)(nian)將投資200億(yi)補(bu)貼光(guang)伏(fu)(fu)業(ye)，中(zhong)國(guo)太(tai)陽(yang)能(neng)(neng)光(guang)伏(fu)(fu)發(fa)(fa)(fa)電(dian)(dian)又迎來了(le)(le)新一輪的(de)快速(su)增長，并吸(xi)引了(le)(le)更多(duo)的(de)戰略投資者(zhe)融入到這個(ge)行業(ye)中(zhong)來

光伏(fu)發(fa)電造價軟件(jian)原理

語音光(guang)(guang)(guang)伏(fu)發電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)主(zhu)要原(yuan)(yuan)理是半導體(ti)的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)效應(ying)。光(guang)(guang)(guang)子(zi)(zi)(zi)(zi)照射到金屬(shu)上時，它的(de)(de)能量(liang)可(ke)以被金屬(shu)中某個(ge)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)全部吸收(shou)，電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)吸收(shou)的(de)(de)能量(liang)足夠(gou)大(da)，能克(ke)服金屬(shu)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)內(nei)(nei)部的(de)(de)庫侖力做功，光(guang)(guang)(guang)伏(fu)發電(dian)(dian)(dian)站造價軟件(jian)多少錢，離開金屬(shu)表面(mian)逃逸出來，成(cheng)(cheng)為(wei)(wei)(wei)光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)。硅(gui)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)有4個(ge)外層電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)，如(ru)(ru)果(guo)在(zai)純硅(gui)中摻入有5個(ge)外層電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)如(ru)(ru)磷原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)，就(jiu)成(cheng)(cheng)為(wei)(wei)(wei)N型半導體(ti)；若在(zai)純硅(gui)中摻入有3個(ge)外層電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)(de)原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)如(ru)(ru)硼原(yuan)(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)，形(xing)成(cheng)(cheng)P型半導體(ti)。當(dang)P型和(he)N型結合在(zai)一起時，接觸面(mian)就(jiu)會形(xing)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)勢(shi)差，成(cheng)(cheng)為(wei)(wei)(wei)太(tai)陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)(dian)池。當(dang)太(tai)陽(yang)(yang)光(guang)(guang)(guang)照射到P－N結后，光(guang)(guang)(guang)伏(fu)發電(dian)(dian)(dian)站造價軟件(jian)費用，電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)便(bian)從P型一邊流(liu)(liu)向N型一邊，形(xing)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)。光(guang)(guang)(guang)電(dian)(dian)(dian)效應(ying)是物(wu)理學中一個(ge)重要而神(shen)奇的(de)(de)現象(xiang)。在(zai)高于某特定頻(pin)率(lv)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)磁(ci)波(bo)（該(gai)頻(pin)率(lv)稱為(wei)(wei)(wei)極(ji)限頻(pin)率(lv)threshold frequency）照射下，某些物(wu)質內(nei)(nei)部的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)吸收(shou)能量(liang)后逸出而形(xing)成(cheng)(cheng)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)，即光(guang)(guang)(guang)生電(dian)(dian)(dian)。