? ? ?數(shu)字(zi)補(bu)償(chang)隨著補(bu)償(chang)技術(shu)的(de)發展，溫(wen)補(bu)有源晶振(zhen)報價(jia)，很多數(shu)字(zi)化補(bu)償(chang)DTCXO開(kai)始出現(xian)(xian)。D為(wei)Digital。利用(yong)補(bu)償(chang)電路的(de)溫(wen)度(du)(du)和電壓變(bian)(bian)化，再加A/D變(bian)(bian)換器，將模擬(ni)量轉換為(wei)數(shu)字(zi)量，從(cong)而實現(xian)(xian)自動(dong)溫(wen)度(du)(du)補(bu)償(chang)。這種方(fang)法成(cheng)本高(gao)，溫(wen)補(bu)有源晶振(zhen)廠家，電路復雜，適用(yong)于高(gao)精度(du)(du)的(de)應用(yong)。

用MCU技術(shu)進行溫度數(shu)字補(bu)(bu)(bu)償(chang)為(wei)MCXO。MCU對(dui)溫度傳感器的溫度值采樣后(hou)把結果存入單片機。輸出補(bu)(bu)(bu)償(chang)數(shu)據信號到(dao)高精(jing)度D/A轉換，再將它送給補(bu)(bu)(bu)償(chang)電路得到(dao)補(bu)(bu)(bu)償(chang)電壓(ya)。通過補(bu)(bu)(bu)償(chang)電壓(ya)對(dui)振(zhen)蕩頻率進行補(bu)(bu)(bu)償(chang)，來減少溫度變(bian)化對(dui)晶(jing)振(zhen)穩定度的影響(xiang)。

使(shi)用溫補振蕩器的注意(yi)事項

溫補晶(jing)(jing)體(ti)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)，包括(kuo)基板(ban)，所(suo)述(shu)基板(ban)的(de)(de)上(shang)側設置有(you)(you)外(wai)(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)(ke)，所(suo)述(shu)外(wai)(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)(ke)的(de)(de)上(shang)側設置有(you)(you)封裝(zhuang)(zhuang)蓋，溫補有(you)(you)源(yuan)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)現貨，所(suo)述(shu)外(wai)(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)(ke)的(de)(de)內(nei)側開設有(you)(you)芯(xin)(xin)片(pian)安(an)裝(zhuang)(zhuang)腔(qiang)(qiang)，所(suo)述(shu)芯(xin)(xin)片(pian)安(an)裝(zhuang)(zhuang)腔(qiang)(qiang)的(de)(de)內(nei)側設置有(you)(you)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)電路(lu)芯(xin)(xin)片(pian)，所(suo)述(shu)芯(xin)(xin)片(pian)安(an)裝(zhuang)(zhuang)腔(qiang)(qiang)的(de)(de)上(shang)側開設有(you)(you)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)安(an)裝(zhuang)(zhuang)腔(qiang)(qiang)，所(suo)述(shu)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)安(an)裝(zhuang)(zhuang)腔(qiang)(qiang)的(de)(de)內(nei)側設置有(you)(you)石英振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)片(pian)，所(suo)述(shu)外(wai)(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)(ke)的(de)(de)外(wai)(wai)(wai)(wai)表(biao)面設置有(you)(you)散熱(re)(re)片(pian);通(tong)過設計在(zai)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)外(wai)(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)(ke)上(shang)的(de)(de)散熱(re)(re)片(pian)，在(zai)使(shi)用時可以通(tong)過散熱(re)(re)片(pian)加快振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)產生的(de)(de)熱(re)(re)量，溫補有(you)(you)源(yuan)晶(jing)(jing)振(zhen)(zhen)(zhen)，減少熱(re)(re)量對振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)的(de)(de)影響，且在(zai)運輸(shu)時振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)可以通(tong)過振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)外(wai)(wai)(wai)(wai)殼(ke)(ke)(ke)兩端交錯設置的(de)(de)散熱(re)(re)片(pian)相(xiang)互卡合，使(shi)振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)碼(ma)放(fang)更加穩定，防(fang)止因(yin)為晃(huang)動導致振(zhen)(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)(dang)器(qi)(qi)撞擊出現損壞(huai).

晶體振蕩器頻率控制(zhi)方法

振(zhen)蕩(dang)器(qi)(qi)可通過直(zhi)(zhi)(zhi)接(jie)(jie)牽引(yin)(yin)頻率(lv)或使(shi)用(yong)高(gao)分辨率(lv)鎖相(xiang)(xiang)環調整(zheng)(zheng)頻率(lv)來實現頻率(lv)控(kong)制。直(zhi)(zhi)(zhi)接(jie)(jie)牽引(yin)(yin)頻率(lv)的(de)(de)(de) VCXO用(yong)調整(zheng)(zheng)變(bian)容二極管電壓(ya)來改變(bian)諧振(zhen)電路電容，而直(zhi)(zhi)(zhi)接(jie)(jie)牽引(yin)(yin)頻率(lv)的(de)(de)(de)DCXO通過可編(bian)程開關切換不同的(de)(de)(de)諧振(zhen)電容。使(shi)用(yong)石英(ying)晶(jing)體諧振(zhen)器(qi)(qi)的(de)(de)(de)VCXO直(zhi)(zhi)(zhi)接(jie)(jie)牽引(yin)(yin)頻 率(lv)調整(zheng)(zheng)可以保持(chi)低(di)(di)相(xiang)(xiang)位噪聲(sheng)(sheng)，但(dan)牽引(yin)(yin)范(fan)(fan)圍(wei)被限制在約±200ppm。當(dang)系(xi)統應用(yong)需(xu)要更寬的(de)(de)(de)頻率(lv)牽引(yin)(yin)范(fan)(fan)圍(wei)和與晶(jing)體振(zhen)蕩(dang)器(qi)(qi)相(xiang)(xiang)近的(de)(de)(de)低(di)(di)噪聲(sheng)(sheng)特性時，用(yong)戶更傾向于選擇 基于鎖相(xiang)(xiang)環的(de)(de)(de)MEMS控(kong)制振(zhen)蕩(dang)器(qi)(qi)架構，因為它們可以提供高(gao)達±1600ppm的(de)(de)(de)牽引(yin)(yin)范(fan)(fan)圍(wei)。